厚酸化金属半導体の英語

半導体基板１０１の上に、中間電極層１０２と、この上に形成され、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された例えば膜厚１００ｎｍの金属酸化物層１０３と、上部電極１０４とを備え、また、半導体基板１０１の一部にオーミックコンタクト１０５を備える。例文帳に追加

An intermediate electrode layer 102 is provided on a semiconductor substrate 101 and a metal oxide layer 103 composed of bismuth (Bi), titanium (Ti) and oxygen having a film thickness of 100 nm, for example, and an upper electrode 104 are provided thereon wherein an ohmic contact 105 is provided at a part of the semiconductor substrate 101. - 特許庁

メモリ素子１００は、半導体基板１０１の上に、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された例えば膜厚３０〜２００ｎｍの金属酸化物層１０２と、上部電極１０３とを備え、また、半導体基板１０１の一部にオーミックコンタクト１０４を備える。例文帳に追加

A memory element 100 has a metal oxide layer 102 composed of bismuth (Bi), titanium (Ti) and oxygen and having a film thickness of 30-200 nm, and an upper electrode 103 formed on a semiconductor substrate 101; and has an ohmic contact 104 at a part of the semiconductor substrate 101. - 特許庁

半導体層が光電変換層と逆電子注入防止層により構成され、光電変換層は金属酸化物半導体により成り、表面の粗さ係数が１００以上３０００以下で、膜厚が１μｍから５０μｍである。例文帳に追加

The pigment sensitized solar cell includes a semiconductor layer composed of a photoelectric conversion layer and a reverse electron injection preventing layer, wherein the photoelectric conversion layer is formed from a metal oxide semiconductor, and the surface roughness coefficient is between 100 and 3000 while the film thickness is between 1 and 50 μm. - 特許庁

アスペクト比が大きい凹部の底部においても膜厚方向の組成分布が均一な金属酸化物が形成された半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having metal oxide formed having a uniform composition distribution in a film-thickness direction even at the bottom of a recessed portion with a large aspect ratio. - 特許庁

本発明の半導体装置用複合部材は、銅マトリックス中に亜酸化銅からなる粒子を分散させた複合金属板で、該複合金属板の表面が金属層により被覆され、該複合金属板と該金属層とで構成される界面に厚さ０.５μｍ 以上の銅層が介在することを特徴とする。例文帳に追加

The composite member for semiconductor device is a composite metal plate, where particles of cuprous oxide is dispersed in a copper matrix; the surface of the composite metal plate is covered with a metal layer; and a copper layer whose thickness is at least 0.5 μm is interposed in the interface constituted of the composite metal plate and the metal layer. - 特許庁

絶縁性基板１に、厚さ１０〜３０ｎｍの、酸化スズ（ＳnＯ_2）などからなる材料非晶質層を形成した後、この非晶質層を急速加熱処理によって多結晶化して、ガス感応層である金属酸化物半導体微結晶層３を形成する。例文帳に追加

After forming a material amorphous layer comprising a tin oxide (SnO_2) having the thickness of 10-30 nm or the like on an insulating substrate 1, the amorphous layer is polycrystallized by rapid heating processing, to thereby form a metal oxide semiconductor fine crystal layer 3 which is a gas sensitive layer. - 特許庁

金属材料及び半導体材料からなる化合物から形成される領域１６が、基板の表面の所定の部分にわたって３ｎｍ乃至５ｎｍの厚さを有するゲルマニウム酸化物層を予め形成するとともに、表面１ａの残りの部分にシリコン酸化物層１２を予め形成することによって、半導体材料から形成される基板１に選択的に製作される。例文帳に追加

A region 16 formed by a compound comprising a metal material and semiconductor material is selectively formed into the substrate 1 comprised of the semiconductor material by preliminarily forming not only a germanium oxide layer with a thickness of 3 to 5 nm over a predetermined part of the substrate surface but also a silicon oxide layer 12 on the rest of a surface 1a. - 特許庁

上記ターゲットエリアは、上記第１金属電極と、上記第１金属電極上に形成された第２金属電極とを形成する各工程で発生する第１位置合わせマークと、上記半導体基板表面に形成された酸化膜の厚さの段差により形成された第２位置合わせマークとを有する。例文帳に追加

The target area has: a first aligning mark generated in each process for forming the first metal electrode and the second metal electrode formed on the first metal electrode; and a second aligning mark formed by an unevenness of the thickness of an oxide film formed on the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁