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ライフタイムキラーの英語
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英訳・英語 lifetime killer
「ライフタイムキラー」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
更にライフタイムキラーを用いないので、スイッチング特性の温度特性を安定させることができる。例文帳に追加
Furthermore, since a lifetime killer is not used, the temperature characteristics in the switching characteristics can be stabilized. - 特許庁
第１及び第２のシリコン酸化膜７、１０の上にライフタイムキラー金属膜１１を形成する。例文帳に追加
A lifetime killer metal film 11 is formed on the first and second silicon oxide films 7 and 10. - 特許庁
ｐ^+領域５の露出面には、ホールの消滅を促進するライフタイムキラーを含有する低ライフタイム領域６が、選択的に形成されている。例文帳に追加
A low lifetime region 6 including lifetime killers promoting extinction of holes is selectively formed on an exposed surface of a p+ region 5. - 特許庁
ランプアニール法による熱処理によってライフタイムキラー金属を半導体基板１の特定領域９に拡散させる。例文帳に追加
The lifetime killer metal is diffused to a specific region 9 on the semiconductor substrate 1 by heat treatment due to the lamp annealing method. - 特許庁
シリコン酸化膜７にライフタイムキラーとしての重金属を導入するための微小開口８を形成する。例文帳に追加
A micro-opening 8 for introducing a heavy metal as a life time killer is formed in a silicon oxide film 7. - 特許庁
ライフタイムキラーを局在化させることで、ダイオード動作時の逆回復ピーク電流（Ｉｒｐ）を小さくし、ソフトリカバリー特性とする。例文帳に追加
By the localization of life time killer, a reverse-recovery peak current (Irp) when a diode is active can be reduced and the property of reverse-blocking semiconductor becomes a soft-recovery type. - 特許庁
これにより、ライフタイムキラー１３の作用によって、リカバリ動作時にキャリアの消滅を早めることができる。例文帳に追加
With this configuration, disappearance of carriers can be expedited by an action of the lifetime killer 13 at recovery operation. - 特許庁
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「ライフタイムキラー」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
電子線照射もしくはヘリウム線照射によってｐ型ベース領域３内やｎ^-型ドリフト層２内にライフタイムキラー１３を形成する。例文帳に追加
A lifetime killer 13 is formed in a p-type base region 3 or an n^--type drift layer 2 by irradiation of an electron beam or a helium beam. - 特許庁
逆耐圧を低下させることなく、また、ライフタイムキラーを導入せずにアノードｐ層からのキャリア注入量を抑え、さらに順方向電圧を上昇させずに半導体装置の逆回復破壊耐量を向上させる。例文帳に追加
To restrain a carrier injection amount from an anode p-layer without degrading reverse voltage or introducing a lifetime killer, and to improve the reverse recovery breakdown strength of a semiconductor device without increasing forward voltage. - 特許庁
これらにより、ライフタイムキラーを用いることなく、逆方向電圧印加時にホールの引き抜きにかかる時間、すなわち逆回復時間ｔｒｒを短縮できる。例文帳に追加
This results in reducing the time required for extracting the hole, i.e., the reverse recovery time (trr) at backward voltage application without using a lifetime killer. - 特許庁
チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。例文帳に追加
He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip. - 特許庁
チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。例文帳に追加
A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip. - 特許庁
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