donor impurityとは 意味・読み方・使い方

An impurity serving as an electron donor (a donor) which is contained in the stacked body of the oxide semiconductor is removed in a process of crystal growth, and therefore, the stacked body of the oxide semiconductor is highly purified and becomes an intrinsic semiconductor or a substantially intrinsic semiconductor whose carrier density is low.例文帳に追加

第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードである。 - 特許庁

When TFTs whose drive voltages differ from each other to a polycrystal silicon film formed on a glass substrate are mixed and formed, in low-voltage driven TFTs, an acceptor has more impurity of a channel region or a donor has less impurity of the channel region, and in high-voltage driven TFTs, the donor has more impurity of the channel region or the acceptor has less impurity of the channel region.例文帳に追加

ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるＴＦＴを混載する際に、低電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるようにしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 - 特許庁

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

An optical absorption coefficient of the codoped layer 13 is extremely larger than cases where only the impurity serving as the donor or only the impurity serving as the acceptor is added.例文帳に追加

共添加層１３の光吸収係数は、ドナーとして働く不純物のみ、またはアクセプタとして働く不純物のみを添加した場合に比べて極めて大きくなる。 - 特許庁

At this time, a donor impurity is added at a concentration at which the formation of holes when the acceptor impurity used for forming the p-type AlGaN layer 107 is mixed in the intermediate layer 108 can be compensated.例文帳に追加

このとき、ｐ−ＡｌＧａＮ層１０７を形成する際に用いられたアクセプタ不純物の、中間層１０８への混入によるホール発生を補償する濃度にドナー不純物を添加する。 - 特許庁

A first impurity generating a donor level or acceptor level in a semiconductor is introduced in upper and side parts of the fin type semiconductor regions 13, and a second impurity making the semiconductor into an insulator is further introduced in the upper parts of the fin type semiconductor regions 13.例文帳に追加

フィン型半導体領域１３の上部及び側部には、半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する第１の不純物が導入されていると共に、フィン型半導体領域１３の上部には、半導体を絶縁物化する第２の不純物がさらに導入されている。 - 特許庁

The electron density around the surface required for electron emission can be increased by adding a donor impurity around the surface of the aluminum boron gallium nitride.例文帳に追加

このように、窒化アルミニウムボロンガリウムの表面近くにドナー不純物を添加することにより、電界放出に必要な表面近傍の電子濃度を増加させることができる。 - 特許庁

In the laminar region 67, a donor impurity along an axis that runs from the gallium nitride substance 63 to the gallium nitride epitaxial film 65 has a peak value of 1×10^18 cm^-3 or over.例文帳に追加

層状領域６７では、窒化ガリウム基板６３から窒化ガリウムエピタキシャル膜６５へ向かう軸に沿ったドナー不純物が１×１０^１８ｃｍ^−３以上のピーク値である。 - 特許庁