誘電過程の英語

ＣＭＯＳ集積過程での高温処理の後であっても一定の閾値電圧を維持する高ｋゲート誘電体の提供。例文帳に追加

To provide a high-k gate dielectric which maintains a constant threshold voltage even after a high temperature process in a CMOS integration step. - 特許庁

この冷却過程で熱膨張率の差により強誘電体に面内方向の圧縮応力が印加され、強誘電体のｃ軸が厚さ方向（基板面に対し垂直方向）に配向する。例文帳に追加

In the cooling process, compressive stress in an in-plane direction is applied to the ferroelectric substance due to the difference in the thermal coefficent of expansion, and a (c) axis in the ferroelectric substance is oriented in a thickness direction (vertical direction to a substrate surface). - 特許庁

スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止し、優れた強誘電体特性を有する容量素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a capacitive element excellent in ferroelectric characteristics by preventing plug oxidation in, and by preventing iridium diffusion into, a capacitor dielectric film in the process of capacitor dielectric film crystallization for a stacked type capacitive element. - 特許庁

強誘電体素子に、所定の時間だけ、双極性パルス波形を有する信号を印加する過程と、所定の時間間隔及び所定の振幅変化幅で徐々に双極性パルス波形を有する信号の振幅を減少させる過程と、を設ける。例文帳に追加

This method is provided with a process that signals having bipolar pulse waveforms are applied to ferroelectric elements for a prescribed time and a process that amplitudes of the signals having bipolar pulse waveforms are gradually reduced in predetermined intervals of time and with a prescribed amplitude change width. - 特許庁

高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法、より詳しくは微粒状態の強誘電体セラミックス粉末を高分子物質で成されたマトリックスに均一に分散させ誘電体厚膜を焼結過程無しに製造することが出来る高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix, more specifically, a method of manufacturing the dielectric ceramic thick film using the polymer matrix, by which a dielectric thick film in which ferroelectric ceramic fine particles are uniformly dispersed in a matrix made from a polymer material can be manufactured without using a sintering process. - 特許庁

強誘電体薄膜の加熱結晶化過程において、下地電極層表面が平滑の場合には結晶化開始時の結晶状態に不均一性があり、このために強誘電体層全体の結晶性ひいては膜特性を低下させる。例文帳に追加

To solve the problem of a crystallinity, furthermore a film characteristics, of the entire ferroelectrics layer deteriorating because the crystalline state at the start of crystallization is uneven, if the base electrode layer surface is smooth in a heating/crystallizing process of a ferroelectrics thin film. - 特許庁

結晶化過程をモニターしアモルファス領域が完全に消滅したところで終点とする、あるいは基板上の強誘電体成膜のどの領域でも一様な強誘電特性を有する成膜の結晶化方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a crystallization method for a film, where an end point is set in a point in which an amorphous region disappears completely by monitoring a crystallization process or a uniform ferroelectric characteristic is provided in an region of a ferroelectric film on a substrate. - 特許庁

本発明は、プラズマを利用して強誘電体キャパシタ上部を覆う層間絶縁膜をエッチングする過程において、電子密度及びイオン密度増加による強誘電体キャパシタ特性低下を防止できる、半導体メモリ素子の製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element wherein deterioration of characteristics of a ferroelectric capacitor which is to be caused by increase of electron density and ion density can be prevented in a process, in which an interlayer insulating film which covers an upper part of the ferroelectric capacitor is etched by using a plasma. - 特許庁