ラマンスペクトル分析の英語

ターゲット組織を構成する遊離Ｓｉ相は、ラマン分光分析のラマンスペクトルにおける遊離Ｓｉピークのシフト量△νから、（2.5×109×△ν）×10-1の応力換算式に基づいて求めた残留応力が750MPa以下とされている。例文帳に追加

The residual stress of the segregated Si phases composing a target structure comprises 750 MPa or less, when it is determined from a shift quantity Δψ of a segregated Si peak in Raman spectrum, based on a stress conversion equation of (2.5×109×▵ν)×10-1. - 特許庁

窒化アルミニウムからなるマトリックス中に、レーザラマンスペクトルによる分析において、１５８０ｃｍ^-1付近および１３５５ｃｍ^-1付近にピークが出現するカーボンを含有することを特徴とするカーボン含有窒化アルミニウム焼結体。例文帳に追加

This carbon-containing aluminum nitride sintered compact is characterized as comprising the carbon having the peaks appearing at about 1,580 cm-1 and about 1,355 cm-1 in an analysis with a laser Raman spectrum in a matrix composed of the aluminum nitride. - 特許庁

レーザラマンスペクトルによる分析において、１５８０ｃｍ^-1付近および１３５５ｃｍ^-1付近にピークが出現するカーボンを含有するセラミック基板に、導電体を配設してなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。例文帳に追加

In the ceramic substrate for the apparatus for manufacturing and inspecting of semiconductors, a conductor layer is arranged on a ceramic substrate containing carbon, where peaks appear near 1,580 cm-1 and 1,355 cm-1 in an analysis by laser Raman spectra. - 特許庁

グラファイト粒子堆積層７は、ラマン分光分析によるラマンスペクトルをピーク分離して得られる、Ｄバンドを表すピークの面積強度Ｉ_D とＧバンドを表すピークの面積強度Ｉ_G の比たる、Ｉ_D ／Ｉ_G が１以下である。例文帳に追加

The graphite-particle deposition layer 7 shows the I_D/I_G of 1 or less, which is a ratio of an integrated intensity I_D in a peak that represents a band (D) obtained by separating a peak of a Raman spectrum obtained from Raman spectroscopy, to an integrated intensity I_G in a peak that shows a band (G). - 特許庁

前記材料を、２０００℃で熱処理した後、前記材料について波長５３２ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザー光を用いたラマンスペクトル分析を行うことによって得たＤバンドとＧバンドとの比で定義されるＲ値＝（Ｉ_１３６０／Ｉ_１５８０）が、０．６以上となることが好ましい。例文帳に追加

The above material is desirable that R value =(I_1360/I_1580) defined with the ratio of D band/G band obtained in a Raman spectrum analysis, by using Nd:YAG laser beam having 532 nm wave-length after applying a heat-treatment at 2000°C, is ≥0.6. - 特許庁

レーザラマンスペクトルによる分析において、１５８０ｃｍ^-1付近のピークと１３５５ｃｍ^-1付近のピークとのピーク強度比：Ｉ（１５８０）／Ｉ（１３５５）が、３．０を超えてなるカーボンを含有するセラミック基板に、導体層を配設してなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。例文帳に追加

In this ceramic substrate for the apparatus for manufacturing and inspecting of semiconductors, a conductor layer is arranged on a ceramic substrate containing carbon, where the peak intensity ratio I (1580)/I (1355) of a peak near 1,580 cm-1 to that near 1,355 cm-1 exceeds 3.0 in analysis using laser Raman spectra. - 特許庁

表面に多結晶性結晶組織および／または等方性結晶組織を有し、表面の結晶子が直径１０〜１００nmの結晶組織を有するメソカーボンマイクロビーズ黒鉛化品、さらに表面の結晶子のラマンスペクトル分析から求めたＲ値が０．１２〜０．３５である前記のメソカーボンマイクロビーズ黒鉛化品と、これを用いた負極材とリチウムウイオン二次電池。例文帳に追加

This relates to a mesocarbon microbead graphitized material, having a polycrystalline crystal structure or an isotropic crystal structure on a surface and a crystal structure on the surface having a diameter 10 to 100 nm, and to the mesocarbon microbead graphitized material, having a crystal R value on the surface found by Raman spectrum analysis 0.12 to 0.35, and a negative electrode material and a lithium ion secondary battery using the same. - 特許庁

プラズマＣＶＤ法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Ａｒレーザ（波長：４８８ｎｍ）によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのＧバンドシフトが１５５０〜１５５９ｃｍ^−１、かつＧバンド半値幅が１８０〜１９７ｃｍ^−１であることを特徴とする。例文帳に追加

The hydrogenated amorphous carbon film is prepared from a hydrocarbon gas through a plasma CVD method and is characterized by a G band shift of 1,550-1,559 cm^-1 and a half-width of G band of 180-197 cm^-1 in a Raman spectrum measured by Raman spectroscopy with an Ar laser (wavelength: 488 nm). - 特許庁