「化学レーザー」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

可視のレーザーによるテトラジン化合物の同位体選択的な光分解反応、あるいは赤外レーザーによるニトロ化合物、イソニトリル化合物、アミン化合物などの同位体選択的な赤外多光子反応を用い、^１４Ｎを含む分子を反応に導き、未反応の化合物中の^１５Ｎをさらに高濃縮化する光化学的方法である。例文帳に追加

The method is a photochemical method for highly concentrating ^15N in an un-reacted compound by introducing molecules containing ^14N into reaction and is carried out by isotope-selective photolytic reaction of a tetrazine compound with visible laser or by isotope-selective infrared multi-photon reaction of a nitro compound, an isonitrile compound, or an amine compound with infrared laser. - 特許庁

シリコン基板の表面にレーザー光を照射することで溝を形成する工程と、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする表面凹凸構造の作製方法により上記課題を解決する。例文帳に追加

This manufacturing method of the surface rugged structure comprises a process for forming grooves by irradiating the surface of a silicon substrate with a laser beam, and a process for forming the ruggedness on the silicon substrate by selectively etching the grooves by chemical etching. - 特許庁

化学増幅型レジストとして、特にＫｒＦエキシマレーザーなどの放射線に対する透明性、解像度、感度、耐熱性、プラズマエッチング耐性に優れ、矩形なフォトレジストパターンを再現性良く形成する特徴をもつフォトレジストの製造を可能にする樹脂を提供する。例文帳に追加

To provide a resin permitting manufacture of a photoresist having excellent transparency to radiations, especially KrF excimer lasers, resolution, sensitivity, heat resistance and plasma etching resistance as a chemical sensitization type resist and giving rectangular photoresist patterns with high reproducibility. - 特許庁

容器１４内に配置したカーボンナノチューブの原料１５に、紫外領域以下の短い波長のレーザーを照射してカーボンナノチューブの原料１５に光化学アブレーションを起こして、カーボンナノチューブを生成する。例文帳に追加

A raw material 15 for carbon nanotubes which is placed in a container 14 is irradiated with a laser having a wavelength equal to or shorter than that in the ultraviolet range; thus, photochemical ablation is caused in the raw material 15 to form a carbon nanotube. - 特許庁

新規な塩と樹脂成分を含有し、エキシマレーザーリソグラフィに適した、レジスト性能が良好であるとともに、改善されたラインエッジラフネスを与え、かつパターンプロファイルの良好な化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type resist composition containing a new salt and a resin composition, having a good resist performance suitable for an excimer laser lithography, giving an improved line edge roughness and having a good pattern profile. - 特許庁

ホログラム記録層以外の層にレーザー光を照射することによりその層を物理的あるいは化学的に改質して、文字、数字、絵柄、バイオメトリックス情報等の個別情報を記録してホログラムのセキュリティ性を高め、複製防止をする。例文帳に追加

To increase security of a hologram and prevent copying by irradiating a layer, other than a hologram recording layer with laser light, to physically or chemically modify the layer and record individual information, such as characters, numbers, figures and biometrics information. - 特許庁

樹脂成分と酸発生剤を含有し、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、解像度、感度の性能バランスに優れ、高いドライエッチング耐性を有する組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type positive type resist composition containing a resin component and an acid generator, suitable for excimer laser lithography using ArF, KrF or the like, excellent in performance balance of resolution and sensitivity and having high dry etching resistance. - 特許庁

次いで、被覆をより親水性にし、その表面上の接触抵抗をさらに低減させる表面形態を与えるために、カーバイド被覆５０、５２は、レーザーエッチングまたは化学的エッチングなどの適切な方法によって研磨されるかまたはテクスチャード加工される。例文帳に追加

The carbide coating is then polished or textured by a suitable process, such as laser etching, chemical etching or the like, to provide a surface morphology which makes the coating more hydrophilic, and further reduces a contact resistance on its surface. - 特許庁

少なくとも脂環式アクリル系樹脂と光酸発生剤とを含むＡｒＦエキシマレーザー用化学増幅系レジストにおいて、水添加ビスフェノール誘導体、特に極性が変化する保護基を有する水添加ビスフェノール誘導体を混合する。例文帳に追加

This chemically sensitizing resist is prepared by mixing a water- added bisphenol deriv., especially a water-added bisphenol deriv. having protective groups which change the polarity in a chemically sensitizing resist for an ArF excimer laser containing at least an alicyclic acrylic resin and a photoacid producing agent. - 特許庁

ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善された感度を与える化学増幅型のポジ型レジスト組成物及び該組成物に好適に用いられるアクリル樹脂を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification-type positive resist composition satisfying various resist performances such as resolution, especially giving improved sensitivity and suitable to lithography by an excimer laser such as ArF and KrF, and to provide an acrylic resin suitably used for the composition. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性が高く、かつ優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示すとともに、アルカリに対する親和性が高く、パドル現像により良好なレジストパターンを与えうる化学増幅型ホトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern shape, dry etching resistance and adhesion, having a great affinity for an alkali and capable of giving a good resist pattern by paddle development. - 特許庁

樹脂成分と酸発生剤を含有し、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、解像度、感度等の性能バランスに優れ、改善されたラインエッジラフネスを与えるレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type positive type resist composition containing a resin component and an acid generator, suitable for ArF or KrF excimer laser lithography, excellent in balance of performances such as resolution and sensitivity and giving improved line edge roughness. - 特許庁

多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。例文帳に追加

At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid. - 特許庁

樹脂と酸発生剤を含有し、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善されたラインエッジラフネスを与えるポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type positive type resist composition, containing a resin and an acid generating agent, suitable for excimer laser lithography using ArF, KrF or the like, having satisfactory resist performances, such as sensitivity and resolution and giving improved line edge roughness. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、アルカリ現像性や基盤密着性に優れた樹脂組成物の原料化合物を良好な収率で簡便に製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing simply with an excellent yield, a raw material compound of a resin composition which is excellent in alkali-developability and adhesiveness to a base, as a chemical amplification type resist sensing a far-infrared ray of a KrF excimer laser or the like. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、ラインエッジラフネスが良好であるレジスト組成物、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition which is suitable for ArF excimer laser lithography and has preferable line edge roughness in addition to performances such as resolution, sensitivity and a pattern shape, and to provide a chemically amplified positive resist composition in which the pattern can be more finely divided in a reflow process. - 特許庁

放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザーを用いて微細なレジストパターンを形成する際に、優れた感度、解像度を示し、かつ断面形状の良好なパターンを与える化学増幅型ポジ型ホトレジストの樹脂成分として好適な樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a resin composition suitable for use as the resin component of a chemical amplification type positive type photoresist which exhibits superior sensitivity and resolution and gives a pattern having a good cross-sectional shape when a fine resist pattern is formed using radiation, e.g. KrF excimer laser light. - 特許庁

（ａ）レーザーにより管状体の表面にパターンを形成するとともにストラット１ａの断面を略正方形になるように加工する工程、（ｂ）前記ストラット１ａ断面を化学研磨により略円形に形成する工程、例文帳に追加

And the method of manufacturing the stent comprises a process of forming patterns on the surface of a tubular body with laser beams and shaping the section of the strut 1a nearly into a square and a process of shaping the section of the strut 1a nearly into a circle by chemical polishing. - 特許庁

紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。例文帳に追加

To provide: a new photoacid generator, suitable as a photoacid generator of a resist material, that controls elution in water especially in ArF immersion exposure, suppresses formation of foreign matter characteristic of immersion exposure, satisfies problems of density dependency and exposure margin, is effectively used, etc.; a resist material using the generator; and a pattern forming method. - 特許庁

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、エッチング速度が速く、かつドライエッチングを実施した後のサンプル表面の荒れが改善された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type resist composition which exhibits sufficient transmissivity when an exposure light source for F_2 excimer laser light (157 nm) is used, has a fast etching speed, and improves roughness of a sample surface after dry etching, and to provide a pattern forming method using the same. - 特許庁

化学増幅型レジストとして特にＫｒＦエキシマレーザーなどの放射線に対する透明性、耐ドライエッチング性に優れ、さらに解像度、感度、耐熱性、広いフォーカスマージン、広い露光マージンなど優れた特徴をもつフォトレジストの製造を可能にする樹脂を提供する。例文帳に追加

To provide a resin which makes it possible to produce such a photoresist having excellent transparency and dry etching-proof property as a chemical amplification resist for a radiation, especially for KrF excimer laser, etc., and further having excellent characteristics in resolution, sensitivity, heat resistance, wide focus margin and wide exposure margin etc. - 特許庁

優れた透明性と高いドライエッチング耐性とを有し、有機溶媒に対する溶解性にも優れた重合体、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適な化学増幅型レジスト組成物、および、この化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polymer which has excellent transparency, excellent dry etching resistance and excellent solubility in organic solvents, to provide a chemical amplification type resist composition suitable for far infrared light excimer laser lithography, electron beam lithography and the like, and to provide a method for forming a pattern with the chemical amplification type resist composition. - 特許庁

２５０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適な化学増幅型レジスト組成物、より具体的には１５７ｎｍの光源使用時の感度、溶解コントラストに優れており、尚且つ、現像欠陥、疎密依存性が改良された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified resist composition suitable for use of an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to more specifically provide a chemically amplified resist composition excellent in sensitivity and dissolution contrast when using a light source of 157 nm and improved in development defects and density distribution dependency, and a pattern forming method using the same. - 特許庁

薬剤と相互作用して薬剤と複合体を形成し得る正電荷を有する物質で薬剤を化学修飾し、該化学修飾した薬剤を細胞の近傍に集積させ、該細胞の近傍に配置した光吸収体へレーザー光を照射し誘起された応力波を細胞へ適用することを含む、薬剤を細胞内に導入する方法。例文帳に追加

The method for introducing a medicine to cells comprises chemically modifying a medicine with a positive charge-having substance which has an interaction with the medicine to form a complex with the medicine, accumulating the chemically modified substance in the vicinity of cells, irradiating a light absorption body arranged in the vicinity of the cells with a laser beam and applying an induced stress wave to the cells. - 特許庁

本発明の目的は、１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適な化学増幅型樹脂組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に優れた感度及びラインエッジラフネス特性両立する化学増幅型樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplifying resin composition suitable for a time when an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F_2 excimer laser light (157 nm) is used, and specifically, to provide a chemically amplifying resin composition compatible with both excellent sensitivity and line edge roughness characteristics when a light source at 157 nm is used. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーの波長１９３ｎｍを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、標準現像液である２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a negative pattern which is transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser light, which has a chemical structure with high durability against dry etching and shows excellent resolution without swelling in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a standard developer. - 特許庁

２成分系分解性窒化物セラミックスあるいは窒化物半導体のパルスレーザー蒸着において、ターゲットの化学量論比に近い薄膜を形成させることができ、且つ、生成膜への不純物混入を極力抑えることができる、アブレーション放出イオンを用いた良質の窒化物薄膜を作製する方法および作製装置並びに窒化物薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for producing a nitride thin film for producing a high-quality nitride thin film using ablation released ions, by which a thin film close to the stoichiometric ratio of a target can be formed in pulse laser vapor deposition of a two-component decomposable nitride ceramic material or a nitride semiconductor, and intrusion of impurities into a produced film can be suppressed as far as possible, and to provide the nitride thin film. - 特許庁

試料の前処理工程が簡略化され、しかも、各種の表面に付着したブリード物質や汚染物質の分子量および化学構造情報を正確に得ることが出来る、マトリックス支援レーザー脱離イオン化−飛行時間質量分析計（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ）による表面分析方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface analyzing method by means of a matrix assist laser deionization time-of-flight mass spectrometer(MALDI-TOF-MS) capable of simplifying a sample pretreatment process and accurately providing a molecular weight and chemical structure information about various kinds of bleeding substances or pollutant sticking on the surface. - 特許庁

樹脂成分と酸発生剤を含有し、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度、基板への接着性などの各種レジスト性能が良好であるとともに、プロファイルの形状に優れるレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition, having proper various resist performances, such as sensitivity, resolution and adhesiveness with respect to substrate and superior profile shape as a chemical amplification type positive resist composition, containing a resin and an acid generating agent and suitable for lithography with an excimer laser, such as ArF or KrF. - 特許庁

ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル重合単位又は（メタ）アクリル酸３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル重合単位を有する樹脂を用いても溶解性に優れたレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition which is a chemically amplifying positive resist composition suitable for excimer laser lithography using ArF, KrF or the like and which has excellent solubility even when a resin having a 3-hydroxy-1-adamantyl (meth)acrylate polymer unit or a 3,5-dihydroxy-1- adamantyl (meth)acrylate polymer unit is used. - 特許庁

活性光線、例えばＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線等に感応し、放射線に対する透明性、感度、解像度、パターン形状等の基本物性を損なわずに、パターン表面の平滑性に優れ、かつ基板上でのパターン倒れが改善された化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition having sensitivity to active light rays such as far-ultraviolet light represented by an ArF excimer laser, for example, superior in the flatness of a pattern surface without impairing fundamental material properties such as transparency to radiation, sensitivity, a resolution, and a pattern shape, and useful as a chemical amplification type resist which is improved against pattern collapse on a substrate. - 特許庁

（ｉ）特定の化学構造式を有し、（ｉｉ）レーザー回折散乱法により測定された平均粒子径が０.２〜２μであり、（ｉｉｉ）ＢＥＴ法により測定された比表面積が１〜５０ｍ^２／ｇであり、（ｉｖ）Ｎａ金属に換算して０．０６重量％以下含有し、（ｖ）珪素化合物、リン酸化合物および硼素化合物よりなる群から選ばれた少なくとも1種が、それぞれＳｉ、ＰおよびＢ原子に換算して０．０５重量％〜３重量％表面に存在する。例文帳に追加

The halogen-containing resin/rubber composition comprises the acid acceptor. - 特許庁

短波長レーザーをはじめとするオプトエレクトロニクス、エレクトロニクス、生化学的センサー等への応用が期待される単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブの製造方法であって、サブマイクロメートルの直径を有する中空構造又はこの中空構造に別の材料が充填され得る、単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal zinc selenide submicrometer tube having a hollow structure having a diameter of submicrometer or a hollow structure wherein other material can be filled in a manufacturing method of the single crystal zinc selenide submicrometer tube expected to be applied to optoelectronics, electronics, a biochemical sensor or the like including a short wavelength laser and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、レジストとしての基本物性を損なわずに、解像度やラインエッジラフネスの向上を達成しうるアルカリ現像性や基盤密着性に優れた機能性樹脂組成物およびその原料であるアダマンタン誘導体の提供。例文帳に追加

To provide a functional resin composition which is so excellent in alkali developability and adhesion to a substrate as to improve resolution and line edge roughness as a chemically amplified resist sensitive to far-ultraviolet radiation typified by ArF excimer laser, without deteriorating basic physical properties as the resist, and an adamantane derivative which is a starting material thereof. - 特許庁

局所的レーザー化学気相成長法を、光学部品としてのシリカガラス微小球２０同士の僅かな空間で誘起させることにより、隣接したシリカガラス微小球同士を、シリカガラス膜等の光学部品と同一もしくは類似の材料、あるいは同一もしくは類似の屈折率の材料で接着することが可能となる。例文帳に追加

This bonding method can adhesively bond adjacent optical parts to each other with the same material as or a similar material to that of optical parts such as a silica glass film, or with a material having the same or similar refractive index, by inducing local laser-beam chemical vapor growth in a narrow space between the silica glass microglobules 20 of the optical parts. - 特許庁

バリアメタルとして窒化タンタル膜を用い、化学機械研磨により半導体装置を製造する工程において、ラマン分光装置２３から出射されたレーザー光をウェハー２２に照射し、タンタルと窒素との結合に由来する１８０〜２００ｃｍ^-1のラマンピークの強度に応じてスラリーを切換えて、ウェハー２２をＣＭＰ研磨する。例文帳に追加

In a process for manufacturing a semiconductor device by chemical-machine-polishing with the use of a tantalum nitride film, a wafer 22 is performed in CMP with a laser beam radiated from a Raman spectroscope 23 irradiated onto the wafer 22 and a slully switched in response to a Raman peak intensity of 180 to 200 cm2 derived from the bonding of tantalum and nitrogen. - 特許庁

片浦プロットから求められた所定の直径の単層カーボンナノチューブの遷移エネルギーに対応する光吸収波長又はその近似の波長の自由電子レーザーを照射しながら、アルコール化学気相成長法によって単層カーボンナノチューブを生成、成長させることを特徴とするカイラリティの制御された単層カーボンナノチューブの製造法。例文帳に追加

The production method of single-walled carbon nanotubes in which chirality is controlled is characterized by forming and growing single-walled carbon nanotubes by an alcohol chemical vapor deposition method while irradiating the carbon nanotubes with a free electron laser beam having a light absorption wavelength or a wavelength approximate to the light absorption wavelength which corresponds to the transition energy of the single walled carbon nanotubes having predetermined diameters, that is searched from Kataura plot. - 特許庁

ＫｒＦやＡｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に高反射基板への適用時に生じる又はレジスト膜厚の薄膜化によって生じる、定在波効果によるパターン壁面の平滑性の低下を改善したポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically amplified positive resist composition which is suitable for excimer laser lithography with KrF, ArF, etc. is good in various resist performances such as sensitivity and resolution, and suppresses lowering of the smoothness of a pattern wall surface by a stationary wave effect caused particularly in application to a highly reflective substrate or by reduction in the thickness of a resist film. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性が高く、かつ優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示すとともに、アルカリに対する親和性が高く、パドル現像により良好なレジストパターンを与えうる化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂成分として好適に用いうるアクリル酸若しくはメタクリル酸エステル共重合体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an acrylate or a methacrylate copolymer suitable for use as a resin component of a chemically amplified photoresist composition having high transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, a resist pattern shape, dry etching resistance and adhesion, having a high affinity to an alkali and capable of giving a good resist pattern by paddle development, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。例文帳に追加

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching. - 特許庁

熱的、化学的影響を受けやすいマイクロメートルオーダーの微小な物質又は、部材が他の物質と共に形成している構造物から、所望の微小な物質又は、部材を機械的な加工で露出させるために、発振パルス幅が１ピコ秒以下である超短パルスレーザーを用いて、第１に固体材料内部に封じ込められた目標物の周囲からアブレーションしきい値よりも高いパワーで加工する。例文帳に追加

From a structure formed of a micro-material or member in a micrometer order easy to be subjected to thermal-chemical influence together with the other material, for exposing the desired micro-material or member by mechanical machining, using an ultrashort pulse laser with an oscillation pulse width of ≤1 picosecond, first, machining is performed with power higher than an abrasion threshold value from the circumference of the object sealed into a solid material. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーに対して良好な透明性を有し、優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示し、アルカリに対し高い親和性を有する化学増幅型ホトレジスト組成物を得るため、アクリル系樹脂に、特定のブチロラクトン環をもつ構成単位を導入するが、その導入のために有用な単量体を効率よく製造するための新規な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new method for efficiently producing monomer useful for introducing a construction unit having a specific butyrolactone ring into an acrylic resin so as to obtain a chemical amplification type photoresist composition having good transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern forms, dry etching resistance and adhesiveness and having high affinity to alkalis. - 特許庁

塩酸を含有する水溶液中で電気化学的粗面化処理され、熱伝導率が０．０５〜０．５Ｗ／ｍＫである親水膜を有するアルミニウム基板上に、熱により合体する自己水分散性樹脂微粒子を含有し、赤外線レーザー露光により書き込み可能な画像記録層を有する平版印刷用原板。例文帳に追加

In this lithographic printing original plate, an image recording layer including thermally amalgamable self-water-dispersible resin particulates and allowing to be written through infrared laser exposure is provided on an aluminum board having a hydrophilic film obtained by being electrochemically roughening treated in a hydrochloric acid-containing aqueous solution and having the thermal conductivity of 0.05 to 0.5 W/mk. - 特許庁

化学増幅型レジストの感放射線性酸発生剤として、特にＫＲＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線に対して高感度（低露光エネルギー量）で酸を発生でき、かつ優れた解像性能およびパターン形状をもたらしうる、新規なジアゾジスルホン化合物、並びに当該化合物を含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a new compound useful as a radiation-sensitive acid generator for chemical amplification-type resists useful in microfabrication using far- ultraviolet rays such as KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), charged particle beams such as electron beams, radiation such as X-rays. - 特許庁

鉛を実質的に含まず、低温、特に７００℃以下の温度で焼成可能な、気密性及び化学的耐久性、特に耐酸性が優れたオーバーコート用ガラスペーストであって、厚膜抵抗素子のプリコートガラスとして用いたときには、抵抗体の安定性を損なうことなくレーザートリミングを容易に行うことができるオーバーコート用ガラスペーストを提供する。例文帳に追加

To provide glass paste for over coat which contains substantially no lead and is fired at a low temperature, particularly at ≤700°C, exhibits excellent air tightness and chemical durability, particularly acid resistance and is used as precoat glass of a thick film resistance element being easily trimmed by laser without deteriorating the stablity of a resistant body. - 特許庁