表面錯体形成の英語

ＣＭＰ処理により形成された埋込み配線層表面の銅錯体を効果的に除去してその表面を清浄化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing a semiconductor device in which the surface of a buried wiring layer formed by CMP processing can be cleaned by removing copper complex effectively from the surface. - 特許庁

遷移金属およびイミドアニオンからなる錯体を電解液に添加することにより、長期サイクルにわたり安定な皮膜を負極表面に形成する。例文帳に追加

A stable coat is formed on the surface of a negative electrode over a long cycle by adding a complex comprising a transition metal and an imide anion to the electrolyte. - 特許庁

アセチルアセトナート錯体は担体の表面水酸基に選択的に吸着担持され、これにより担持されたアルカリ土類金属には水酸基が形成される。例文帳に追加

The acetylacetonato complex is selectively adsorbed and carried by hydroxyl group of a carrier surface and thereby hydroxyl group is formed onto the carried alkaline earth metal. - 特許庁

その後、版による印刷の前に、表面の露光された部分が親水性になって、表面が親水性および疎水性の領域へと構造化されるように、少なくとも１つの錯体形成物質によって表面を処理する。例文帳に追加

Subsequently, before the printing by the plate, the plate surface is processed with at least one complex substance so that the exposed surface section becomes hydrophilic and is structured into the hydrophilic domain and the hydrophobic domain. - 特許庁

本発明の活物質の製造方法では、金属酸化物に対して金属フルオロ錯体を含む水溶液を接触させることにより、金属酸化物の表面に表面改質層２を形成する。例文帳に追加

In the process for production of the active material, an aqueous solution containing a metal fluorocomplex is contacted with a metal oxide to form a surface-modified layer 2 on the surface of the metal oxide. - 特許庁

金属原料ガス供給ライン１５により基板３表面に金属錯体を供給して金属原子層を形成した後、金属錯体の供給を停止して高温不活性ガスによるパージを行う。例文帳に追加

After so feeding a metal complex to the surface of a substrate 3 by the gas feeding line 15 for metal raw materials as to form a metal-atom layer on the surface, the feeding of the metal complex is so stopped as to purge the metal complex by a high-temperature inert gas. - 特許庁

弁金属粉末を成型・焼結し、さらに誘電体酸化皮膜を形成したコンデンサ素子の表面に金属ポルフィリンまたは金属フタロシアニンからなる酸素担持錯体を付着させ、その酸素担持錯体の上に導電性高分子よりなる固体電解質を形成する。例文帳に追加

Valve metal powder is molded and sintered, an oxygen-supported complex of a metalloporphyrin or metal phthalocyanine is adhered to the surface of a capacitor element 1 having a dielectric oxide film formed thereon, and a solid electrolyte of the conductive polymer is formed on the oxygen-supported complex. - 特許庁

第二の洗浄液に、（ｃ）化学的機械的研磨処理をした後に表面に残留する金属不純物と錯体を形成しやすい第二の錯化剤を添加してもよい。例文帳に追加

A second complexing agent easily forming metal impurities and complex still remaining on the surface after chemical mechanical polishing may be added. - 特許庁