「誘電過程」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

製造過程で強誘電体キャパシタの特性劣化のない半導体装置の製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which the characteristics of a ferroelectric capacitor do not deteriorate during fabrication process. - 特許庁

製造過程において溶液の影響が誘電体層に及び難い積層構造体、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laminate structure in which a solution hardly influences a dielectric layer during a manufacturing step, and a manufacturing method thereof. - 特許庁

ＣＭＯＳ集積過程での高温処理の後であっても一定の閾値電圧を維持する高ｋゲート誘電体の提供。例文帳に追加

To provide a high-k gate dielectric which maintains a constant threshold voltage even after a high temperature process in a CMOS integration step. - 特許庁

この冷却過程で熱膨張率の差により強誘電体に面内方向の圧縮応力が印加され、強誘電体のｃ軸が厚さ方向（基板面に対し垂直方向）に配向する。例文帳に追加

In the cooling process, compressive stress in an in-plane direction is applied to the ferroelectric substance due to the difference in the thermal coefficent of expansion, and a (c) axis in the ferroelectric substance is oriented in a thickness direction (vertical direction to a substrate surface). - 特許庁

スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止し、優れた強誘電体特性を有する容量素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a capacitive element excellent in ferroelectric characteristics by preventing plug oxidation in, and by preventing iridium diffusion into, a capacitor dielectric film in the process of capacitor dielectric film crystallization for a stacked type capacitive element. - 特許庁

強誘電体素子に、所定の時間だけ、双極性パルス波形を有する信号を印加する過程と、所定の時間間隔及び所定の振幅変化幅で徐々に双極性パルス波形を有する信号の振幅を減少させる過程と、を設ける。例文帳に追加

This method is provided with a process that signals having bipolar pulse waveforms are applied to ferroelectric elements for a prescribed time and a process that amplitudes of the signals having bipolar pulse waveforms are gradually reduced in predetermined intervals of time and with a prescribed amplitude change width. - 特許庁

高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法、より詳しくは微粒状態の強誘電体セラミックス粉末を高分子物質で成されたマトリックスに均一に分散させ誘電体厚膜を焼結過程無しに製造することが出来る高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix, more specifically, a method of manufacturing the dielectric ceramic thick film using the polymer matrix, by which a dielectric thick film in which ferroelectric ceramic fine particles are uniformly dispersed in a matrix made from a polymer material can be manufactured without using a sintering process. - 特許庁

強誘電体薄膜の加熱結晶化過程において、下地電極層表面が平滑の場合には結晶化開始時の結晶状態に不均一性があり、このために強誘電体層全体の結晶性ひいては膜特性を低下させる。例文帳に追加

To solve the problem of a crystallinity, furthermore a film characteristics, of the entire ferroelectrics layer deteriorating because the crystalline state at the start of crystallization is uneven, if the base electrode layer surface is smooth in a heating/crystallizing process of a ferroelectrics thin film. - 特許庁

結晶化過程をモニターしアモルファス領域が完全に消滅したところで終点とする、あるいは基板上の強誘電体成膜のどの領域でも一様な強誘電特性を有する成膜の結晶化方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a crystallization method for a film, where an end point is set in a point in which an amorphous region disappears completely by monitoring a crystallization process or a uniform ferroelectric characteristic is provided in an region of a ferroelectric film on a substrate. - 特許庁

本発明は、プラズマを利用して強誘電体キャパシタ上部を覆う層間絶縁膜をエッチングする過程において、電子密度及びイオン密度増加による強誘電体キャパシタ特性低下を防止できる、半導体メモリ素子の製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element wherein deterioration of characteristics of a ferroelectric capacitor which is to be caused by increase of electron density and ion density can be prevented in a process, in which an interlayer insulating film which covers an upper part of the ferroelectric capacitor is etched by using a plasma. - 特許庁

少なくとも第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、反射層をこの順又は逆順に有する光記録媒体の製造過程において、記録層の膜厚が所定の範囲から外れた不良媒体の、シンプルかつ低コストな検査方法の提供。例文帳に追加

To provide a simple and low-cost inspecting method of a poor medium in which the thickness of a recording layer separated from a predetermined extent in the manufacturing process of the optical recording medium having at least first dielectric layer, the recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer at this order or inverse order. - 特許庁

ＣＶＤなどの堆積法により導電層と誘電体層を交互にナノスケールの厚さに堆積し、堆積層に略垂直な断面により、これら堆積過程で制御されたナノスケールの導電層と誘電体層が交互に配置されたすだれ状の構造１１，１２を得る。例文帳に追加

Interdigital structures 11 and 12 are formed by alternately arranging the conductive layer and the dielectric layer of a nano scale controlled in a deposition process, and are obtained by a cross section substantially vertical to a deposition layer by alternately depositing the conductive layer and the dielectric layer in the thickness of the nano scale by a deposition method such as CVD. - 特許庁

この嵌入式のバリア層は、コンデンサ誘電層を堆積する時、或いはその後の高温過程で、該コンデンサ誘電層が酸化するのを防ぐことができ、これにより、バリア層と記憶電極が直接接触する時に生じうる漏電や信頼度の問題を解決することができる。例文帳に追加

This insert-type barrier layer can prevent oxidation of a capacitor dielectric layer when the capacitor dielectric layer is deposited or in a high temperature process thereafter, resulting in preventing leakage and reliability problems which could be generated when the barrier layer and a memory electrode are brought into direct contact with each other. - 特許庁

本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子において、強誘電性液晶として、降温過程においてスメクチックＡ相を経由してカイラルスメクチックＣ相を発現する材料を用い、単安定性の動作モードを示す液晶表示素子を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display element using a ferroelectric liquid crystal, which takes on a monostable mode of operation by using a material exhibiting a chiral smectic C phase via a smectic A phase in a temperature lowering process as the ferroelectric liquid crystal. - 特許庁

本過程は、高い誘電率と、さらに触媒によって補強されて反応溶媒に生み出される、分極機構および電気伝導度によってマイクロ波エネルギーを分散させることによって生じる。例文帳に追加

The process occurs by dispersing the microwaves' energy using a polarization mechanism and electric conductivity generated in the reaction medium by virtue of the high dielectric permittivity, further enhanced by the catalyst. - 特許庁

本発明は最初に誘電体層の粘着特性によって中間層である二つの金属層をビルドアップ構造の形成過程にて分離させず、最後に二つの金属層の周囲の誘電体層部分を切断することにより、二つの金属層を円滑に分離させることで、プロセスを簡略化することができる。例文帳に追加

Owing to the adhesive characteristic of the dielectric layers, the two metal layers as intermediate layer are unlikely to separate from each other during formation of the built-up structures, but after portions of the dielectric layer around the periphery of the two metal layers are finally cut, the two metal layers can be readily separated from each other, and the process can be simplified. - 特許庁

キャリア１０と第１誘電体層１４の材料を選択することによって、キャリア１０と第１誘電体層１４との間の付着力により、ＩＣ整合基板８が製造過程においてキャリア１０から剥離することなく、カット処理の際に、カットされたＩＣ整合基板８がキャリア１０から自然分離する。例文帳に追加

The material of the carrier 10 and that of the first dielectric layer 14 are selected to provide adhesion between the carrier 10 and the first dielectric layer 14, so that the IC integrated substrate 8 is prevented from peeling off the carrier 10 during manufacturing processes, and that the IC integrated substrate 8 is naturally separated from the carrier 10 after being cut. - 特許庁

フローティングゲート用ポリシリコン層をドーフトポリシリコン層とアンドーフトポリシリコン層の積層構造で形成することにより、誘電体膜を形成する過程又は他の後続工程でポリシリコン層と誘電体膜の界面でポリシリコン層が酸化することを防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing flash memory devices that prevents a polysilicon layer from being oxidated on the interface of the polysilicon layer and dielectric film in the dielectric film formation process and the subsequent process, by forming a floating-gate polysilicon layer in a laminated structure of doped and undorped polysilicon layers. - 特許庁

血小板を活性化あるいは不活化する物質を血液に添加することにより該血液の凝固過程で測定される複素誘電率スペクトルに生じる変化に基づいて、前記血液の凝固能に関する情報を取得する血液凝固系解析方法を提供する。例文帳に追加

A blood coagulation system analysis method is provided for acquiring information on blood coagulation property on the basis of a change incurred in a complex dielectric constant spectrum measured in a blood coagulation process by adding to blood a material that activates or inactivates platelets. - 特許庁

本発明は半導体メモリ装置に関し、特に不揮発性強誘電体レジスタを利用してモードレジスタをセッティングすることにより、システムのパワーアップ時にモードレジスタを再びセッティングする過程を省略できるようにする技術を開示する。例文帳に追加

To provide technology for omitting a process for setting a mode register again at the time of power-up of a system by setting the mode register utilizing especially a nonvolatile ferroelectric register, with respect to a semiconductor memory device. - 特許庁

ビアホール近傍の層間絶縁膜がレジスト剥離工程において劣化しその付近の比誘電率が他の部分のそれより大きくなることを、論理セルライブラリ生成過程において考慮に入れるようにしてシミュレーション精度を向上させる。例文帳に追加

To enable simulations to be improved in accuracy taking the fact that a part of an interlayer insulating film near a viahole is deteriorated in a resist separating process and becomes larger in permittivity than the other part into consideration in a logic cell library generating process. - 特許庁

適度なガラス熱膨張係数、低い熱膨張屈伏点、ガラス転移点を有し、溶融−冷却過程や再熱処理においても失透が析出し難く、P_2O_5−B_2O_3の不混和もなく、基板上の導電体パターン等の被覆に適した誘電率の低いガラス。例文帳に追加

To provide low permittivity glass suitable for coating an electric conductor pattern on a substrate, etc., with moderate coefficient of thermal expansion, low thermal expansion yielding point, and glass transition point, and less prone to deposit devitrification even in melting-cooling process or reheat treating without liquation of P2O5-B2O3. - 特許庁

像担持体上に形成された潜像をトナーにより現像して得られたトナー像が転写される中間転写体であって、表面電位の絶対値及び該絶対値の減衰時間により決定される表面電位の減衰特性から下記式（１）を用いて得られる誘電緩和過程の時定数τが、１．５秒未満であることを特徴とする中間転写体。例文帳に追加

In the intermediate transfer body to which a toner image obtained by developing a latent image formed on an image carrier with toner is transferred, the time constant τ of a dielectric relaxation process obtained from decay characteristics of the surface electric potential determined by the absolute value of the surface electric potential and the decay time in the absolute value, using expression (1), is <1.5 seconds. - 特許庁

積層セラミックコンデンサなどの電子部品に用いられる内部電極用の導電性ペーストにおいて、脱バインダや焼成の過程における導電性金属粉末の酸化が少なく、且つ、印刷後の乾燥密度が高い導電性ペーストを提供するとともに誘電的特性と信頼性に優れる電子部品を提供すること。例文帳に追加

To provide a conductive paste containing conductive metal powder without being easily oxidized in a process of binder removal or baking, and having high dry density after printing, in a conductive paste for an internal electrode used for an electronic part such as a laminated capacitor, and to provide an electronic part having an excellent dielectric characteristic and high reliability. - 特許庁

反強誘電性相または三安定状態以上の応答特性を示す相からＳｍＡ相への転移温度が、昇温過程で観察して９０℃以上であり、かつ前記転移温度よりも少なくとも４０℃以上低い温度における応答速度τが５．０μｓｅｃ以下であることを特徴とする液晶化合物。例文帳に追加

This liquid crystal compound is characterized by a ≥90°C transition temperature from a phase representing the response characteristic of the antiferroelectric phase, or the tristable phase or more to the SmA phase, observed in a temperature-raising step, and ≤5.0 μsec of the response speed τat a temperature at least ≥40°C lower than the transition temperature. - 特許庁

本発明は誘電体と導体とから構成されるグリーン積層セラミック基板４の焼成において、先ずグリーン積層セラミック基板４に荷重を加えた状態で焼成を開始し、その後、焼成過程中において前記荷重を取り除いて焼成を進めるセラミック基板の製造方法とする。例文帳に追加

In the manufacturing method, when baking a green laminated ceramic board 4 formed out of a dielectric and conductors, the baking is so started firstly in the state of applying a load to the green laminated ceramic board 4 as to progress the baking by removing thereafter the load from the board 4 in the course of the baking. - 特許庁

得るべき樹脂ロールの外径に略等しい内径を有する成形パイプ２０内に、流動性樹脂原料Ｍを伴った長尺のシート９２，９４の移送過程において少なくとも誘電発熱原理により該原料Ｍを反応・硬化させて樹脂ロール長尺物ＬＲを製造する工程で、該長尺のシート９２，９４を徐々に筒状に成形して前記成形パイプ２０の内部通過を許容するよう構成する。例文帳に追加

This apparatus for producing cylinder has a process for producing a long resin roll product LR by reacting and curing the flowable resin raw material M at least according to a dielectric heat generating theory in a process for transferring long sheets 92 and 94 accompanying the flowable resin raw material M through the molding pipe 20 of which the inner diameter is almost equal to the outer diameter of the resin roll to be obtained. - 特許庁