格子ぶたの英語

下部多層ミラーの上に、第１の格子定数とは異なる第２の格子定数を有する第４の半導体からなる歪緩和層３が配置されている。例文帳に追加

On the loser multilayered mirror, a strain-reducing layer 3 is arranged which is made of a 4th semiconductor having a 2nd grating constant different from the 1st grating constant. - 特許庁

第１の格子定数の第１の半導体からなる基板の表面上に、下部多層ミラーが配置されている。例文帳に追加

On the surface of a substrate made of a 1st semiconductor with a 1st grating constant, a lower multilayered mirror is arranged. - 特許庁

ここで、地雷除去容器１は、筒部２と上蓋部７と柱部６と格子部５と吊り部８とを備える。例文帳に追加

The mine removing vessel 1 is provided with a cylinder part 2, an upper lid part 7, a column part 6, a grid part 5, and a suspension part 8. - 特許庁

外部端子２は、配線基板裏面に等間隔に配置された列及び行を複数並べた格子状配列であり、格子状配列の外側の少なくとも２列もしくは２行には外部端子２１、２２が千鳥状に配列された領域１０を有してる。例文帳に追加

The external terminals 2 are arranged in a lattice form, in which two or more lines and columns located at equal intervals are arranged on the rear side of the wiring substrate, and in at least two outer lines or two outer columns on the lattice form, there is a region 10, where the external terminals 21, 22 are arranged into lattice forms. - 特許庁

本面発光型半導体レーザ素子は、一対の下部多層膜反射鏡、及び上部多層膜反射鏡を半導体基板上に有する垂直共振器型の半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の多層膜反射鏡が、半導体基板の格子定数より格子定数が大きい化合物半導体層と、半導体基板の格子定数より格子定数が小さい化合物半導体層とのペアで形成され、かつペアを構成する化合物半導体層のバンドギャップ波長が、レーザ発振波長より小さい。例文帳に追加

The vertical resonator type semiconductor laser element comprises a pair of upper and lower multilayer reflectors disposed on a semiconductor substrate wherein at least one multilayer reflector is formed of a pair of compound semiconductor layers having a lattice constant larger than that of the semiconductor substrate and a lattice constant lower than that of the semiconductor substrate, respectively, and the band gap wavelength of the pair of compound semiconductor layers is shorter than the laser oscillation wavelength. - 特許庁

外部端子を格子状に配置する半導体装置において、半導体素子と内部端子間の接続用配線を有効に引き出しつつ、電気的特性に優れた内部端子配置を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has internal terminal arrangement with superior electrical characteristics, while effectively leading out electric wires between a semiconductor element and internal terminals. - 特許庁

下部ノズルプレート５に上設の最下部支持格子３Ａから下向きに所要数のスリーブ７を突設し、下部端栓１ｂに周溝条１ｄの凹設された制御棒案内シンブル管１を最下部支持格子３Ａの上面部開口３ｄからスリーブ７内に嵌装して、周溝条１ｄをスリーブ７内に配装する。例文帳に追加

A specific number of sleeves 7 are thrusted downward, from the lowermost support grid 3A placed on a lower nozzle plate 5, a control rod guide thimble tube 1 provided with a surrounding groove 1d on a lower end plug 1b is coupled in the sleeve 7 from the upper surface opening 3d of the lowermost support grid 3A, and the surrounding groove 1d is distributed in the sleeve 7. - 特許庁