交差成長の英語

凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor member having low dislocation density of a surface by preventing intersecting between crystal growth from a convex portion of a substrate having unevenness and crystal growth from a concave portion. - 特許庁

また、好適には、エピタキシャル成長させる化合物半導体層の膜厚より深い溝深さの複数本の第２の溝４８を、相互に平行に、かつ第１の溝に交差する方向でウエハの成膜基板面に形成する。例文帳に追加

Preferably, a plurality of the second grooves 48 having a larger groove depth than the thickness of the compound semiconductor layer to be epitaxially grown are further formed in parallel to each other on the surface of the film-forming substrate of the wafer in the direction crossing the first grooves. - 特許庁

第１のエッチングによる開口部T１と第２のエッチングによる開口部T２が交差する部分の開口部Tにのみ現れる基板10の表面に、選択エピタキシャル成長により半導体層を成長させ、最後に半導体装置表面を平坦化する。例文帳に追加

A semiconductor layer is grown by selective epitaxial growth on a surface of a substrate 10 appearing on only an opening part T of a part in which an opening part T1 due to the first etching and an opening part T2 due to the second etching intersect, and finally a semiconductor device surface is flattened. - 特許庁

分子線結晶成長装置１１では、粒子ビーム源１５ａ、１５ｂのための供給軸Ｍａ、Ｍｂは、基板ホルダ４１の第１の領域４１ａと交差しており、また複数の窒素源装置１７ａ、１７ｂのための供給軸Ｎａ、Ｎｂは、基板ホルダ４１の第１の領域４１ａと異なる第２の領域４１ｂと交差している。例文帳に追加

In the molecular beam crystal apparatus 11, the supplying axes Ma, Mb for the particle beam sources 15a, 15b cross a first region 41a of a substrate holder 41, and the supplying axes Na, Nb for the plurality of the nitrogen source devices 17a, 17b cross a second region 41b of the substrate holder 41 different from the first region 41a. - 特許庁

二次再結晶開始温度に達した時点で温度勾配が鋼帯コイルに付与されていれば、二次再結晶粒が圧延方向と交差する歪付与領域に沿って成長し、歪取り焼鈍でも消失しない磁区細分化効果が得られる。例文帳に追加

According to give the temperature gradient to a steel strip coil at the time of reaching to the starting temperature of a secondary recrystallization, the secondary recrystallized grains are grown along the strain-giving region crossed with the rolling direction, and thus the subdividing effect, that the magnetic domain does not dissipate even after performing the strain-removal annealing, is obtained. - 特許庁

コンタクトブロック１，２の対向面１ａ，２ａを起点として、互いの対向面に向かってそれぞれ複数本のＣＮＴ３ａ，３ｂを成長させてゆき、ＣＮＴ３ａ，３ｂを交差するように接触させて両者を電気的に接合してＣＮＴ束３を形成する。例文帳に追加

With counter surfaces 1a and 2a of contact blocks 1 and 2 as starting points, a plurality of CNT3a and 3b are made to grow toward the counter surface, respectively, so that the CNT 3a and 3b contact to cross each other, jointing both of them electrically, to form a CNT bundle 3. - 特許庁

この方法は、上部表面がｃ面に対して一定の交差角をなす非極性または半極性の結晶面を有するＧａＮ基板上に窒化物半導体層を成長させ、前記窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルを形成することを含む。例文帳に追加

The method includes growing a nitride semiconductor layer on a GaN substrate having a non-polar or semi-polar crystal plane, the upper surface of which has a predetermined angle of intersection with respect to the c plane, patterning the nitride semiconductor layer, and forming light emitting cells separated from one another. - 特許庁