薄膜ひ化ガリウムの英語

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加

The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3. - 特許庁

アルミニウム、ガリウムもしくはインジウムと、硫黄、セレンもしくはテルルとを含む化合物薄膜、および該化合物薄膜の表面に互いに間隔をあけて付設された一対の電極からなる光導電素子。例文帳に追加

The photoconductive element is composed of a compound thin film containing aluminum, gallium or indium and sulfur, selenium or tellurium and a pair of electrodes attached with a space on the surface of the compound thin film. - 特許庁

基板と、前記基板表面に形成され、平均粒径が１０〜５０ｎｍの酸化ガリウム結晶を有する薄膜と、前記薄膜表面に形成された一対の電極とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The oxygen gas detector is equipped with a substrate, the thin film, which has gallium oxide crystals with a mean particle size of 10-50 nm, formed on the surface of the substrate and a pair of electrodes formed on the surface of the thin film. - 特許庁

基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。例文帳に追加

The laminate has the buffer layer formed of at least one kind or more selected from a group composed of a gallium oxide thin film, an oxide thin film formed of gallium, indium and oxygen, and a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including at least one kind or more of elements selected from a titanium oxide as a main component and from niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, and tungsten are formed on its buffer layer. - 特許庁

窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする高品質の単結晶薄膜を得、該単結晶薄膜が形成された薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子を実現する。例文帳に追加

To obtain a high-quality single crystal thin film essentially comprising at least one kind or more selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride, to obtain a thin film substrate furnished with the above single crystal thin film, and to obtain a light emitting element having excellent luminous efficiency. - 特許庁

シリコン、ガリウム砒素などからなるの電子部品基板の表面に形成される多層配線用薄膜に対する研磨能力に優れ、該薄膜を変性させることなく高い研磨速度で研磨することができ、研磨後の薄膜が高い平坦化度を有する研磨用スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide a slurry for polishing which has excellent polishing capability for a thin film for a multilayer interconnection formed on the surface of an electronic part substrate made of a silicon, a gallium arsenide, etc., which can polish at a high polishing speed without denaturing the thin film and in which the thin film after polishing has a high flattening degree. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。例文帳に追加

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor using an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode or drain electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the thin-film transistor. - 特許庁