「半導体整流器」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

各整流素子６５、６６は、１つの金属容器内に２個の半導体チップが平面配置され、それぞれ２本の引出線が引き出されている。例文帳に追加

In the individual rectifier elements 65 and 66, two semiconductor chips are placed flat in one metal case, and two lead-out wires are led out, respectively. - 特許庁

電気的に直列に接続された単位セル１０Ａ〜１０Ｆの各々に対して、整流器などの整流機能を有する電子素子、および、金属−半導体界面などの整流作用を有する界面のうち少なくとも一方よりなる整流部３０Ａ〜３０Ｆを、電気的に並列に接続する。例文帳に追加

The battery system electrically connects in parallel an electronic device having a rectifying function such as a rectifier and the like, and rectifying units 30A to 30F comprising at least one of rectifying interfaces such as metal/semiconductor interface and the like, to each of unit cells 10A to 10F electrically connected in series. - 特許庁

本発明の有機金属気相成長装置１は、反応容器２内に半導体ウエハー９を保持するサセプタ３と、導入ガスを整流させて半導体ウエハー９の表面に流すための整流手段８とが配置され、整流手段８が固定され、サセプタ３が回転可能とされて成ることを特徴とする。例文帳に追加

In the organic metal gas phase epitaxy device 1, a susceptor 3 holding a semiconductor wafer 9, and a rectifying means 8 for rectifying introduction gas and making it flow to the surface of the semiconductor wafer 9, are disposed inside a reaction vessel 2, the rectifying means 8 is fixed, and the susceptor 3 is made rotatable. - 特許庁

電池１の電極２（又は電極６）から出た電流をｎｐｎ半導体３が受け取り、整流された電流が導線５を通り、ｐｎｐ半導体４を通った電流は電極６（又は電極２）に流れて電池１に戻る回路を機器に内蔵する。例文帳に追加

This circuit receives a current coming out from an electrode 2 (or electrode 6) of a battery 1 by an npn semiconductor 3, rectifies the current to pass through a conductor 5, allows a current passing through a pnp semiconductor 4 to flow in the electrode 6 (or electrode 2), and returns the current to the battery 1, and houses an to be built-in the equipment houses this circuit. - 特許庁

寄生ボディダイオード及び寄生容量を並列に持つ制御可能半導体ＣＢＳから成る入力相補スイッチ、寄生容量を並列に持つ制御可能半導体ＶＢＳから成る出力スイッチ、寄生容量を並列に持つ半導体整流器である相補出力スイッチのオン及びオフのタイミング及びシーケンスを制御する。例文帳に追加

On/off timing and the sequence, of an input complementary switch consisting of a parasitic body diode and a controllable semiconductor CBS having in parallel a parasitic capacity, an output switch consisting of a controllable semiconductor VBS having in parallel a parasitic capacity, and a complementary output switch which is a semiconductor rectifier having in parallel the parasitic capacity, are controlled. - 特許庁

受信電力を整流する整流器４と、整流出力を安定化して内部回路へ供給するレギュレータ６とを含む半導体装置３であって、整流器４及びレギュレータ６の出力をそれぞれ分圧する分圧回路５、７と、分圧回路５、７の出力を互いに比較する比較器８とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device 3 including a rectifier 4 which rectifies received power and a regulator 6 which stabilizes rectified power output to supply to inner circuits, is equipped with voltage divider circuits 5 and 7 which divide the output of the rectifier 4 and the regulator 6 respectively, and a comparator 8 which compares the output of the voltage divider circuits 5 and 7 mutually. - 特許庁

こうした構成によると、半導体制御整流器のトリガ電圧がスイッチ回路を構成するＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧により決定されることができる。例文帳に追加

This constitution enables decision of the trigger voltage of the semiconductor control rectifier by the threshold voltage of the MOS transistor of which the switch circuit consists. - 特許庁

発電機１は、主回転機２、レギュレータ３、半導体電力変換器である整流回路（三相ブリッジ）４、および交流励磁式のファンモータ５を有する。例文帳に追加

A generator 1 comprises a main rotary machine 2, a regulator 3, a rectifier circuit (three-phase bridge) 4 which is a semiconductor power converter, and an AC exciting fan motor 5. - 特許庁

バリスタ等の半導体二端子素子の電流が立ち上がるときの電圧を向上させ、送電線や通信回路の避雷器、電子機器の衝撃電圧の吸収器、整流素子やサイリスタの過電圧保護、リレー接点等の保護素子として適したものを実現する。例文帳に追加

To realize a semiconductor two terminal element, e.g. a varistor, suitable as the arrester of a transmission line or a communication circuit, the impact voltage absorber of an electronic apparatus, the overvoltage protector of a rectifying element or a thyristor, or the protective element of a relay contact, and the like, by enhancing the voltage when the current of the semiconductor two terminal element rises. - 特許庁

処理容器３０に、この処理容器３０の天井部３２ｈにおける半導体ウエハＷ及び導入口３２ｉより外方位置に垂下状に形成される円筒状の整流体３７と、この整流体３７と対向する処理容器３０の上部側壁３２ｇに設けられる上部排気口３８ａとを形成する。例文帳に追加

In the treatment vessel 30, a cylindrical rectifying object 37 which is formed in a sag shape at a part outside the semiconductor wafer W and the inlet 32i at the ceiling 32h of the treatment vessel 30, and an upper exhaust port 38a which is arranged on the upper sidewall 32g of the treatment vessel 30 opposite to the rectifying object 37 are formed. - 特許庁

交流電源１の出力を直流電圧に変換する整流器４と、電力用半導体素子のスイッチング動作により直流電圧を交流電圧に変換する電力変換器６とを有する系に適用される伝導性ノイズフィルタである。例文帳に追加

The conductive noise filter is applied to a system including: a rectifier 4 that converts the output of an AC power supply 1 into DC voltage; and a power converter 6 that converts a DC voltage into an AC voltage by switching operation of a power semiconductor element. - 特許庁

前記ＭＯＳトランジスタ３３は反転増幅器３２を構成するＣＭＯＳインバータ等と一体で通常のトランジスタ作成プロセスでＩＣ内に作込むことができ、半導体整流器等を備えて構成される前記ＲＭＳＤＣコンバータ３４と共に１チップＩＣすることができる。例文帳に追加

The MOS transistor 33 can be incorporated into an IC as a unit with a CMOS inverter or the like which constitutes the inverting amplifier 32 in the normal transistor making process, and can be made into a single chip IC together with the RMSDC converter 34 comprising a semiconductor rectifier or the like. - 特許庁

可飽和リアクトルを使用した磁気スナバを有するＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、可飽和リアクトルの過大な温度上昇と、磁気スナバを用いたことに伴い発生する半導体スイッチング素子の損失、出力側整流器のリンギング電流の発生、これに伴う損失、伝導ノイズおよび輻射ノイズの発生等の問題を解消する。例文帳に追加

To overcome the problems of a DC-to-DC converter, having magnetic snubbers which use saturable reactors such as excessive temperature increase of the saturable reactors, losses of semiconductor switching elements generated by the use of the snubbers, generation of ringing currents of output-side rectifiers, losses caused by this, generation of conduction noise and radiation noise, etc. - 特許庁

コンデンサと、２つの半導体スイッチ素子と、４つのダイオードとからなる単位周波数変換回路を交流入力の相数に応じて設け（図１では２１，２２，２３の３つ）、これに変圧器３、整流回路４およびＤＣ（直流）フィルタ５を接続することにより、ｎ相交流を直流に変換する交流−直流変換装置を構成する。例文帳に追加

The AC/DC converting apparatuses (21, 22, 23) for converting n-phase AC to DC are structured by providing, depending on the number of phases of AC input, unit frequency converting circuits each of which is composed of a capacitor, a couple of semiconductor switch elements and four diodes and then by connecting thereto a transformer 3, and a rectifying circuit 4 and a DC filter 5. - 特許庁

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリデバイスの製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Provided are methods of preparing the selenium ink and of using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide containing semiconductor materials, such as, thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photo responsive devices (e.g., electrophotography (e.g., laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and photo voltaic cells) and chalcogenide containing phase change memory devices. - 特許庁

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリ物質の製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Also provided are methods for producing the selenium ink and for using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide-containing semiconductor materials, such as thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photoresponsive devices (e.g. electrophotography (e.g. laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and solar cells) and chalcogenide-containing phase change memory materials. - 特許庁