レーザ光変調結晶の英語

移動ステージの基板とレーザ光源との間に、ビームプロファイル変調部を設置し、基板面におけるレーザ光のビームプロファイルを予め設定した目標と一致するように変調し、移動ステージを結晶領域に位置を合わせて動かしながら、この変調されたレーザ光を基板上の半導体層に照射して、結晶を横方向に成長させることにより、所望の結晶粒径に結晶化する。例文帳に追加

A beam profile modulation section is disposed between the substrate of a moving stage and a laser beam source, the beam profile of a laser beam on the substrate surface is modulated so as to match a preset target, the semiconductor layer on the substrate is irradiated with the modulated laser beam, and this allows the crystal to be grown in the lateral direction to achieve crystallization with the desired crystal grain size. - 特許庁

非単結晶半導体薄膜の結晶化領域に、光学変調素子で光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を照射して結晶化するレーザ照射工程と、結晶化された領域にフラッシュランプによる光照射して結晶化された領域を加熱する加熱工程とを包含する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device including a laser radiation process that radiates a laser beam of intensity distribution having the minimum intensity beam or the minimum intensity point optically modulated by an optical modulation element to the crystallized area of a non-single crystal semiconductor thin film to crystallize the same and a heating process that radiates light to the crystallized area by a flash lamp to heat the crystallized area. - 特許庁

非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上に絶縁膜として少なくとも酸化シリコン膜と酸窒化シリコン膜とを所定の膜厚に順次積層し、所定の光強度分布に位相変調した均一化レーザ光を絶縁膜の側から非単結晶半導体膜に照射する。例文帳に追加

As an insulating film, at least a silicon oxide film and a silicon nitride film are laminated, in the order to a laser beam incidence plane of a non-single-crystalline semiconductor film up to a prescribed thickness, and a uniform laser beam that is phase-modulated to a specific light intensity distribution is irradiated to the non-single-crystalline semiconductor film from the insulating film side. - 特許庁

基板１０５上に活性層を介してフォトニック結晶層１３０を有する面発光レーザであって、前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第１の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第２の周期構造とを有する。例文帳に追加

The surface emitting laser has a photonic crystal layer 130 on a substrate 105 via an active layer, wherein the photonic crystal layer has a first periodic structure that resonates at least in the direction of plane and a second periodic structure that modulates the intensity distribution of light in the direction of plane. - 特許庁

ガラス膜３にレーザ光５を入射させてその強度分布をガラス膜３で変調させて非晶質シリコン膜２に入射させ、非晶質シリコン膜を多結晶化させる。例文帳に追加

A laser beam 5 is made incident on the glass film 3, whose intensity distribution is modulated with the glass film 3 and made incident on the amorphous silicon film 2, so that the amorphous silicon film is poly-crystallized. - 特許庁

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−Ｖ族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導性、発光特性及び高速変調特性を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property. - 特許庁

自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特性、電気伝導性、発光特性、高速変調特性を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic. - 特許庁