リフタピンの英語

基板が載置された載置台の下方側に回り込んだ処理ガスは、ピン挿通孔の下端から進入しにくくなり、反応生成物がリフタピンとピン挿通孔との間の隙間に堆積することが抑えられ、従ってリフタピンの昇降が阻害されることが抑えられる。例文帳に追加

The treatment gas entered at the lower side of the mounting stand, on which the substrate has been mounted, cannot easily enter the lower end of the pin through hole, thereby preventing the reaction products from depositing in the gap between the lifter pin and pin through hole, and preventing interference with the movement of the lifter pin that lifts and lowers. - 特許庁

ピン挿通孔の下端の開口部に内側に環状に突出して形成された環状突出部と、前記リフタピンに形成され、当該リフタピンが下降したときに環状突出部に支持されて前記開口部を塞ぐ拡径部と、を備えるように基板の載置機構を構成する。例文帳に追加

The substrate mounting device is equipped with an annular projection section formed annualarly in a projected shape inside the lower end of the pin through hole, and an expanded diameter section formed on the lifter pin that closes the opening with the support of the annular projection section, when the lifter pin is lowered. - 特許庁

本発明の被処理体のの載置機構１０は、リフタピン１２をアーム１３上に載置すると共に、リフタピン１２と貫通孔１１Ａの隙間を成膜用ガスが実質的にサセプタ１１の下面側から上面側へ通過しない隙間として設定した。例文帳に追加

In the mechanism 10 for placing a workpiece, a lifter pin 12 is placed on an arm 13 and the gap between the lifter pin 12 and a through hole 11A is set in such a way that a film-forming gas is not substantially passed therethrough from the bottom surface side of a susceptor to the top surface side thereof. - 特許庁

貫通孔２Ｅの内径がリフタピン２Ｂの外径より大きく設定され、両者２Ａ、２Ｃ間大きな隙間があるため、成膜処理時に成膜用ガスがサセプタ２Ａの下面からリフタピン２Ｂと貫通孔２Ｅ間の隙間を通ってウエハＷの裏面に達し、ウエハＷの裏面や貫通孔２Ｅの内周面に成膜用ガスの反応生成物等が堆積し、この堆積物がパーティクルの発生源になったり、リフタピンの動作不良の原因になる。例文帳に追加

To provide a mechanism for placing a workpiece that can surely prevent a reaction product of a film-forming gas from depositing on the reverse surface of workpiece to thereby enable a lift pin to move always smoothly and can be realized by a simple mechanism at low cost. - 特許庁

そして、搬送ロボットから未処理基板Ｓを受け取ると、アクチュエータ８４が逆方向に作動して未処理基板Ｓの周縁部を支持部８２で支持しながらリフタピンスタンド８１が一体的に下降する。例文帳に追加

After receiving an unprocessed substrate S from a transfer robot, the actuator 84 moves in a reverse direction to send down the lifter pin stand 81 integrally while supporting a peripheral part of the unprocessed substrate S with the supporting part 82. - 特許庁

リフト機構８では、アクチュエータ８４の作動によりリフタピンスタンド８１が上昇して支持部８２が基板受渡し位置Ｐ８１に位置決めされる。例文帳に追加

In a lift mechanism 8, a lifter pin stand 81 is raised by an actuator 84, and then a supporting part 82 is positioned at a substrate delivering position P81. - 特許庁

基板の載置機構における載置台に設けられたピン挿通孔とこのピン挿通孔内を昇降して載置台に対して基板の受け渡しを行うリフタピンとの隙間に、処理ガスの供給に伴う反応生成物が堆積することを抑えること。例文帳に追加

To prevent deposition of reaction products produced by the supply of treatment gas, in a gap between a pin through hole arranged on the mounting stand of a substrate mounting device, and a lifter pin going up and down through the pin through hole that delivers the substrate to the mounting stand. - 特許庁