ドナー不純物の英語

このとき、Ｎ型ウェル１４及びドナー拡散領域２０を形成するための不純物注入量を、ドナー拡散領域２１を形成するための不純物注入量よりも少なくする。例文帳に追加

In this case, impurity to form an N-type well 14 and the donor diffusing region 20 is less doped than the impurity to form the donor diffusing region 21. - 特許庁

不純物転化工程103では、一般式Ａｒ−Ｒ−ＣＨＯ（Ａｒは置換または未置換のアリール基、Ｒは炭素数２以上の有機基）で表記されるアルデヒド化合物が添加され、クロロシラン類留出物に含有されているドナー不純物およびアクセプタ不純物が高沸点物に転化される。例文帳に追加

In the impurity conversion step 103, an aldehyde compound represented by general formula: Ar-R-CHO (Ar is a substituted or unsubstituted aryl group; and R is a ≥2C organic group) is added, and donor impurities and acceptor impurities contained in a chlorosilane distillate is converted into high boilers. - 特許庁

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。例文帳に追加

In the thin-film transistor, the buffer layer has a film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer. - 特許庁

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。例文帳に追加

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration. - 特許庁

共添加層１３の光吸収係数は、ドナーとして働く不純物のみ、またはアクセプタとして働く不純物のみを添加した場合に比べて極めて大きくなる。例文帳に追加

An optical absorption coefficient of the codoped layer 13 is extremely larger than cases where only the impurity serving as the donor or only the impurity serving as the acceptor is added. - 特許庁

精製工程104では、蒸留塔などを用いることにより、塔頂部より系外に回収して、充分にドナー不純物およびアクセプタ不純物が除去された高純度のクロロシラン類を得る。例文帳に追加

In the purification step 104, by using distillation columns or the like, high purity chlorosilanes are recovered outside of the system and obtained, from which donor impurities and acceptor impurities have been thoroughly removed. - 特許庁

このとき、ｐ−ＡｌＧａＮ層１０７を形成する際に用いられたアクセプタ不純物の、中間層１０８への混入によるホール発生を補償する濃度にドナー不純物を添加する。例文帳に追加

At this time, a donor impurity is added at a concentration at which the formation of holes when the acceptor impurity used for forming the p-type AlGaN layer 107 is mixed in the intermediate layer 108 can be compensated. - 特許庁

半導体中の個々の不純物原子を検出して、その位置を特定し、その不純物の種類を判別し、さらにある特定の領域内に含まれるアクセプターおよびドナー不純物原子の数をそれぞれ区別して数え上げることによって不純物濃度の測定を行う方法及び装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for measuring the concentration of impurities for detecting each impurity atom in a semiconductor to specify its position to discriminate the kinds of impurities and respectively discriminating the numbers of the acceptors and donor impurity atoms contained in a certain specific region for counting, and a device for measuring by this measuring method. - 特許庁