原子準位の英語

機械制御用基準発振器に原子周波数標準器を採用した超高安定な回転系の定速制御および位置決め制御方法例文帳に追加

CONSTANT-SPEED CONTROL AND POSITIONING CONTROL METHOD FOR EXTREMELY HIGHLY STABLE ROTARY SYSTEM ADOPTING ATOMIC FREQUENCY STANDARD FOR REFERENCE OSCILLATOR FOR MACHINE CONTROL - 特許庁

エネルギー準位における基底状態の冷却下準位として複数の磁気副準位を有する原子をレーザー冷却する原子のレーザー冷却方法であって、レーザー冷却の対象となる原子の基底状態の冷却下準位たる複数の磁気副準位に応じた複数の異なる偏光をそれぞれ有する所定波長のコヒーレント光を、所定の時間間隔でずらして順次に原子に照射するようにした。例文帳に追加

In this method of laser-cooling the atoms having a plurality of magnetic sublevels as the cooling lower level of a ground state on an energy level, coherent light of prescribed wavelength having a plurality of different polarized light corresponding to a plurality of magnetic sublevels which are the cooling lower level of the ground state of the atoms to be laser-cooled are irradiated on the atoms in regular sequence with a time lag at prescribed time intervals. - 特許庁

本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。例文帳に追加

A low-resistance n-type AlN crystal is obtained by substituting a part of Al atoms in an AlN crystal with group IIIa elements (such as Sc, Y and La) or/and group IIIb elements (such as B, Ga and In), and substituting one adjoining nitrogen (N) atom with an oxygen (O) atom to form a shallow impurity level. - 特許庁

ｉ層１４においては、ケイ素原子及び／又は鉄原子のダングリングボンドが水素で終端され、非晶質の鉄シリサイド膜中に生じ得る多数のトラップ準位が解消される。例文帳に追加

In the i-layer 14, dangling bond of a silicon atom and/or an iron atom is terminated by hydrogen and thus a number of trap levels that could occur in the amorphous iron silicide film is eliminated. - 特許庁

一例として、当該第２半導体の多数キャリアは電子であり、第２不純物原子は、第１不純物原子を有する第２半導体のフェルミ準位を下降させる。例文帳に追加

In one embodiment, the majority carrier in the second semiconductor is electrons, and the second-impurity atoms lower the Fermi level of the second semiconductor which has the first-impurity atoms. - 特許庁

原子核スピンの角運動量が１／２よりも大きい原子核を含む領域を備えた素子１に対し、当該領域における各エネルギー準位間のエネルギー差にそれぞれ対応した複数のマイクロ波を照射する。例文帳に追加

A plurality of micro waves corresponding to energy differences among energy levels are emitted to an element 1 which is provided with an area including a atomic nucleus of more than a half in angular momentum of atomic nucleus spin. - 特許庁

第１半導体と、第１半導体の上方に形成された第２半導体とを備え、第２半導体は、Ｐ型の伝導型を示す不純物またはＮ型の伝導型を示す第１不純物原子と、第２半導体が第１不純物原子を有する場合のフェルミ準位を、第２半導体が第１不純物原子を有しない場合のフェルミ準位に近づける第２不純物原子とを有する半導体基板を提供する。例文帳に追加

A semiconductor substrate is equipped with a first semiconductor and a second semiconductor formed over the first semiconductor, the second semiconductor having either an impurity which exhibits P-type conductivity or first-impurity atoms which exhibit N-type conductivity and further having second-impurity atoms which bring the Fermi level of the second semiconductor having the first-impurity atoms near to the Fermi level of the second semiconductor having no first-impurity atoms. - 特許庁

磁場による変動の少ない準位間のエネルギー差△Ｅ１２を利用して、基準周波数を制御しているので、磁気シールド等が不要で、発振周波数の安定した小型の原子発振器１０を得ることができる。例文帳に追加

A reference frequency is controlled by using the energy difference ▵E12 between the ground levels which varies to a small extent because of the magnetic field, so that magnetic shield and the like are not required, thereby obtaining the compact atomic oscillator 10 whose oscillating frequency is stable. - 特許庁