「化学レーザー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＦ_2エキシマレーザーに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、特にＫｒＦエキシマレーザーに対するプロセスマージンに優れる。例文帳に追加

To provide a positive type radiation-sensitive resin composition suitable as a chemically-amplified resist sensitive to active radiation particularly to far ultraviolet rays represented by a KrF excimer laser, an ArF excimer laser or an F_2 excimer laser, excelling particularly in a process margin for the KrF excimer laser. - 特許庁

活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_2 エキシマレーザーあるいはEUVに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、高解像度で、放射線透過率が高い感放射性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having a high resolution and a high radiation transmittance as a chemically amplified resist sensitive to an actinic radiation such as KrF excimer laser, ArF excimer laser, F_2 excimer laser or far UV typified by EUV (extreme-ultraviolet radiation). - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＦ_2エキシマレーザーに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、解像度およびＬＥＦ耐性に優れた感放射線性樹脂組成物、およびこの感放射線性樹脂組成物に使用できる共重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in resolving power and LEF resistance as a chemically amplified photoresist responding to far-ultraviolet radiation represented by KrF excimer laser, ArF excimer laser and F_2 excimer laser, and a copolymer which can be used for the radiation-sensitive resin composition. - 特許庁

ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線やＦ_２エキシマレーザー等の真空紫外線を用いる、微細加工に有用な化学増幅型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a chemically amplified resist composition useful in microfabrication using far UV such as KrF or ArF excimer laser or vacuum UV such as F_2 excimer laser. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線の如き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition suitable as a chemically-amplified resist useful for microfabrication utilizing various types of radiation such as deep ultraviolet rays represented by a KrF excimer laser or ArF excimer laser. - 特許庁

前記局所的レーザー化学気相成長法には４００ｎｍ以下の波長域を含む光照射を利用することが望ましい。例文帳に追加

The above laser beam to be used for irradiation in a local laser beam chemical vapor growth method preferably includes wavelengths of 400 nm or lower. - 特許庁

Ｆ_2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）における透過率が高い化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition which has high transmittance at 157 nm of a F2 excimer laser. - 特許庁

本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。例文帳に追加

A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed. - 特許庁

基材上にその化学構造にナフタレン環以外の芳香族環を含まないフォトクロミック材料を含む感光層を有する構造にして、ＡｒＦレーザー光が吸光度を小さくし、感光層内部までレーザー光が到達し、露光されるようにする。例文帳に追加

On a base material, a photosensitive layer is formed which includes a photochromic material having no aromatic ring except a naphthalene ring in its chemical structure, and the ArF laser light decreases the absorptivity and reaches even the inside of a photosensitive layer to be exposed. - 特許庁

ビアホール形成用の孔開口端に発生するドロスの除去を物理研磨や化学研磨等の専用工程を用いることなくレーザードリル加工で行う多層配線基板及びその製造方法、並びにレーザードリル装置を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer wiring substrate and its manufacturing method, and a laser drill device for removing dross generated in a hole opening end for via hole formation by means of laser drill processing, without having to use special processes such as physical polishing and chemical polishing. - 特許庁

ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子薄膜製造方法。例文帳に追加

The method of producing a polyperinaphthalene-based polymer thin film comprises chemical vapor deposition of polyperinaphthalene or a polyperinaphthalene derivative on the substrate surface by a laser ablation method using a perylene derivative as a raw material target and applying an extra short pulsed laser. - 特許庁

マトリックス支援レーザー脱離イオン化−飛行時間質量分析計による表面分析方法において、試料の表面にマトリックスを真空蒸着した後に紫外線レーザーを照射してイオン化を行って試料表面の化学物質に関連するマススペクトルを得る。例文帳に追加

In this surface analyzing method by means of the matrix assist laser deionization time-of-flight mass spectrometer, after vacuum deposition of a matrix on the sample surface, ionization is carried out by ultraviolet laser irradiation for providing a mass spectrum about a chemical substance on the sample surface. - 特許庁

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ2レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性を達成すると共に、マスク被覆率依存性を低減し、更には液浸露光にも適用可能な化学増幅型レジスト材料に好適に用いられる新規な含窒素有機化合物の提供。例文帳に追加

To provide a new nitrogen-containing organic compound suitably used for a chemically-amplified resist material applicable to immersion exposure that gives a high-resolution image and reduces dependence on mask coverage in photolithography for microfabrication, especially in lithography using as a light source a KrF laser, an ArF laser, an F2 laser, extremely-short ultraviolet rays, an electron beam, X-rays and the like. - 特許庁

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ_２レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性と共に、基板界面においても良好なパターン形状を与える化学増幅レジスト材料等のレジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist material such as a chemically amplified resist material for providing an excellent pattern profile even at a substrate interface, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F_2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a pattern forming method utilizing the resist material. - 特許庁

活性放射線、例えば、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーもしくはＦ_２ エキシマレーザー、ＥＵＶに代表される遠紫外線、もしくは電子線などに感応する化学増幅型レジストとして、解像度、環境耐性に加え、保存安定性に優れる感放射性組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive composition excellent in storage stability as well as in resolution and environmental resistance as a chemical amplification type resist sensitive to active radiations, e.g. UV rays such as g- or i-line, KrF, ArF or F_2 excimer laser light, far UV typified by EUV (extreme-ultraviolet radiation) or an electron beam. - 特許庁

活性放射線、例えば、ｇ線、ｉ線等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーもしくはＦ２エキシマレーザー、ＥＵＶに代表される遠紫外線、もしくは電子線などに感応する化学増幅型レジストとして、解像度、環境耐性に加え、保存安定性に優れる感放射性組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive composition which is excellent in resolution, environmental durability and storage stability as a chemically amplified resist sensitive to active radiation, for example, ultraviolet radiation such as g-line or i-line, far-ultraviolet radiation typified by KrF excimer laser, ArF excimer laser or F2 excimer laser, and EUV (Extreme Ultra Violet), or electron beam or the like. - 特許庁

材料にレーザー光を照射することによってこの材料から化学種を発生させる化学種発生部２と、化学部発生部２で発生した化学種を吐出するノズル部３と、ノズル部３と化学種が配置される基体との相対的な位置を移動させる可動機構１５とを備えたパターニング装置１。例文帳に追加

A patterning unit 1 is equipped with a chemical seed generating unit 2 which generates chemical seeds from material by irradiating it with a laser beam, a nozzle unit 3 which discharges the chemical seeds generated by the chemical seed generating unit 2, and a movable mechanism 15 which moves the nozzle unit 3 relatively to a base where the chemical seeds are disposed. - 特許庁

ガス混合物（１０８）の現場の非制限流路を介して光束（１０６）を拡張する少なくとも１つのレーザー装置（１０４）と、各レーザー装置（１０４）に結合され、ガス混合物（１０８）中の少なくとも１つの化学種の複数の経時動的測定値を収集する測定装置（１１０）とを含むシステムにより、化学種の現場測定を実施する。例文帳に追加

The in-situ measurement of a chemical species is executed by a system including at least one laser device (104) for extending a light flux (106) through the non-restrictive flow path of in-situ of the gas mixture (108) and a measuring device (110) which is connected to each laser device (104) and collects a plurality of dynamic measurements over time of at least one chemical species in the gas mixture (108). - 特許庁

新規なスルホニウム塩を提供するとともに、これと樹脂成分とを含有し、エキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度やプロファイルに優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a new sulfonium salt, and a chemically amplified positive- type resist composition containing the sulfonium salt and a resin component, suitable for excimer laser lithography and having excellent resolution and profile. - 特許庁

体積型ホログラムにレーザー光を照射することにより物理的あるいは化学的に改質して、文字、数字、絵柄、バイオメトリックス情報等の個別情報を記録して体積型ホログラムのセキュリティ性を高める。例文帳に追加

To enhance the security of a volume hologram by recording the individualized information such as the information of characters, numerals, patterns and biometrics by modifying a volume hologram physically or chemically by the irradiation of a laser light. - 特許庁

未硬化混合材の塗布前に、コンポジットのポリテトラフルオロエチレン部分の結合面をエッチング（化学的エッチング、電子-ビームエッチング、レーザーエッチング、又はプラズマエッチング）する。例文帳に追加

A bonding plane of a polytetrafluoroethylene part of the composite is etched (chemical etching, electron beam etching, laser etching, or plasma etching), before an uncured mixed material is coated thereto. - 特許庁

ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、解像度、感度の性能バランスに優れた特性を有する組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification positive resist composition suitable for the lithography by excimer laser such as ArF and KrF laser and having the characteristics with excellent performance balance of resolution and sensitivity. - 特許庁

得られた微粒子パターンを用いて単一電子素子、パターンドメディア、化学センサ、量子ドットレーザー素子、フォトニック結晶光学デバイスを作製する。例文帳に追加

Single electron elements, patterned media, chemical sensors, quantum dot laser elements and photonic crystal optical devices are prepared by using the resultant fine particle patterns. - 特許庁

上記板の表面は、電気化学的エッチング処理又はレーザーショット加工処理を含む電気的微粒子の照射手段又は物理的微粒子の照射手段による処理により粗面化することができる。例文帳に追加

The surface of the plate can be roughened by a process made by an irradiating means for electric particulates or an irradiating means for physical particulates including electrochemical etching process or a laser shot processing. - 特許庁

ＡｒＦエキシマーレーザー光に対する透明度が優れ解像度及び感度特性が優れているだけでなく、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性、及び現像性などが優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type resist composition excellent in adhesiveness to a substrate, dry etching resistance and developability as well as in transparency to ArF excimer laser light, resolution and sensitivity characteristics. - 特許庁

得られた微粒子パターを用いて単一電子素子、パターンドメディア、化学センサ、量子ドットレーザー素子、フォトニック結晶光学デバイスなどを作製する。例文帳に追加

A single electron element, a patterned medium, a chemical sensor, a quantum dot laser element and a photonic crystal optical device are prepared by using the resultant fine particle patterns. - 特許庁

Ｃｕ 残膜に対し化学溶液（加工液）中でレーザー照射することにより、銅を除去加工し、非接触で平坦化加工を行うことを目的としている。例文帳に追加

To carry out a removal working of copper and to carry out a flattening working by non-contacting by carrying out a laser irradiation to a Cu remaining film in chemical solution (working liquid). - 特許庁

可視域に、特にアルゴンレーザー光（４８８ｎｍ又は５１４ｎｍ）に分光感度を持ち、作業性を向上できる化学増幅系フォトレジストの一成分系光酸発生剤を提供するものである。例文帳に追加

To provide a photo acid generator, one component of a chemical amplification photo resist which has spectral sensitivity in the visible light region, especially argon laser light (488 nm or 514 nm) and can improve workability. - 特許庁

特にＡｒＦエキシマレーザーに代表される遠紫外線に対する感度、解像度が優れ、パターン形状等にも優れる新規な化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition having excellent sensitivity and resolution for far UV rays as typified by an ArF excimer laser, excellent in the pattern profile or the like, and suitable as a chemically amplifying resist. - 特許庁

溶解コントラストを大きくすることにより、解像性を向上させ、かつドライエッチング耐性を向上させたＡｒＦエキシマレーザー用化学増幅系レジストを提供する。例文帳に追加

To provide a chemically sensitizing resist for an ArF excimer laser in which resolution is improved by increasing the solubility contrast and dry etching resistance is improved. - 特許庁

リソグラフィーのような複雑で化学的な加工プロセスを使用することなく、且つ従来のレーザー加工に見られた熱の発生を伴わないナノメートルオーダー精度の、かつ安定した３次元微細加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a stable three-dimensional microfabrication method in the precision of a nanometer order without using a complicated chemical machining process such as lithography and also without being accompanied with the generation of heat as shown in conventional laser beam machining. - 特許庁

該化合物は下記の一般化学構造式を有し、該化合物(染料)を含む記録層により、波長530nmに超えない短波長レーザー光源を用い、高密度情報の記録が可能となる。例文帳に追加

This organic compound has a general chemical structural formula of the figure, and it becomes possible to record the high density information with the recording layer containing the compound (the dyestuff) by using the short wave length laser light source having <530 nm wave length. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適し、特に、ラインエッジラフネスが良好であり、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography, in particular, giving preferable line edge roughness and capable of giving finer patterns by a reflow step. - 特許庁

前記微粒子パターン形成方法を用いた単電子素子、磁気記録媒体、化学センサ、量子ドットレーザー素子、フォトニック結晶光学デバイスの製造方法。例文帳に追加

The method for producing a single electron device, a magnetic recording medium, a chemical sensor, a quantum dot laser device or a photonic crystal optical device using the microparticle pattern forming method is also provided. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザーを用いて０．１５〜０．２２μｍのような微細なレジストパターンを形成する際に、優れた感度、解像度を示し、かつ断面形状の良好なパターンを与える化学増幅型ホトレジストを提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified photoresist which exhibits excellent sensitivity and resolution and gives a pattern having a good section shape when a fine resist pattern of 0.15-0.22 μm is formed using a KrF excimer laser. - 特許庁

ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適し、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特にラインエッジラフネスに優れる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification-type positive resist composition suitable for excimer laser lithography by ArF, KrF or the like, having various kinds of good resist properties such as sensitivity and resolution, and especially providing excellent line edge roughness. - 特許庁

外科手術的な手法（化学的でない）により、すなわちフェムト秒レーザー光により直接接続することによりＣＮＴを１ｍ以上の長さにする。例文帳に追加

A length of ≥1 m is imparted to a CNT by a surgical method (which is not chemical), that is, by direct connection with a femtosecond laser light. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、ラインエッジラフネスが良好で、パターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography, giving particularly excellent line edge roughness, and capable of giving finer patterns. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適し、特に、ラインエッジラフネスが良好であり、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物の提供。例文帳に追加

To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography, especially having good line edge roughness and giving a finer pattern in a reflow process. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、特に、ラインエッジラフネスが良好である化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography and good in properties such as resolution, sensitivity and a pattern form, and also line edge roughness, in particular. - 特許庁

レーザー光の持つ高い加工特性を利用して、植物細胞壁を構成する生体高分子の化学結合を切断し、外来物質を導入する方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for introducing an exogenous substance, capable of introducing the exogenous substance into a living cell, by utilizing high working characteristics which the laser beam has so as to break chemical bonds of a biopolymer which forms a plant cell wall. - 特許庁

光学成形体にレーザー光を照射し、照射した領域に非共鳴多光子励起による光化学反応を誘起することにより屈折率を変化させる方法からなる。例文帳に追加

This manufacturing method comprises irradiating the optical formed body with a laser beam, inducing a photochemical reaction by non- resonant multiphoton excitation onto an irradiated area and changing a refractive index. - 特許庁

ＫｒＦおよびＡｒＦ、Ｆ_２エキシマレーザー用レジスト原料や、Ｘ線、電子ビーム、ＥＵＶ（極端紫外光）用化学増幅型レジスト等の原料となるアクリレート化合物を提供する。例文帳に追加

To provide an acrylate compound that can be used as a resist raw material for KrF, ArF and F_2 excimer laser, and a chemical amplifying resist for an X-ray, an electron beam and an EUV (extreme ultraviolet light) or the like. - 特許庁

パターン制御性、パターン精度及び生産性に優れた微粒子パターン形成方法および単電子素子、磁気記録媒体、化学センサ、量子ドットレーザー素子、フォトニック結晶光学デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a microparticle pattern excellent in pattern controllability, pattern accuracy and productivity; and to provide a method for producing a single electron device, a magnetic recording medium, a chemical sensor, a quantum dot laser device or a photonic crystal optical device. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザーを用いて０．１５〜０．２２μｍのような微細なレジストパターンを形成する際に、優れた感度、解像度を示し、かつ断面形状の良好なパターンを与える化学増幅型ホトレジストを提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified photoresist which exhibits excellent sensitivity and resolution and gives a pattern having a good section shape when such a fine resist pattern as a pattern with 0.15-0.22 μm fineness is formed using a KrF excimer laser. - 特許庁