薄膜エミッタの英語

ＢＮ薄膜の表面にコーン・エミッタを形成する方法であって、基板表面に形成した平坦な表面を持つアモルファスＢＮ薄膜表面に紫外光を照射して、結晶化することを特徴とするコーン・エミッタの形成方法。例文帳に追加

A method for forming a cone emitter on the top surface of a BN thin film performs the crystallization by irradiating the ultraviolet light onto the top surface of the amorphous BN thin film that is formed on the top surface of a substrate and has a flat top surface. - 特許庁

絶縁層３上に蒸着法又はメッキ法により形成したコレクタ用メタル薄膜１０、エミッタ用メタル薄膜１１およびベース用メタル薄膜１２と、これら各メタル薄膜に貼り付けた薄板のリード端子４，５，６とを備えたものである。例文帳に追加

A collector metal thin film 10, an emitter metal thin film 11 and a base metal thin film 12 formed by a deposition method or a plating method, and thin plate lead terminals 4, 5, 6 stuck on these metal thin plates are provided on an insulation layer 3. - 特許庁

この積層体の外側には、有機半導体薄膜３に接してエミッター電極となる電極２を形成し、有機半導体薄膜５に接してコレクター電極となる金属電極６を形成した。例文帳に追加

On the outside of the laminate, an electrode 2 becoming an emitter electrode is formed in contact with the organic semiconductor thin film 3 and a metal electrode 6 becoming a collector electrode is formed in contact with the organic semiconductor thin film 5. - 特許庁

絶縁基板（１０１）上に形成された半導体薄膜（１０５）に形成されたエミッタ（１０２）、ベース（１０３）、およびコレクタ（１０４）を有するラテラルバイポーラトランジスタ（１００）において、半導体薄膜（１０５）が所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるラテラルバイポーラトランジスタ。例文帳に追加

A lateral bipolar transistor (100) has an emitter (102), a base (103), and a collector (104) which are formed on a semiconductor thin film (105) formed on an insulating substrate (101), wherein the semiconductor thin film (105) is a semiconductor thin film crystallized in a predetermined direction. - 特許庁

基板表面にゲート電極７４と、エミッタ電極７５ａと、コレクタ電極７６ａとを有する素子の表面部を除く周辺を薄膜ダイオード（６９ａ、６３、６８ａ）で覆い、ダイオードのカソードをエミッタ電極に、アノードをコレクタ電極に接続した。例文帳に追加

A periphery, excluding the surface provided with a gate electrode 74, an emitter electrode 75a, and a collector electrode 76a formed on the surface of a substrate, is covered with thin-film diodes (69a, 63, 68a), and a cathode of the diode is connected with the emitter electrode 75a, and an anode thereof is connected with the collector electrode 76a. - 特許庁

例えば、エミッタ電極１のダイヤモンド半導体薄膜１ｂに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約５．１ｅＶに存在し、コレクタ電極２のダイヤモンド半導体薄膜２ｂに対して窒素を添加すると、ドナー準位は伝導帯から約１．７ｅＶに存在する。例文帳に追加

For example, when boron is added to a diamond semiconductor thin film 1b of the emitter electrode 1, an acceptor level is present at approximately 5.1 eV from a conduction band and when nitrogen is added to a diamond semiconductor thin film 2b of the collector electrode 2, a donor level is present at approximately 1.7 eV from the conduction band. - 特許庁

絶縁膜上に薄膜ＳｉＧｅバッファ層とひずみＳｉチャネルを積層したＭＯＳＦＥＴおよび、同じく薄膜ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長したＳｉＧｅベース層およびその上のＳｉエミッタ層を有するＨＢＴを複合化した構造を採用する。例文帳に追加

MOSFETs, in each of which a thin-film SiGe buffer layer and a strained Si channel grown on an insulating film are stacked, and an HBT (hetero-bipolar transistor) having a SiGe base layer epitaxially grown on the same thin-film SiGe layer and a Si emiter layer thereon, are formed to constitute a composite structure. - 特許庁

窒化ホウ素膜表面に先端の尖った結晶が自己相似性フラクタル模様を呈して電子放出に適った密度で二次元分布してなる窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法例文帳に追加

BORON NITRIDE THIN FILM EMITTER MADE BY CRYSTAL WITH POINTED TIP TAKING ON SELF-SIMILARITY FRACTAL PATTERN TWO-DIMENSIONALLY DISTRIBUTED AT DENSITY SUITED FOR ELECTRON EMISSION ON BORON NITRIDE FILM FRONT SURFACE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁