「原子準位」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

原子力発電システム１を備え、この原子力発電システムの余剰エネルギを有効に利用して負荷の平準化とエネルギの有効利用および経済的な優位性が得られる原子力プラントを提供する。例文帳に追加

To provide a nuclear power plant for leveling a load by effectively using surplus energy of this nuclear power generation system, effectively using energy and obtaining ecomomical predominance by providing a nuclear power generation system. - 特許庁

磁場発生部４０は、アルカリ金属原子２０の第１基底準位と第２基底準位にゼーマン分裂を生じさせる磁場を発生させる。例文帳に追加

A magnetic field generator 40 generates a magnetic field for causing Zeeman splitting according to the first ground level and the second ground level of an alkali metal atom 20. - 特許庁

機械制御用基準発振器に原子周波数標準器を採用した超高安定な回転系の定速制御および位置決め制御方法例文帳に追加

CONSTANT-SPEED CONTROL AND POSITIONING CONTROL METHOD FOR EXTREMELY HIGHLY STABLE ROTARY SYSTEM ADOPTING ATOMIC FREQUENCY STANDARD FOR REFERENCE OSCILLATOR FOR MACHINE CONTROL - 特許庁

エネルギー準位における基底状態の冷却下準位として複数の磁気副準位を有する原子をレーザー冷却する原子のレーザー冷却方法であって、レーザー冷却の対象となる原子の基底状態の冷却下準位たる複数の磁気副準位に応じた複数の異なる偏光をそれぞれ有する所定波長のコヒーレント光を、所定の時間間隔でずらして順次に原子に照射するようにした。例文帳に追加

In this method of laser-cooling the atoms having a plurality of magnetic sublevels as the cooling lower level of a ground state on an energy level, coherent light of prescribed wavelength having a plurality of different polarized light corresponding to a plurality of magnetic sublevels which are the cooling lower level of the ground state of the atoms to be laser-cooled are irradiated on the atoms in regular sequence with a time lag at prescribed time intervals. - 特許庁

本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。例文帳に追加

A low-resistance n-type AlN crystal is obtained by substituting a part of Al atoms in an AlN crystal with group IIIa elements (such as Sc, Y and La) or/and group IIIb elements (such as B, Ga and In), and substituting one adjoining nitrogen (N) atom with an oxygen (O) atom to form a shallow impurity level. - 特許庁

ｉ層１４においては、ケイ素原子及び／又は鉄原子のダングリングボンドが水素で終端され、非晶質の鉄シリサイド膜中に生じ得る多数のトラップ準位が解消される。例文帳に追加

In the i-layer 14, dangling bond of a silicon atom and/or an iron atom is terminated by hydrogen and thus a number of trap levels that could occur in the amorphous iron silicide film is eliminated. - 特許庁

一例として、当該第２半導体の多数キャリアは電子であり、第２不純物原子は、第１不純物原子を有する第２半導体のフェルミ準位を下降させる。例文帳に追加

In one embodiment, the majority carrier in the second semiconductor is electrons, and the second-impurity atoms lower the Fermi level of the second semiconductor which has the first-impurity atoms. - 特許庁

原子核スピンの角運動量が１／２よりも大きい原子核を含む領域を備えた素子１に対し、当該領域における各エネルギー準位間のエネルギー差にそれぞれ対応した複数のマイクロ波を照射する。例文帳に追加

A plurality of micro waves corresponding to energy differences among energy levels are emitted to an element 1 which is provided with an area including a atomic nucleus of more than a half in angular momentum of atomic nucleus spin. - 特許庁

第１半導体と、第１半導体の上方に形成された第２半導体とを備え、第２半導体は、Ｐ型の伝導型を示す不純物またはＮ型の伝導型を示す第１不純物原子と、第２半導体が第１不純物原子を有する場合のフェルミ準位を、第２半導体が第１不純物原子を有しない場合のフェルミ準位に近づける第２不純物原子とを有する半導体基板を提供する。例文帳に追加

A semiconductor substrate is equipped with a first semiconductor and a second semiconductor formed over the first semiconductor, the second semiconductor having either an impurity which exhibits P-type conductivity or first-impurity atoms which exhibit N-type conductivity and further having second-impurity atoms which bring the Fermi level of the second semiconductor having the first-impurity atoms near to the Fermi level of the second semiconductor having no first-impurity atoms. - 特許庁

磁場による変動の少ない準位間のエネルギー差△Ｅ１２を利用して、基準周波数を制御しているので、磁気シールド等が不要で、発振周波数の安定した小型の原子発振器１０を得ることができる。例文帳に追加

A reference frequency is controlled by using the energy difference ▵E12 between the ground levels which varies to a small extent because of the magnetic field, so that magnetic shield and the like are not required, thereby obtaining the compact atomic oscillator 10 whose oscillating frequency is stable. - 特許庁

絶縁膜の成膜方法において、シリコン原子を堆積させる第１ステップと、シリコン原子を窒化する第２ステップとを有するＡＬＤ法を用い、フラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性を有する薄い絶縁膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film forming method of a thin insulating film having preferred characteristics with a low flatband voltage and a low interface state by employing an ALD method having a first step for depositing silicon atoms and a second step for nitriding the silicon atoms. - 特許庁

新たな原子モデルに従い、移転に共振するエネルギーホールを与えることにより電子をよりエネルギー準位且つ大きさの小さい状態に弛緩するよう刺激する際に、原子からエネルギーを開放する方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for releasing energy from atoms, when electrons are stimulated in such a way so as to relax to a lower energy level and to a state of small size, by providing an energy hole which resonates with transfer according to a new atomic model. - 特許庁

本発明では、静電場ＳＥ内の、基底状態の電子配置が（ｎｓ^２）^１Ｓ_０（ｎは主量子数）である原子Ａへ励起光としてのパルスレーザ光が照射され、原子Ａが複数の超微細準位へコヒーレントに励起される。例文帳に追加

An atom A having an electron configuration in the ground state of (ns^2)^1S_0 (n is a principal quantum number) in an electrostatic field SE is irradiated with a pulse laser beam as exciting light, so that the atom A is coherently excited to a plurality of hyperfine levels. - 特許庁

放射線防護に係る法制上の措置我が国は、原子炉施設における放射線防護の基準を原子炉等規制法、電気事業法、労働安全衛生法等の法律及びそれらに基づく下位の法令体系又は、指針により明示している。例文帳に追加

Legislative arrangements for radiation protection The Government of Japan clearly specifies the radiation protection standards for nuclear installations by laws such as the Reactor Regulation Act, the Electricity Business Act, and the Industrial Safety and Health Law, and the subordinate legislation based on these laws and guidelines. - 経済産業省

ｉ層１４においては、そこに含まれる水素原子の少なくとも一部がケイ素原子及び／又は鉄原子のダングリングボンドを終端することにより、非晶質の鉄シリサイド膜中に生じ得る多数のトラップ準位を解消でき、これによりｉ層１４が真性半導体層としての特性を発現する。例文帳に追加

Since at least part of the hydrogen atoms contained in the i-layer 14 terminates the dangling bond of silicon atoms and/or iron atoms in the i-layer 14, many trap levels which may occur in the amorphous iron silicide film can be dissolved and, accordingly, the i-layer 14 reveals the characteristics of an intrinsic semiconductor layer. - 特許庁

２準位原子の縦緩和時間Γから定まる入力光強度のしきい値が存在し、しきい値以下であれば、出力光２の位相がπシフトし、しきい値以上であれば、出力光２の位相が変化しない。例文帳に追加

The threshold of the intensity of input light defined from the longitudinal relaxation time Γ of two-level atoms exists, and in the case of the threshold or below, the phase of the output light 2 is π-shifted, and in the case of the threshold or above, the phase of the output light 2 does not shift. - 特許庁

スズ含有量が９３原子％以下（０原子％を含まず）のスズ−ガリウム合金に、標準電極電位がガリウムより低い金属元素（例えば、アルミニウム、マグネシウム、シリコン、亜鉛）からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素を、前記スズ−ガリウム合金基準にて合計量で０．１質量％以上添加してなる水素発生用合金。例文帳に追加

The hydrogen generating alloy comprises a tin-gallium alloy containing 93 atom% or less tin (not inclusive of 0 atom%), and at least one kind of a metallic element selected from a group of metallic elements having lower standard electrode potential than gallium (for example, aluminum, magnesium, silicon, and zinc) in an amount of 0.1 mass% or more with respect to the total volume of the tin-gallium alloy. - 特許庁

また、全ての原子炉施設において配置される運転責任者については、運転責任者に係る基準等に関する規程（経済産業省告示）において、経験、知識及び職位に係る条件が規定されており、原子炉設置者は、それらの基準への適合性を判断する方法、判断業務の実施体制、適合性判断の有効期限及び更新の手続きについて、経済産業大臣の確認を受けなければならない。例文帳に追加

Concerning the Chief Operation Staff, who is assigned at every nuclear installation, conditions related to experience, knowledge and position are defined in the rules of standards, etc. of the Chief Operation Staff (Notice of METI). The licensees must obtain confirmation of the Minister of METI regarding the method of judging conformity to these standards, system of implementing judgment, term of validity for conformity judgment, and procedure of renewal. - 経済産業省

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。例文帳に追加

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics. - 特許庁

シリコン酸化膜中に導入した窒素原子がシリコン基板との界面にまで到達し、界面準位を増大させてトランジスタの性能を損なうということがないようにする。例文帳に追加

To prevent the degradation of the performance of a transistor caused by interface level rising due to the entry of nitrogen atoms that have been implanted in a silicon oxide film, reaching an interface between the film and a silicon substrate. - 特許庁

有機塩素化合物を塩素原子換算で１０ｐｐｍを超える量で含有することなく、そして還元電位が、リチウムを基準として、１ボルト未満である非水電解液、そしてその非水電解液を用いるリチウム二次電池。例文帳に追加

A non-aqueous electrolyte which contains organic chlorine compounds in an amount of 10 ppm or less, in terms of chlorine atom content, and shows a reduction potential of less than 1 volt with reference to lithium, and a lithium secondary battery using the non-aqueous electrolyte is provided. - 特許庁

第１の光の中心周波数ｆ_１と第２の光の中心周波数ｆ_２の周波数差は、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と異なる。例文帳に追加

A frequency difference between the center frequency f_1 of the first light and the center frequency f_2 of the second light differs from a frequency equivalent to an energy difference of two ground levels of the alkali metal atom. - 特許庁

予備放電終了から予備消去放電までの経過時間を、Ｘｅ準安定順位原子の減衰時定数（例えば１８．２μｓ）の３倍よりも短く（例えば５８μｓ）する。例文帳に追加

In this driving method, the elapsed time from the completion of the preparatory discharge to the preparatory erasing discharge is made shorter (for example, 58 μs) than the three times of the attenuation time constant (for example, 18.2 μs) of quasi-stationary order atoms of xenon. - 特許庁

準安定な面方位を持つ面である準安定面１ａを有するセリアなどからなる化合物粒子１を有し、この化合物粒子１における準安定面１ａの上に、当該準安定な面方位の原子配列の状態を継承した状態で、ＰｔやＲｈなどの金属または金属酸化物からなる触媒２が形成されている。例文帳に追加

The catalyst body comprises a compound particle 1 composed of ceria and the like having a quasi-stable plane 1a, which is a plane having a quasi-stable plane direction, a catalyst 2 composed of the metal or the metal oxide such as Pt and Rh by succeeding an atomic arrangement of the quasi-stable plane direction on the quasi-stable plane 1a in this compound particle 1. - 特許庁

脱硫剤全質量を基準として１０〜３０質量％の多孔性無機酸化物と、３〜４０質量％の酸化亜鉛と、酸化ニッケル換算にて４５〜７５質量％のニッケル原子とを含んでなり、ニッケル原子の還元度が５０〜８０％であり、脱硫剤単位質量当りの水素吸着量が４．７〜７．０ｍｌ／ｇであることを特徴とする炭化水素用脱硫剤である。例文帳に追加

The desulfurizing agent for the hydrocarbon contains 10-30 mass% porous inorganic oxide and 3-40 mass% zinc oxide on the basis of the total mass of the desulfurizing agent and 45-75 mass% nickel atom in terms of nickel oxide, and the degree of reduction of the nickel atom is 50-80%, and the amount of hydrogen adsorption per the desulfurizing agent unit mass is 4.7-7.0 ml/g. - 特許庁

片側キャビティを使用して入力光１及び放射光を同一の横モードに閉じ込めるので、入射光１と２準位原子の共鳴に伴う光の散逸が抑制され、出力光２の位相が入力光１に対してπシフトする。例文帳に追加

Since the input light 1 and the radiated light are confined in the same lateral mode using the one-sided cavity, dissipation of light due to resonance of the incident light 1 and two-level atoms is suppressed and the phase of the output light 2 is π-shifted with respect to the input light 1. - 特許庁

光源２１からの光をローションプリズム２８によってＳ偏光とＰ偏光に分離して、被検物１とカンチレバー１２との相対変位を計測する原子間力顕微鏡において、参照ミラー６３を計測基準としてカンチレバー変位を計測する機能を設ける。例文帳に追加

In the atomic force microscope that separates the light from a light source 21 into S-polarized light and P-polarized light by a lotion prism 28 to measure the relative displacement of the article 1 to be inspected and the cantilever 12, the function for measuring the displacement of the cantilever 12 by using a reference mirror 63 as a measurement standard is provided. - 特許庁

トランジスタの活性領域であるゲート電極４の上方領域は、第１ストッパー窒化膜７が取り除かれており、水分が上方に拡散できるため、水酸基による半導体基板界面近傍での再結合準位を減少させ、水素処理による水素原子がトランジスタへ導かれる。例文帳に追加

Then, a recombination level with a hydroxyl group in the vicinity of an interface of the semiconductor can be reduced while hydrogen atoms through hydrogen process are conducted to the transistor. - 特許庁

電子を量子化された「基底状態」より低エネルギー準位、およびより小さい半径（より小さい半長径と半短径）に緩和するよう誘導することによって、水素原子（分子）からエネルギーを放出するための方法と装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for releasing energy from a hydrogen atom (molecule) by deriving an electron to be relieved to a lower energy level than quantized 'normal state' and a smaller radius (smaller half major axis and half minor axis). - 特許庁

このことによって、キャリア注入層の表面からキャリア注入層を構成する構成原子が脱離すること及び酸化や汚染に起因する、キャリア注入層と表面保護膜との界面に形成される界面準位の密度を低減できる。例文帳に追加

Thus, constituent atoms constituting the carrier injection layer can be prevented from separating off the surface of the carrier injection layer and the density of interface state of an interface between the carrier injection layer and the surface protective film can be reduced. - 特許庁

制御手段４０は、光検出手段３０の検出結果に基づいて、第１の光の所定の周波数成分と第２の光の所定の周波数成分の周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数に等しくなるように制御する。例文帳に追加

The control means 40 performs control so that a frequency difference between a prescribed frequency component of the first light and a prescribed frequency component of the second light becomes equal to a frequency equivalent to an energy difference of two ground levels of the alkali metal atom based on detection results of the light detection means 30. - 特許庁

中間膜を加熱した際でも、活性層12とゲート絶縁膜21との間の欠陥準位に水素化窒化シリコン膜により形成した層間絶縁膜25から水素原子を充分に供給するので、特性を劣化させることなく平坦化が可能になる。例文帳に追加

Hereupon, even when heating the intermediate film, hydrogen atoms are so fed sufficiently from the interlayer dielectric 25 formed by using the hydrogenized silicon nitride film to the defective levels present between an active layer 12 and the gate dielectric 21, as to be able to flatten the thin-film transistor without deteriorating its characteristics. - 特許庁

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。例文帳に追加

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond. - 特許庁

準安定準位を有する触媒ガスと、大気中の空気とを加湿装置１４を介して放電装置１５により形成された放電プラズマに供給することにより、上記空気中の一酸化炭素ガスを含む有害ガスが酸素と反応する際の触媒として作用する準安定状態にある原子の濃度を高めるようにして、上記空気中の一酸化炭素ガスを含む有害ガスを容易に且つ確実に除去することができるようにする。例文帳に追加

In the method for easily and reliably removing harmful gas containing carbon monoxide gas in air, a catalyst gas having a metastable level and atmospheric air are supplied to electric discharge plasma generated by an electric discharge apparatus 15 through a humidifying apparatus 14, so that the concentration of atoms in metastable state which cause reaction as a catalyst at the time of reaction of the harmful gas containing carbon monoxide gas in the air with oxygen. - 特許庁

(11) 重量や計測の単位はメートル制で表す。別の計測単位が使われている場合は，それに加えてメートル制も表示する。温度は摂氏で表す。別の計測単位が使われている場合は，それに加えて摂氏も表示する。その他の物理単位については，国際標準単位を用いる。数式については，一般に使われている記号を用いる。また，化学式については，記号，原子量及び分子式も一般に使われている記号を用いる。一般的には，その技術分野で良く使われている技術用語，記号及び略号を用いる。例文帳に追加

11. Units of weights and measures shall be expressed according to the metric system. If a different system is used, they shall also be expressed according to the metric system. Temperatures shall be expressed in degrees Celsius; if a different system is used, they shall also be expressed in degrees Celsius. For other physical values, the units of international practice shall be used; for mathematical formulae, the symbols in general use; and for chemical formulae, the symbols, atomic weights and molecular formulae in general use. In general, only technical terms, signs and symbols generally accepted in the field in question should be used. - 特許庁

結晶格子中に、２価あるいは３価の金属ドーパントを面的欠陥として持ち、金属イオン及び／又は金属原子が未酸化状態あるいは不飽和の低次酸化状態にあって、大きな不純物準位を有しながら標準的な格子定数に歪みを与えない結晶構造を有してなる高温合成された二酸化チタンを含有することを特徴とする化粧料の用酸化防止剤に効果のある二酸化チタン。例文帳に追加

The antioxidant for the cosmetic contains titanium oxide having a divalent or trivalent metal dopant in a crystal lattice as a plane defect, having a metal ion and/or a metal atom in an unoxidized state or an unsaturated low-level oxidation state, having a crystal structure giving no strain to a standard lattice constant while having a large impurity level, synthesized at high temperature and effective as the antioxidant for the cosmetic. - 特許庁

震災による事業所の損壊や東京電力（株）福島第一原子力発電所事故の影響による警戒区域、計画的避難区域、緊急時避難準備区域に事業者が位置することにより、事業所が休止になり休業を余儀なくされた場合、激甚災害の指定に伴う雇用保険の特例により、賃金を受けることのできない労働者に対し、離職していなくても、失業給付を受けることができる特例措置を実施した。例文帳に追加

Special action was taken to enable payment of unemployment benefits to workers who are unable to receive wages even if they have not lost their jobs. This was implemented through special provisions under the employment insurance system for areas that have been designated as having suffered severe damage, and applies to workers at business establishments that have had to place workers on leave due to stoppages resulting from damage caused by the earthquake or their being located in restricted areas, deliberate evacuation areas, or emergency evacuation-prepared areas affected by the nuclear crisis at Tokyo Electric Power’s Fukushima Daiichi Nuclear Power Station.  - 経済産業省