モル体積の英語

結晶相の体積分率で１０〜９０％となるよう微細結晶相とアモルファス相を混在させることにより、結晶構造とアモルファス構造の利点を兼ね備えた物性を得る。例文帳に追加

Properties combining advantage of a crystal structure with that of an amorphous structure can be obtained by allowing a micro crystal phase and an amorphous phase to coexist so as to obtain a volume fraction of crystal phase of 10 to 90%. - 特許庁

アモルファス薄膜４の下層に、溶融結晶化に際し、少なくとも表層側が溶融してアモルファス薄膜４が結晶化されて凝固する際の体積変化を緩和するバッファ層３を設ける。例文帳に追加

During crystallization by the melt heating, a buffer layer 3 buffering the volume change of the amorphous thin film 4 when crystallized by being melt at least its surface side and solidified is provided below the thin film 4. - 特許庁

窒化物半導体装置を、導電性ＳｉＣ基板１上に形成された窒化物半導体積層構造２と、窒化物半導体積層構造２の活性領域の下方の領域に形成されたアモルファスカーボン層３とを備えるものとする。例文帳に追加

A nitride semiconductor device comprises a nitride semiconductor multi-layer structure 2 formed on a conductive SiC substrate 1 and an amorphous carbon layer 3 formed on an area under an active region of the nitride semiconductor multi-layer structure 2. - 特許庁

コンクリートブロック９に対し横方向に積み上げる場合は、ブロック面９Ｂにブロック体積み上げ介在具４を嵌合し、接着剤としてのセメントモルタル２を施した後、そのブロック体積み上げ介在具４に対し、横から新たなコンクリートブロックの側面を嵌合させる。例文帳に追加

When the concrete block 9 is piled up in the horizontal direction, a block body pile-up interventional device 4 is fitted to a block face 9B, and after the cement mortar 2 as theadhesive is applied, the side of a new concrete block is fitted to the block body pile-up interventional device 4 from the side. - 特許庁

アモルファス炭素膜を生成するときには、対向電極１６にパルス幅が０．１μｓｅｃ以上５．０μｓｅｃ以下の直流パルス電圧を印加した状態で、キャリアガスに対するアセチレンガスの割合が０．０５体積％以上１０体積％以下となるように混合ガスを支持電極１４及び対向電極１６との間に供給してプラズマを発生させることにより、アモルファス炭素膜を生成する。例文帳に追加

An amorphous carbon film is formed by supplying the mixed gas between the supporting electrode 14 and the counter electrode 16 such that the percentage of the acetylene gas relative to the carrier gas is 0.05-10 vol%, and generating plasma in a state where a DC pulse voltage having a pulse width of 0.1-5.0 μsec is applied to the counter electrode 16. - 特許庁

そのため、アモルファスカーボン２とグラファイト３との割合を体積比で９０：１〜５０：５０の範囲に調整することで、アモルファスカーボン半導体１の抵抗値を低抵抗化させて、所望の抵抗値を容易に実現することができる。例文帳に追加

By controlling proportions of the amorphous carbon 2 and the graphite 3 to a range of 99:1 to 50:50 by a volume ratio, desired resistance can be easily obtained by decreasing the resistance of the amorphous carbon semiconductor 1. - 特許庁

該酸化スズ粒子はＷ／Ｓｎのモル比が０．１％以上３０モル％以下、体積平均粒子径が０．１μｍ以上５μｍ以下、電気抵抗値が１０の９乗Ωｃｍ以下で有り、該酸化スズと併用してシリカ、酸化チタン、アルミ又は複合酸化物が用いられることを特徴とする。例文帳に追加

The tin oxide particles are 0.1 to 30 mol% in molar ratio of W/Sn, are 0.1 to 5 μm in volume average particulate diameter and are 9 power Ωcm or below of 10 in electric resistance value and a silica, titanium oxide, aluminum or multi component oxide are used in combination with the above tin oxide. - 特許庁

窒化珪素を９５モル％以上、Ａｌ、Ｍｇ及び周期律表第３ａ族元素の酸化物換算による合計が２モル％以下の窒化珪素焼結体からなることを特徴とするものであり、特に、前記セラミック焼結体の気孔率が１０体積％以上であることが好ましい。例文帳に追加

The aluminum molten metal member is composed of a silicon nitride sintered compact of ≥96 mol% silicon nitride and ≤2 mol% total by oxide conversion of Al, Mg and periodic table group 3a element and particularly the porosity of the ceramic sintered compact is preferably ≥10 vol.%. - 特許庁