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基磨次の英語
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「基磨次」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 103件
次に、シリコン基板1の上面側を適宜に研磨する。例文帳に追加
The upper face-side of the silicon substrate 1 is appropriately polished. - 特許庁
情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス素板に1次研磨処理及び2次研磨処理を施すための研磨工程を経て製造される。例文帳に追加
The glass substrate for the information recording medium is manufactured through the polishing step of subjecting a glass base plate to primary polishing and secondary polishing. - 特許庁
次に、第1の研磨工程の後に行う第2の研磨工程では、半導体基板の基板中心部よりも基板縁部の研磨速度を速くする。例文帳に追加
In the second polishing process which is performed after the first polishing process, the polish speed of the substrate edge is made higher than that of the substrate core of the semiconductor substrate. - 特許庁
ガラス基板の切断分離後、切断分離面に研磨液を塗布して切断分離面を研磨し、次にこの研磨液を除去する。例文帳に追加
The method comprises cutting off a glass substrate, polishing the cutoff surface of the glass substrate with a polishing fluid, and subsequently removing the polishing fluid from the surface. - 特許庁
磁性研磨スラリーを用いた局所研磨を基板に施しても、磁性研磨スラリーの残留による凸欠陥や、次工程への磁性研磨スラリーの持込みによる凹欠陥の発生を防止する。例文帳に追加
To prevent a projection defect due to residual magnetic polisher slurry or a recess defect due to magnetic polishing slurry carried in a succeeding step, even when a substrate is subjected to local polishing using magnetic polishing slurry. - 特許庁
次に、研磨パッド102の上に研磨液110を滴下しながら、研磨定盤101と基板保持台104を回転させてウエハ103を研磨する。例文帳に追加
Next, a polishing liquid 110 is dropped onto the polishing pad 102, and the wafer 103 is polished while the polishing plate 101 and the substrate holding table 104 are being rotated together. - 特許庁
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「基磨次」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 103件
次に、ガラス基板を研磨する研磨具上に、スラリーの砥粒を均一に散布し、更にスラリーの液体成分を加えてスラリーを生成する。例文帳に追加
Next, to produce slurry, abrasive particles of the slurry are uniformly scattered on a polishing implement for polishing the glass substrate and a liquid component of the slurry is added thereto. - 特許庁
p側電極8を形成し、次に基板1の研磨を行い、n側電極9を形成する。例文帳に追加
A p-side electrode 8 is made, next the substrate 1 is polished, and an n-side electrode 9 is formed. - 特許庁
次に、研磨された半導体基板の裏面上の所定の箇所にマーキングする(ステップ2)。例文帳に追加
Then, a specific location on the polished rear of the semiconductor substrate is marked (step 2). - 特許庁
次に、半導体基板100の裏面研磨面101に電池効果防止膜105を形成する。例文帳に追加
A battery effect preventing film 105 is formed on the back polished surface 101 of the semiconductor substrate 100. - 特許庁
次に、生成したスラリーを用いて緩衝層の上からガラス基板の化学機械研磨を行う。例文帳に追加
The glass substrate is then chemically mechanically polished from above the buffer layer with the slurry produced. - 特許庁
次に、ダミー膜56を形成した基板母材31の表面の研磨を行う。例文帳に追加
Then, the surface of the substrate base material 31 including the formed dummy film 56 is polished. - 特許庁
次に、ガラス基板2の主表面を研磨して主表面の化学強化層を薄くする。例文帳に追加
A principal surface of the glass substrate 2 is ground to thin the chemically reinforced layer of the principal surface. - 特許庁
次に、上部ガラス基板を、充填部材が露出するレベルまで研磨する。例文帳に追加
Then, the upper glass substrate is polished to such a level that the filling member is exposed. - 特許庁
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