電荷損傷の英語

イオン注入時にＳＯＩ基板の半導体層への電荷の蓄積を抑制し，ＢＯＸ層およびゲート酸化膜の損傷を防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which suppresses the accumulation of charges to the semiconductor layer of an SOI substrate when ions are implanted and prevents the damage of a box layer and a gate oxidized film. - 特許庁

ＣＤＭ ＥＳＤ事象中、基板およびＭＯＳ構成部分内に蓄積されたＣＤＭ電荷は、ＩＣへの損傷を防止するためにＥＳＤクランプにより取り除かれる。例文帳に追加

During CDM ESD events, a CDM electric charge stored in the substrate and MOS structure portion is removed by the ESD clamp to prevent damages to the IC. - 特許庁

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。例文帳に追加

Since the conductive film is formed on all of the surface, a density of electric charges accumulated in a gate electrode can be reduced in processing with plasma (plasma process) like anisotropic etching, and the damage due to the plasma process can be reduced. - 特許庁

メタルライン形成工程中にメタルラインに集積されたプラズマ誘導電荷がメタルラインと連結された下部素子に損傷を与えることを最小化する。例文帳に追加

To minimize the damage to a lower element connected to a metal line by the plasma induced charge which is accumulated on the metal line when a metal line forming process is carried out. - 特許庁

本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a semiconductor device in which a tunnel insulating layer formed below a charge storage layer is not damaged when the charge storage layer is patterned. - 特許庁

配線５２−２を通して、カソード電極５６に発生する電荷を除去できるため、下部の有機ＥＬ層及びＴＦＴが損傷される現象を防止し、素子の信頼性を向上させる。例文帳に追加

Since the electric charge generated at the cathode electrode 56 can be eliminated through the wiring 52-2, an phenomenon in which the EL layer 55 and the TFT at an lower part are damaged is prevented to improve the reliability of the element. - 特許庁

静電気によるサージなどのノイズ電圧が印加された場合に、保護クランプ回路の損傷を生じることなく、ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する電荷転送トランジスタ等の劣化や破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent the deterioration or breakage of a charge transfer transistor, etc. which constitute a DC-DC converter, without damaging a protective clamp circuit, in the case that noise voltage such as surge, etc. by static electricity is applied to it. - 特許庁

損傷のない酸化膜及び電荷蓄積層の形成とその膜厚の制御を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which allows the formation of an oxide film and a charge storage layer without damage and control of the thicknesses thereof, and also to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁