半導体整流器の英語

本発明の有機金属気相成長装置１は、反応容器２内に半導体ウエハー９を保持するサセプタ３と、導入ガスを整流させて半導体ウエハー９の表面に流すための整流手段８とが配置され、整流手段８が固定され、サセプタ３が回転可能とされて成ることを特徴とする。例文帳に追加

In the organic metal gas phase epitaxy device 1, a susceptor 3 holding a semiconductor wafer 9, and a rectifying means 8 for rectifying introduction gas and making it flow to the surface of the semiconductor wafer 9, are disposed inside a reaction vessel 2, the rectifying means 8 is fixed, and the susceptor 3 is made rotatable. - 特許庁

電池１の電極２（又は電極６）から出た電流をｎｐｎ半導体３が受け取り、整流された電流が導線５を通り、ｐｎｐ半導体４を通った電流は電極６（又は電極２）に流れて電池１に戻る回路を機器に内蔵する。例文帳に追加

This circuit receives a current coming out from an electrode 2 (or electrode 6) of a battery 1 by an npn semiconductor 3, rectifies the current to pass through a conductor 5, allows a current passing through a pnp semiconductor 4 to flow in the electrode 6 (or electrode 2), and returns the current to the battery 1, and houses an to be built-in the equipment houses this circuit. - 特許庁

寄生ボディダイオード及び寄生容量を並列に持つ制御可能半導体ＣＢＳから成る入力相補スイッチ、寄生容量を並列に持つ制御可能半導体ＶＢＳから成る出力スイッチ、寄生容量を並列に持つ半導体整流器である相補出力スイッチのオン及びオフのタイミング及びシーケンスを制御する。例文帳に追加

On/off timing and the sequence, of an input complementary switch consisting of a parasitic body diode and a controllable semiconductor CBS having in parallel a parasitic capacity, an output switch consisting of a controllable semiconductor VBS having in parallel a parasitic capacity, and a complementary output switch which is a semiconductor rectifier having in parallel the parasitic capacity, are controlled. - 特許庁

受信電力を整流する整流器４と、整流出力を安定化して内部回路へ供給するレギュレータ６とを含む半導体装置３であって、整流器４及びレギュレータ６の出力をそれぞれ分圧する分圧回路５、７と、分圧回路５、７の出力を互いに比較する比較器８とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device 3 including a rectifier 4 which rectifies received power and a regulator 6 which stabilizes rectified power output to supply to inner circuits, is equipped with voltage divider circuits 5 and 7 which divide the output of the rectifier 4 and the regulator 6 respectively, and a comparator 8 which compares the output of the voltage divider circuits 5 and 7 mutually. - 特許庁

こうした構成によると、半導体制御整流器のトリガ電圧がスイッチ回路を構成するＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧により決定されることができる。例文帳に追加

This constitution enables decision of the trigger voltage of the semiconductor control rectifier by the threshold voltage of the MOS transistor of which the switch circuit consists. - 特許庁

発電機１は、主回転機２、レギュレータ３、半導体電力変換器である整流回路（三相ブリッジ）４、および交流励磁式のファンモータ５を有する。例文帳に追加

A generator 1 comprises a main rotary machine 2, a regulator 3, a rectifier circuit (three-phase bridge) 4 which is a semiconductor power converter, and an AC exciting fan motor 5. - 特許庁

バリスタ等の半導体二端子素子の電流が立ち上がるときの電圧を向上させ、送電線や通信回路の避雷器、電子機器の衝撃電圧の吸収器、整流素子やサイリスタの過電圧保護、リレー接点等の保護素子として適したものを実現する。例文帳に追加

To realize a semiconductor two terminal element, e.g. a varistor, suitable as the arrester of a transmission line or a communication circuit, the impact voltage absorber of an electronic apparatus, the overvoltage protector of a rectifying element or a thyristor, or the protective element of a relay contact, and the like, by enhancing the voltage when the current of the semiconductor two terminal element rises. - 特許庁

処理容器３０に、この処理容器３０の天井部３２ｈにおける半導体ウエハＷ及び導入口３２ｉより外方位置に垂下状に形成される円筒状の整流体３７と、この整流体３７と対向する処理容器３０の上部側壁３２ｇに設けられる上部排気口３８ａとを形成する。例文帳に追加

In the treatment vessel 30, a cylindrical rectifying object 37 which is formed in a sag shape at a part outside the semiconductor wafer W and the inlet 32i at the ceiling 32h of the treatment vessel 30, and an upper exhaust port 38a which is arranged on the upper sidewall 32g of the treatment vessel 30 opposite to the rectifying object 37 are formed. - 特許庁