辺縁性の英語

ヒートボルトとヒートボルト周辺との間の熱的絶縁性を確保すること。例文帳に追加

To secure thermal insulation between a heat bolt and the periphery of the heat bolt. - 特許庁

電極間絶縁膜にHigh-k材料を用いても周辺トランジスタの性能を劣化させない。例文帳に追加

To prevent the degradation in the performance of a peripheral transistor even when using a high-k material for an inter-electrode dielectric. - 特許庁

その後、液滴吐出法を用いて導通ポスト２０の周辺部に絶縁性機能液を塗布する。例文帳に追加

Then, an insulating functional fluid is applied on the circumference of the conductive post 20 by using the entrainment discharge method. - 特許庁

ハンダ用ランド１４の領域周辺には絶縁性の保護膜１３が形成されている。例文帳に追加

An insulation protection film 13 is formed around the region of the land 14 for soldering. - 特許庁

磁気ヘッドのライト素子３の周辺の浮上面近傍に剛性の高い絶縁材料で形成された第１の絶縁部材８−１を配置し、第１の絶縁部材８−１周辺の浮上面近傍の一部に剛性の低い絶縁材料で形成された第２の絶縁部材４を配置する。例文帳に追加

The magnetic head includes: a first insulating member 8-1 made of a highly rigid insulating material formed near an air bearing surface around the write element 3 of the magnetic head; and a second insulating member 4 made of a low-rigid insulating material formed at a part of near the air bearing surface around the first insulating member 8-1. - 特許庁

電柱絶縁防具２は、絶縁性の絶縁具本体４と、絶縁具本体４の矩形の一の短辺５ａに取り付けられる挟持部６と、絶縁具本体４と挟持部６との取付部分に設けられたバネ材８とを備える。例文帳に追加

The pole insulation protector 2 has an insulator body 4, a clamping portion 6 fixed to one short side 5a of the rectangular insulator body 4, and a spring member 8 provided at the fixing portion of the insulator body 4 and the clamping portion 6. - 特許庁

素子分離絶縁膜４では、活性領域１ｂの周辺に位置する周辺部分４ｂの上面が活性領域１ｂの上面よりも下方に位置し、活性領域１ｃの周辺に位置する周辺部分４ｃの上面が活性領域１ｃの上面よりも下方に位置している。例文帳に追加

In the isolation insulation film 4, the upper surface of a periphery 4b provided around the active region 1b is positioned below the upper surface of the active region 1b, and the upper surface of a periphery 4c provided around the active region 1c is positioned below the upper surface of the active region 1c. - 特許庁

メモリセル部のトンネル絶縁膜の膜質改善を行うため窒化処理を施しても、周辺回路部の周辺トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁耐性の劣化及びフィールド絶縁膜の素子分離耐性の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the deterioration of the resistance to insulation of gate insulation film of a peripheral transistor for a peripheral circuit unit as well as the resistance to separation of element of a field insulation film, even when nitriding treatment for improving the quality of a tunnel insulation film in a memory cell unit is applied. - 特許庁