発光性再結合の英語

短波長のＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子において、活性層での電子・正孔の発光再結合確率を上げて、輝度を高めること例文帳に追加

To provide a light-emitting semiconductor device constructed with a short wave length AlGaInP material in which an intensity can be increased by raising an emission recombination probability between an electron and an electron hole in an active layer. - 特許庁

これにより、発光層２０におけるホール及び電子の双方の移動度が高められ、両者が効率よく再結合するようにキャリアバランス良好な状態に保つことができるようになるため、発光輝度、発光効率などの素子特性を長期間にわたって高水準に維持することが可能となる。例文帳に追加

Consequently, mobility of both hole and electron is enhanced in the emission layer 20 and since good carrier balance state can be sustained such that they are recombined efficiently, such element characteristics as emission luminance and emission efficiency can be sustained at a high level over a long term. - 特許庁

これにより、発光層２０におけるホール及び電子の双方の移動度が高められ、両者が効率よく再結合するようにキャリアバランス良好な状態に保つことができ、発光輝度、発光効率などの素子特性を長期間にわたって高水準に維持することが可能となる。例文帳に追加

Consequently, mobility of both hole and electron is enhanced in the emission layer 20 and good carrier balance state can be sustained such that they are recombined efficiently. - 特許庁

活性層とクラッド層を有し、活性層において生じる放射性再結合により光を放射するときの劣化を軽減した発光ダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting diode of a structure, wherein the diode has an active layer and clad layers and the deterioration of the diode at the time when light is radiated by an emission recombination generated in the active layer is reduced. - 特許庁

半導体活性層１４を２つの電極１１，１２により挟設し、電極１１，１２間に直流電圧を印加することにより、キャリアを注入して半導体活性層におけるキャリアの再結合により発光する半導体発光装置１０である。例文帳に追加

A device 10 is a semiconductor light-emitting device in which a semiconductor activation layer 14 is sandwiched between electrodes 11 and 12, a DC voltage is applied between the electrodes 11 and 12, a carrier is injected, and light is emitted due to the recombination of the carrier in the semiconductor activation layer. - 特許庁

半導体発光素子の活性層には、入射した電子線により電子が供給され、アノード電極からホールが注入され、これら電子とホールは活性層において再結合して所定の波長光が放出される。例文帳に追加

Electrons are supplied to the active layer of the semiconductor light emitting element by the entered electron beam, holes are implanted from an anode electrode, and the electrons and the holes are recombined with each other, and light having a predetermined wavelength is emitted. - 特許庁

半導体レーザの側方ファセットにおける非放射性再結合による熱発生がアクティブ層において緩和される、改善されたエッジ発光型半導体レーザを提供する例文帳に追加

To provide an improved edge emission type semiconductor laser capable of moderating heat generation by non-emissive re-coupling in a side facet of a semiconductor laser in an active layer. - 特許庁

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。例文帳に追加

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light. - 特許庁