ランプエッジの英語

任意の位置に任意の形状で、デカナノスケールの微細加工ができるという集束イオンビームの特長を利用して、レジストパターニングを必要とせず、デカナノスケールの精度でランプエッジ面を加工・成形して、その加工表面をバリアに用いる接合作製方法である。例文帳に追加

A ramp edge surface is worked/molded at deca-nanometer scale precision with no resist patterning, with the machining surface used as a barrier. - 特許庁

超伝導接合に関し、簡単な手段を採ることで、ランプエッジ接合に於いて、層間絶縁膜の斜面を越えて延在する超伝導電極が生成されないようにし、低インダクタンスで、且つ、インダクタンスのばらつきが少ない接合を実現できるようにする。例文帳に追加

To obtain a junction having low inductance and the small variation of inductance by preventing the formation of a superconducting electrode extended while crossing the inclined plane of an interlayer insulating film in a lamp edge junction by adopting a simple means regarding a superconductive junction. - 特許庁

臨界電流の均一性などに優れたランプエッジ型酸化物超伝導ジョセフソン接合の作製方法が国内外で盛んに研究されているが、いずれも厳密に角度を制御することは困難であり、集積回路を作製できるレベルにはほど遠い状況にある。例文帳に追加

To solve problems that related to a manufacturing method for a ramp-edge oxide superconducting Josephson junction excellent in evenness and the like of a critical current which is studied all over the world, precise control, of the angle is difficult and integrating of junctions in an arbitrary direction is difficult because the azimuth for an edge machining surface is limited. - 特許庁

ジョセフソン接合ＪＲの常電導体膜１４Ｃは超伝導体膜１１上に堆積された絶縁膜１２のランプエッジを越えて絶縁膜１２上に延設され、この常電導体膜１４Ａ上に制御線１９Ｃが形成されている。例文帳に追加

A normal conductive conductor film 14C of the junction JR is extendedly provided on an insulating film 12 across the lamp edge of the insulating film 12 deposited on a superconducting conductor film 11 and the control line 19C is formed on this film 14C. - 特許庁

酸化物超伝導体を用いたランプエッジ型超伝導接合に於いて、上部超伝導電極２４が下部超伝導電極２２と層間絶縁膜２３とからなる斜面に沿って延在すると共に下部超伝導電極２２との接合部分２５を越え層間絶縁膜２３の斜面を越えるまでの適所で終端された構造になっている。例文帳に追加

In the lamp-edge type superconducting junction using an oxide superconductor, an upper superconducting electrode 24 is extended along a slope composed of a lower superconducting electrode 22 and an interlayer insulating film 23 and, at the same time, is terminated at an appropriate location between the junction 25 with the lower superconducting electrode 22 and the top of the slope of the insulating film 23. - 特許庁