マーク検出方式の英語

かつ、投影光学系１４を介するＴＴＬ方式で、直接半導体基板Ｗａｆ上に設けられた位置合わせ用のマークＭＫを検出する。例文帳に追加

With a TTL method that uses the projection optical system 14, a mark MK for alignment that is directly provided on the semiconductor substrate Waf is detected. - 特許庁

この場合に、不揮発メモリ管理部２２ｂは、サーボマークサーチ制御部２２ｄからの指示に応じて、不揮発メモリ２３のサーボライト方式識別情報記憶部２３ｂに、検出したサーボマークに対応するサーボライト方式識別情報を書き込む。例文帳に追加

In this case, a nonvolatile memory managing section 22b writes servo write mode identifying information corresponding to the detected servo mark on a servo write mode identifying information storing section 23b of a nonvolatile memory 23 in accordance with an instruction from the servo mark search control section 22d. - 特許庁

ランダムシフトを用いて記録領域にユーザデータが記録されていても同期マークを確実に検出し、検出した同期マークに基づいてユーザデータを確実に再生することができる相変化記録方式の光ディスク及び光ディスク装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical disk utilizing a phase change recording method and an optical disk device, in which a synchronizing mark is surely detected by using a random shift even though user data are being recorded on a recording area, and the user data are surely reproducible on the basis of the detected synchronizing mark. - 特許庁

アライメント時には、オフ・アクシス方式のアライメントセンサ１２Ａを用いて基準マーク３４Ａ，３４Ｂ及びウエハＷ１上の所定のウエハマークの位置を検出して、ウエハホルダ２４Ａに対するウエハＷ１の相対位置を求める。例文帳に追加

At the time of alignment, the position of a specific wafer mark on the reference marks 34A and 34B and the wafer W1 is detected by an off-axis alignment sensor 12A, thus obtaining the relative position of the wafer W1 to the wafer holder 24A. - 特許庁

垂直磁気記録方式を適用するディスクドライブにおいて、シンクマークとしての検出確率が高く、かつ隣接するデータ領域での再生ビット誤り率には影響を及ぼさない第２のシンクマークを記録するディスク記憶装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a disk storage which is high in detection probability as a sink mark in a disk drive to which a vertical magnetic recording system is applied and which records the second sink mark exerting no influence on a reproduction bit error rate in an adjacent data region. - 特許庁

マークの前後エッジ位置を特定間隔の整数倍にて変化させて情報を記録する方式において、エッジ位置変化間隔を狭めることなく、検出ダイナミックレンジの影響を受けずに密度を向上させる。例文帳に追加

To improve density without narrowing the distance of edges and without being influenced by a detection dynamic range in a method for changing the preceding and succeeding edge positions of marks by the integer times of a specific interval. - 特許庁

レチクルＲ１のパターンを投影光学系ＰＬを介して露光する際には、ＴＴＬ方式のレチクルアライメント顕微鏡５Ａ，５Ｂによって基準マーク３４Ａ，３４Ｂの位置を検出し、この検出結果と先に求めた相対位置とに基づいてウエハステージ２３Ａを駆動する。例文帳に追加

When the pattern of a reticle R is exposed to light via a projection optical system PL, the position of the reference marks 34A and 34B is detected by TTL-system reticle alignment microscopes 5A and 5B, and a wafer stage 23A is driven based on the detection result and the relative position being obtained before. - 特許庁

ウェハプロセスの影響を受け難く、使用する露光装置の搭載する位置検出方式に応じて位置検出用マークを定量的に最適化でき、且つウェハプロセスや装置起因のアライメント誤差を最小限にして高い位置合わせ精度を実現する。例文帳に追加

To prevent the influence of a wafer process as much as possible, to quantitatively optimize a mark for position detection according to a position detection system mounted in a projection aligner to be used, and at the same time to minimize an alignment error due to the wafer process, and to provide a device for improving alignment accuracy. - 特許庁