donor impurityとは 意味・読み方・使い方

Further, the contact resistance is decreased by allowing an impurity such as a donor or an acceptor to diffuse into the orientation flat part 5 mentioned above.例文帳に追加

また、上記オリエンテーションフラット部分５にドナー、アクセプタ等の不純物を拡散して接触抵抗値を小さくするようにする。 - 特許庁

When TFTs whose drive voltages differ from each other to a polycrystal silicon film formed on a glass substrate are mixed and formed, in low-voltage driven TFTs, an acceptor has more impurity of a channel region or a donor has less impurity of the channel region, and in high-voltage driven TFTs, the donor has more impurity of the channel region or the acceptor has less impurity of the channel region.例文帳に追加

ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるＴＦＴを混載する際に、低電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるようにしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 - 特許庁

At this time, a donor impurity is added at a concentration at which the formation of holes when the acceptor impurity used for forming the p-type AlGaN layer 107 is mixed in the intermediate layer 108 can be compensated.例文帳に追加

このとき、ｐ−ＡｌＧａＮ層１０７を形成する際に用いられたアクセプタ不純物の、中間層１０８への混入によるホール発生を補償する濃度にドナー不純物を添加する。 - 特許庁

This electron emitter includes a donor impurity element in a surface of a diamond layer 24, and has an emitter layer 25 for emitting the electron.例文帳に追加

電子放出装置は、ダイヤモンド層２４の表面にドナー不純物元素が含有されてなる、電子を放出するためのエミッタ層２５を含む。 - 特許庁

An impurity serving as an electron donor (a donor) which is contained in the stacked body of the oxide semiconductor is removed in a process of crystal growth, and therefore, the stacked body of the oxide semiconductor is highly purified and becomes an intrinsic semiconductor or a substantially intrinsic semiconductor whose carrier density is low.例文帳に追加

第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードである。 - 特許庁

The electron density around the surface required for electron emission can be increased by adding a donor impurity around the surface of the aluminum boron gallium nitride.例文帳に追加

このように、窒化アルミニウムボロンガリウムの表面近くにドナー不純物を添加することにより、電界放出に必要な表面近傍の電子濃度を増加させることができる。 - 特許庁

An n-type AlGaN layer 98 including donor impurity which is represented by Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) is formed on the surface of the sharp-pointed part 97.例文帳に追加

そして、先鋭部９７の表面上には、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で表され、ドナー不純物を含むｎ型ＡｌＧａＮ層９８が形成されている。 - 特許庁

A conduction electron which is formed to a deep donor level DL by a native defect when no element is added, and is captured by a hole formed to a deep impurity level, thereby becoming a p-type.例文帳に追加

無添加時に自然欠陥により深いドナー準位ＤＬに形成される伝導電子は、深い不純物準位に形成される正孔に捕獲されるため、ｐ型となる。 - 特許庁