格子ばりの英語

超格子構造をアバランシェ増倍層とするアバランシェフォトダイオードにおいて、該超格子層のバリア層とウェル層の膜厚を最適に選択する。例文帳に追加

In an avalanche photodiode in which a super-lattice structure serves as an avalanche multiplying layer, the barrier layer and well layer of the super-lattice layer are set optimal in thickness. - 特許庁

格子定数の類似するキャップ層１ｂとバリア層１ｃとにより、赤外線を吸収してキャリアを放出する量子ドット１ａを埋め込む。例文帳に追加

A quantum dot 1a which radiates carrier by absorbing the infrared ray with a cap layer 1b and a barrier layer 1c having similar lattice constants is embedded. - 特許庁

装置は、バリア１００が使用され、汚染物（例えば、液滴及び／又は微粒子）は格子５０又はセンサ２０に接触することが防止される。例文帳に追加

In the apparatus, a barrier 100 is used to hinder contamination (e.g., a droplet and/or a particle) from reaching a grating 50 or a sensor 20. - 特許庁

第２の実施形態において、発光デバイスの活性領域は、量子井戸層とバリア層とが交互になっている超格子である。例文帳に追加

In a second embodiment, the active region of the light emitting device is composed of a supper lattice in which the quantum well layer and the barrier layer are formed alternately. - 特許庁

その際、格子周期に応じて、ダイヤモンドバイト３０の送り速度、振動振幅、あるいは送り量を制御し、バリの発生を防止する。例文帳に追加

In this case, generation of burrs is prevented by controlling the feed speed, vibration amplitude, or feed per stroke of the diamond cutting tool 30, in accordance with the grating period. - 特許庁

キャリアのバリアとなる材料を基板に対する格子整合条件によらず選択できるレーザ半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser semiconductor device for which a material for the barrier of a carrier can be selected regardless of lattice matching conditions of a substrate. - 特許庁

後加工で用いる次の工具の加工経路を、例えば両工具経路ＡとＢとの高さの相違する領域の格子群Ｓを求めて、第１工具経路Ａのうち格子群Ｓに対応する部分を包含する多角形Ｒの形状データとして決定する。例文帳に追加

A machining path of the next tool used in post-machining is decided, for example, as form data on polygons R containing portions of the first tool path A corresponding to lattice groups S that are computed in areas, with differences in height between both tool paths A and B. - 特許庁

その結果、水素シンター処理の際に拡散バリア３２で防止できなかった水素がＳＢＴ中の酸素と結合して酸素空格子が形成されても、上記正孔によって酸素空格子による電子が中和されて本強誘電体メモリ素子のリーク電流が極めて小さくなる。例文帳に追加

As a result, even if hydrogen which could not be prevented with a diffusion barrier 32, when the ferroelectric memory element is subjected to hydrogen sintering processing bonds with oxygen contained in the SBT thin film to form oxygen vacancies, electrons generated from the oxygen vacancies are so neutralized by the holes as to very much reduce the leakage current of the ferroelectric memory element. - 特許庁