受動絶縁基板の英語

シリコン基板１表面に形成された能動素子２と、この能動素子２に離間して上記シリコン基板１表面に形成された絶縁膜３と、この絶縁膜３上に形成された受動素子４とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises: an active element 2 formed on the surface of the silicon substrate 1; an insulation film 3 formed on the surface of the silicon substrate 1 and separated from the active element 2; and a passive element 4 formed on the insulation film 3. - 特許庁

受動部品１６，１８，２０は半導体基板１０に配置される絶縁物質層１４に又は上に形成される。例文帳に追加

Passive parts 16, 18, 20 are formed in or on an insulation matter layer 14 arranged in the semiconductor board 10. - 特許庁

ｐ型のシリコン基板１１上に、ＳｉＯ_２ 等からなる絶縁分離層１２を設け、その絶縁分離層１２上に、受動素子として金属層１３からなるインダクタ１４を形成させるようにした。例文帳に追加

An insulating separation layer 12 constituted of SiO_2 or the like is formed on a p-type silicon substrate 11, and an inductor 14 constituted of a metal layer 13 is formed on the insulating separation layer 12 as a passive element. - 特許庁

基板６１と、基板６１上に金属配線によって形成された複数の受動素子６３，６４と、複数の受動素子６３，６４を外部に電気的に接続するための電極部７０とを備えており、各受動素子６３，６４は互いに絶縁されていることを特徴としている。例文帳に追加

Provided are a substrate 61, a plurality of passive elements 63, 64 formed from metal wiring on the substrate 61, and an electrode unit 70 for electrically connecting the plurality of passive elements 63, 64 to the outside, and the passive elements 63, 64 are insulated from each other. - 特許庁

複数層の配線を有する樹脂基板内に受動部品を内蔵してなる電子部品内蔵基板であって、前記受動部品は前記電子部品内蔵基板の前記複数層の中央部の絶縁層内に配置され、前記受動部品は少なくとも２種類以上の金属材料が合金を形成して電気的及び機械的に接続する材料を用いて前記配線層に接続されている電子部品内蔵基板である。例文帳に追加

The electronic component built-in substrate has the passive component built in a resin substrate having a plurality of layers of wiring, wherein the passive component is arranged in an insulating layer at a center part of the plurality of layers of the electronic component built-in substrate, and connected to the wiring layer using the material making electric and mechanical connections by forming an alloy of two or more kinds of metal materials. - 特許庁

複数層の配線を有する樹脂基板内に受動部品を内蔵してなる電子部品内蔵基板であって、前記受動部品は前記受動部品と電気的に接続される第１配線層と前記第１配線層に近接する第２配線層との間に存在する絶縁層内に配置され、前記第２配線層は少なくとも前記受動部品の実装面積より大きな開口部を有する電子部品内蔵基板である。例文帳に追加

An electronic component-incorporating substrate incorporating a passive component in a resin substrate having a plurality of layers of wiring wherein the passive component is arranged in an insulating layer existing between a first wiring layer which is electrically connected with the passive component and a second wiring layer which is proximate to the first wiring layer, and the second wiring layer has an opening larger than the mounting area of the passive component. - 特許庁

シリコン基板１上に形成された素子分離絶縁膜２の上に配線により誘導性受動素子を形成する際、シリコン基板として２ｋΩｃｍ以上でかつ４ｋΩｃｍ以下の比抵抗値、望ましくは３ｋΩｃｍの比抵抗値を有する基板を用いる。例文帳に追加

When the inductive passive element is formed of a wire on an element separating and insulating film 2 formed on a silicon substrate 1, a substrate which has a 2 to 4 kΩcm specific resistance value, preferably, a 3 kΩcm specific resistance value is used as the silicon substrate. - 特許庁