量子伝導性の英語

サファイア基板上の高性能段差型超伝導量子干渉素子およびその作製方法例文帳に追加

HIGH PERFORMANCE STEP-EDGE SUPERCONDUCTING QUANTUM INTERFERENCE DEVICE ON SAPPHIRE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

超伝導量子干渉素子１０は、リング部１２Ａを有する超伝導体層１２と、この超伝導体層１２のリング部１２Ａの一部を跨いで配設された強磁性層１３，１３と、を有する。例文帳に追加

The superconducting quantum interference element 10 has a superconducting layer 12, having a ring part 12A and ferromagnetic layers 13, 13 arranged so as to crossover a part of the ring part 12A of the superconducting layer 12. - 特許庁

光子との光カップリング性および光吸収性に優れ、これにより、量子効率の大幅な改善が可能な超伝導単一光子検出素子および超伝導単一光子検出素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a superconducting single-photon detecting element which has superior property of optical coupling with photons and superior light absorptivity and then can be greatly improved in quantum efficiency, and a manufacturing method of the superconducting single-photon detecting element. - 特許庁

立方体状に加工された粒子状ＩｎＧａＡｓＰ活性層３ａを形成し、粒子状ＩｎＧａＡｓＰ活性層３ａの大きさおよび間隔を、伝導帯の量子準位と、重い正孔帯の量子準位と、軽い正孔帯の量子準位とが少なくとも形成されるように設定する。例文帳に追加

Granular InGaAsP active layers 3a processed like cubes are formed, and the size and the interval of the granular InGaAsP active layers 3a are so set that at least the quantum level of a conduction band, the quantum level of a heavy hole band, and the quantum level of light hole band are formed. - 特許庁

非磁性体の第１障壁層２と、強磁性体の第１量子井戸層４と、非磁性体の第２障壁層６と、強磁性体の第２量子井戸層８と、非磁性体の第３障壁層１０とが積層されたヘテロ構造を有し、強磁性体の第１量子井戸層４及び第２量子井戸層８は伝導を担うキャリアのドブロイ波長より十分薄い層である。例文帳に追加

This device has a heterostructure composed of a first nonmagnetic barrier layer 2, a first ferromagnetic quantum well layer 4, a second nonmagnetic barrier layer 6, a second ferromagnetic quantum well layer 8, a third nonmagnetic barrier layer 10 laminated one above another. - 特許庁

活性層６内のバリア層６ａ，６ｃ，６ｄのうちの量子井戸層６ｂ，６ｄによって挟まれたバリア層６ｃと量子井戸層６ｂ，６ｄとの伝導帯側のバンド不連続量ΔＥ_C1は、２６ｍｅＶ以上、３００ｍｅＶ未満に設定される。例文帳に追加

Among the barrier layers 6a, 6c, 6d inside the active layer 6, the band discontinuous amount ΔE_C1 at a conduction band side of the barrier layer 6c held by the quantum well layers 6b, 6d and the quantum well layers 6b, 6d is set at 26 meV or more and 300 meV or less. - 特許庁

高分解能中性子回折装置を用いた中性子回折法及び超伝導量子干渉計を用いた磁気測定法を組み合わせることにより、電極材料の構造中のリチウムや酸素に関する精度の良い情報を得ることからなる。例文帳に追加

A neutron diffracting method using a high resolution neutron diffracting device and a magnetic measuring method using a super-conducting quantum interferometer are combined to obtain the accurate information related to lithium and oxygen in the structure of the electrode material. - 特許庁