標準ゲートの英語

有機ＥＬ表示装置が標準輝度モードと高輝度モードの表示が可能な場合、標準モードのときにＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのゲート電位を所定値にリセットする時間が多くかかる。例文帳に追加

To solve the problem that it takes a lot of time for resetting gate potential of an OLED driving TFT to a predetermined value in a standard mode when an organic EL display device can perform display in a standard luminance mode and a high luminance mode. - 特許庁

低いゲート・ドレイン間容量（Ｃ_GD）を提供し、その上で、標準ＣＭＯＳフローと互換性を持つ製造工程を提供する。例文帳に追加

To provide fabrication steps which provide a low gate-to-drain capacitance (C_GD) and are compatible with standard CMOS flow. - 特許庁

すなわち電圧降下センサとして動作する複数の標準セル（１）の出力信号がＯＲ回路（２）によりゲートされる。例文帳に追加

That is to say, output signals of a plurality of normal cells acting as the voltage drop sensors are gated by an OR circuit (2). - 特許庁

活性領域１４〜１７およびゲート配線２１〜２５が配置する標準セルにおいて、活性領域１４、１５、１６、１７におけるゲート幅方向の長さを、ゲート長方向の端部において最大にする。例文帳に追加

In the standard cell wherein active regions 14 to 17 and gate wires 21 to 25 are arranged, length in the gate-width direction of the active regions 14, 15, 16, and 17 is maximized at the end in the gate-length direction. - 特許庁

しかし、垂直同期がとれていない非標準モードにおいてはマクロビジョン信号期間においてもゲートをかけずにゲート動作を行い、水平同期信号の引き込みを早くする。例文帳に追加

However, in the nonstandard mode where vertical synchronization is not taken, no gate signal is received even for a macro vision signal period, but the gate operation is conducted to quickly pull-in the horizontal synchronizing signal. - 特許庁

予備ゲート論理は標準のセル論理よりも少ない論理ゲートからなるので、標準セルＡＳＩＣアレイに伴う生産の経済性が可能になり、最上位金属レベルしか変更不要なので、経済的かつ迅速に論理エラーを修理し、論理機能性の変更を実現できる。例文帳に追加

As the auxiliary gate logic is composed of logic gates smaller than the standard cell logics, production economy following a standard cell ASIC array is possible, and as only an uppermost metal level is unrequired for changing, it is possible to repair economically and promptly logic errors and to realize changes of logic functionality. - 特許庁

論理合成を行うための基本ゲートなどからなる回路部品ライブラリ１０に遅延値だけではなく遅延値の分散（標準偏差）の値を持たせる。例文帳に追加

Not only delay values but also the value of the dispersion (standard deflection) of the delay values are stored in a circuit component library 10 constituted of a basic gate for operating logical synthesis. - 特許庁

ＭＩＳＦＥＴ２０１、２０２同士の間の閾値電圧のばらつきの標準偏差は、各ＭＩＳＦＥＴにおける単位ＭＩＳＦＥＴのそれぞれのゲート長とゲート幅との積の総和であるチャネル面積と同一の面積を有する単一のＭＩＳＦＥＴ同士の間の閾値電圧のばらつきの標準偏差よりも小さい。例文帳に追加

A standard deviation of variation of threshold voltage between the MISFETs 201 and 202 is smaller than a standard deviation of variation of threshold voltage between the unit MISFETs having the same area as a channel area that is the summation of products of the gate length and the gate width of respective unit MISFETs in each MISFET. - 特許庁