マトリックス記憶装置の英語

画像データをＮ値化するに際し、メモリに記憶された共通のディザマトリックスを効率的に使用するのに好適な印刷装置、画像処理装置、及び表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a printing device, an image processor and a display device, suited to effectively use a common dither matrix stored in a memory to perform N-value conversion of image data. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置は、マトリックス状に配置され、それぞれが複数のメモリセルを含む複数のセルブロックＢｌｏｃｋ−０，１を有している。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor memory device has a plurality of cell blocks Block-0, 1 which are arranged in matrix shape and each of which includes a plurality of memory cells. - 特許庁

不揮発性半導体記憶素子がマトリックス状に配置されている仮想グラウンドアレイの半導体集積回路装置において、ビット線間およびワード線間のリーク電流を効率よく抑制する。例文帳に追加

To efficiently suppress a leak current between bit lines and between word lines in a semiconductor integrated circuit device of a virtual ground array in which non-volatile semiconductor storage elements are arranged in matrix. - 特許庁

複数画像の重ね合わせ処理を行う際にマトリックスサイズの変更を行った場合でも、各画像を高い解像度を維持したまま記憶することのできる医用画像処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a medical image processor capable of storing respective images while keeping a high resolution even though a matrix size is changed when superimposing a plurality of images. - 特許庁

半導体記憶装置は、メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、参照抵抗値を生成する参照抵抗回路とを備えている。例文帳に追加

A semiconductor memory device includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix and a reference resistance circuit that generates a reference resistance value. - 特許庁

ダイナミック型メモリセルがマトリックス配置されてなるメモリアレイの大記憶容量化と、そのリフレッシュ特性の改善を図った半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device achieving a large storage capacity of a memory array formed by disposing dynamic type memory cells in a matrix shape and improvement of its refreshment characteristics. - 特許庁

検査装置２は、すでに各画素に有機ＥＬ素子の薄膜が形成されたアクティブマトリックス基板の各画素の動作トランジスタにある寄生容量に充電された電荷による画素電流を測定し、測定した画素電流値を補正データ記憶装置１０に記憶する。例文帳に追加

In an inspection apparatus 2, a pixel current based on electric charge electrically charged to a parasitic capacitance in an operation transistor of each pixel on an active matrix substrate having a thin film of the organic EL element formed on each pixel is measured and the measured pixel current value is stored in a correction data storage device 10. - 特許庁

ダイオード材と抵抗変化材料とが積層した抵抗変化型メモリセルがマトリックス状に配置された不揮発性記憶装置において、エッチング後のパターン倒壊の虞を低減させることの可能な不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory which can reduce a risk of pattern collapse after etching in a nonvolatile memory in which a resistance change type memory cell in which a diode member and a resistance change material are laminated is arranged in a matrix shape. - 特許庁