二体ポテンシャルの英語

また、カーボンポテンシャル調節機構によって、浸炭室のカーボンポテンシャルを第一のカーボンポテンシャルよりも低い第二のカーボンポテンシャルに低下させ、第二のカーボンポテンシャルを所定の時間保持した状態で、被処理体に拡散処理を行う。例文帳に追加

Then, the carbon potential in the carburizing chamber is reduced to the second carbon potential lower than the first carbon potential by the carbon potential adjusting mechanism, and the second carbon potential is maintained for the predetermined time to allow the workpiece to be subjected to diffusion treatment. - 特許庁

（ａ）シミュレーション対象の材料を構成する粒子の二体間ポテンシャルΦを、ポテンシャルが最小となる距離に対応するパラメータｒ_０、ポテンシャルの形状を規定する少なくとも１つのパラメータＣ_０を用い、２つの粒子の中心間距離ｒの関数Φ（ｒ，ｒ_０，Ｃ_０）として決定する。例文帳に追加

(a) Potential Φ between the two bodies of particles configuring simulation target materials is determined as functions Φ(r, r_0, C_0) of an inter-center distance r of two particles by using a parameter r_0 corresponding to a distance minimizing the potential and at least one parameter C_0 specifying the shape of the potential. - 特許庁

ｐＨの大きさに応じて深さが変化するポテンシャル井戸２９を有し、このポテンシャル井戸２９に注入された電荷３１をそのときのポテンシャル井戸２９の大きさに応じた電荷に変換する複数の微小なｐＨセンサ６を半導体基板１７の表面に二次元的に配置するとともに、前記電荷を転送するＣＣＤ電荷転送部１２を前記複数のｐＨセンサ６に対応するように設けている。例文帳に追加

A plurality of fine pH sensors having potential wells 29 changed in depth corresponding to the magnitude of pH and converting the charge injected in the potential wells 29 into the charges corresponding to the sizes of the potential wells 29 at that time are two-dimensionally arranged on the surface of a semiconductor substrate 17 and CCD charge transfer parts 12 are provided corresponding to a plurality of the pH sensors. - 特許庁

（ｃ）新たなパラメータｒ_１とＣ_１とで定義される二体間ポテンシャルΦ（ｒ，ｒ_１，Ｃ_１）を用いてシミュレーションを行う。例文帳に追加

(c) Simulation is performed by using the inter-two body potential Φ(r, r_1, C_1) defined by the new parameters r_1 and C_1. - 特許庁

エミッタ部は、ポテンシャル障壁をなす第二の半導体１０２を含み、光照射手段１３０から光１３１が照射されたときにのみポテンシャル障壁を乗り越えてキャリアがキャリア走行部に放出される様に構成される。例文帳に追加

The emitter part includes a second semiconductor 102 composing a potential barrier and is configured so that only when the emitter part is irradiated with light 131 from a light irradiation means 130, the carrier is emitted to the carrier travel part beyond the potential barrier. - 特許庁

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。例文帳に追加

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5. - 特許庁

そして、目標関数の感度を導出し（ステップＳ２３）、また二重井戸型ポテンシャルｆ（φ）を導出して、反応拡散方程式を有限体積法により解く（ステップＳ２４）。例文帳に追加

A sensitivity of the target function is drawn out (step S23), a double well type potential f(ϕ) is drawn out, and reaction diffusion equation is solved by a finite volume method (step S24). - 特許庁