井戸幅の英語

量子井戸素子１１０は、入力される光信号を受信し、電気信号の振幅変化に応じて変調された光信号を供給する。例文帳に追加

The quantum well element 110 receives an input optical signal and supplies a light signal modulated according to the amplitude change of the electric signal. - 特許庁

面発光型半導体レーザにおけるＭＱＷ活性層４の井戸幅Ｈｂを４ｎｍ〜６ｎｍ、井戸数Ｗｎを１〜３のＩｎＧａＡｌＰ系量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層の上下層に形成されたＩｎＧａＡｌＰ系クラッド層と、前記クラッド層を介し、前記活性層の積層方向に形成された光反射層とを備える。例文帳に追加

The semiconductor for the laser comprises an MQW active layer 4 having an InGaAlP based quantum well structure of 4-6 nm well width Hb and 1-3 well number Wn and an InGaAlP based clad layer formed above and below the active layer, and a light reflecting layer formed in laminating direction of the active layer via the clad layer. - 特許庁

Ｓｂをサーファクタントとして用いて形成されたＧａＩｎＡｓＳｂ量子井戸層またはＧａＩｎＮＡｓＳｂ量子井戸層を有する半導体装置において、良好な発光強度と、発光スペクトルの半値幅と、所望の発光波長を実現する。例文帳に追加

To obtain good emission intensity, the half-value width of an emission spectrum and a desired luminescence wavelength, in a semiconductor device which has a GaInAsSb quantum well layer or a GaInNAsSb quantum well layer which are formed by using Sb as surfactant. - 特許庁

ここで、ＳＰＱＷとは、上側および下側のエネルギー状態がそれらの自然幅を超えて分離して各ＲＴ領域で相異なるミニバンドに寄与するほどに十分に薄い少なくとも１つの障壁層によって、複数のサブ井戸に分割された量子井戸をいう。例文帳に追加

Here, the SPQW is a quantum well which is divided into a plurality of sub-wells by at least one barrier layer which is so thin that the energy state on upper side and lower side is separated over its natural width, to contribute to different mini bands in respective RT regions. - 特許庁

ＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる引張り歪井戸層を有する半導体発光素子、もしくは、ＩｎＧａＡｓＰ系からなる引張り歪井戸層及びＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる障壁層を有する半導体発光素子であって、幅広い温度範囲においても高性能かつ高信頼な半導体発光素子の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor electroluminescent device with an InGaAlAs-based well layer having tensile-strain, or a semiconductor electroluminescent device with an InGaAsP-based well layer having tensile strain and with an InGaAlAs-based barrier layer, which is high-performance and high-reliability in a wide temperature range. - 特許庁

この量子細線チャネル12のソース側端とソース16の間、及びドレイン側端とドレイン17の間のチャネル部分を、量子細線12の幅寸法に比して拡幅した拡幅部22の量子井戸層23によるチャネルで構成する。例文帳に追加

The channels between the source side end of the quantum wire channel 12 and the source 16, and between the drain side end and the drain 17 are composed of channels composed of quantum well layers 23 of widening sections 22 widened as compared with the width dimension of the quantum wire 12. - 特許庁

多重量子井戸層１２のエッチング中に、絶縁体マスク１６の幅がエッチングにより細くなるので、所望の幅を有する量子細線１７が形成される。例文帳に追加

Since the width of the insulator mask 16 is reduced by etching while etching the multiple quantum well layer 12, the quantum wire 17 having a desired width is formed. - 特許庁

本発明の目的は、多量子井戸構造の電界吸収型光変調器を用いた光サンプリングにおいて高いＳ／Ｎ比と短いゲート幅を両立することにある。例文帳に追加

To make a high S/N ratio and a short gate width compatible in optical sampling using an electroabsorption type light modulator of a multiple quantum well structure. - 特許庁