化学レーザーの英語

ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＦ_2エキシマレーザーに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、解像度およびＬＥＦ耐性に優れた感放射線性樹脂組成物、およびこの感放射線性樹脂組成物に使用できる共重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in resolving power and LEF resistance as a chemically amplified photoresist responding to far-ultraviolet radiation represented by KrF excimer laser, ArF excimer laser and F_2 excimer laser, and a copolymer which can be used for the radiation-sensitive resin composition. - 特許庁

ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線やＦ_２エキシマレーザー等の真空紫外線を用いる、微細加工に有用な化学増幅型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a chemically amplified resist composition useful in microfabrication using far UV such as KrF or ArF excimer laser or vacuum UV such as F_2 excimer laser. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線の如き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition suitable as a chemically-amplified resist useful for microfabrication utilizing various types of radiation such as deep ultraviolet rays represented by a KrF excimer laser or ArF excimer laser. - 特許庁

前記局所的レーザー化学気相成長法には４００ｎｍ以下の波長域を含む光照射を利用することが望ましい。例文帳に追加

The above laser beam to be used for irradiation in a local laser beam chemical vapor growth method preferably includes wavelengths of 400 nm or lower. - 特許庁

Ｆ_2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）における透過率が高い化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition which has high transmittance at 157 nm of a F2 excimer laser. - 特許庁

本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。例文帳に追加

A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed. - 特許庁

基材上にその化学構造にナフタレン環以外の芳香族環を含まないフォトクロミック材料を含む感光層を有する構造にして、ＡｒＦレーザー光が吸光度を小さくし、感光層内部までレーザー光が到達し、露光されるようにする。例文帳に追加

On a base material, a photosensitive layer is formed which includes a photochromic material having no aromatic ring except a naphthalene ring in its chemical structure, and the ArF laser light decreases the absorptivity and reaches even the inside of a photosensitive layer to be exposed. - 特許庁

ビアホール形成用の孔開口端に発生するドロスの除去を物理研磨や化学研磨等の専用工程を用いることなくレーザードリル加工で行う多層配線基板及びその製造方法、並びにレーザードリル装置を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer wiring substrate and its manufacturing method, and a laser drill device for removing dross generated in a hole opening end for via hole formation by means of laser drill processing, without having to use special processes such as physical polishing and chemical polishing. - 特許庁