「電荷損傷」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電離放射線に長期間にわたって露出された後に回路内に発生する電荷によって生じる損傷に対する耐性を有する論理回路を提供する。例文帳に追加

To provide a logic circuit having resistance to damage caused by electric charges generated in the circuit after exposed to ionization radiation for a long period of time. - 特許庁

本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor element that prevents a tunnel insulating film formed on a lower part thereof from being damaged when patterning a charge storage film. - 特許庁

イオン注入時にＳＯＩ基板の半導体層への電荷の蓄積を抑制し，ＢＯＸ層およびゲート酸化膜の損傷を防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which suppresses the accumulation of charges to the semiconductor layer of an SOI substrate when ions are implanted and prevents the damage of a box layer and a gate oxidized film. - 特許庁

ＣＤＭ ＥＳＤ事象中、基板およびＭＯＳ構成部分内に蓄積されたＣＤＭ電荷は、ＩＣへの損傷を防止するためにＥＳＤクランプにより取り除かれる。例文帳に追加

During CDM ESD events, a CDM electric charge stored in the substrate and MOS structure portion is removed by the ESD clamp to prevent damages to the IC. - 特許庁

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。例文帳に追加

Since the conductive film is formed on all of the surface, a density of electric charges accumulated in a gate electrode can be reduced in processing with plasma (plasma process) like anisotropic etching, and the damage due to the plasma process can be reduced. - 特許庁

メタルライン形成工程中にメタルラインに集積されたプラズマ誘導電荷がメタルラインと連結された下部素子に損傷を与えることを最小化する。例文帳に追加

To minimize the damage to a lower element connected to a metal line by the plasma induced charge which is accumulated on the metal line when a metal line forming process is carried out. - 特許庁

本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a semiconductor device in which a tunnel insulating layer formed below a charge storage layer is not damaged when the charge storage layer is patterned. - 特許庁

配線５２−２を通して、カソード電極５６に発生する電荷を除去できるため、下部の有機ＥＬ層及びＴＦＴが損傷される現象を防止し、素子の信頼性を向上させる。例文帳に追加

Since the electric charge generated at the cathode electrode 56 can be eliminated through the wiring 52-2, an phenomenon in which the EL layer 55 and the TFT at an lower part are damaged is prevented to improve the reliability of the element. - 特許庁

静電気によるサージなどのノイズ電圧が印加された場合に、保護クランプ回路の損傷を生じることなく、ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する電荷転送トランジスタ等の劣化や破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent the deterioration or breakage of a charge transfer transistor, etc. which constitute a DC-DC converter, without damaging a protective clamp circuit, in the case that noise voltage such as surge, etc. by static electricity is applied to it. - 特許庁

損傷のない酸化膜及び電荷蓄積層の形成とその膜厚の制御を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which allows the formation of an oxide film and a charge storage layer without damage and control of the thicknesses thereof, and also to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

雷撃電流値を電荷量に置き換えることが可能となり、架空地線の損傷発生箇所を正確に推定することができる架空地線溶断推定装置及び溶断推定方法を提供する。例文帳に追加

To provide an overheat ground line fusing estimation apparatus and a fusing estimation method capable of replacing a charge amount with a thunderstroke current value and accurately estimating a damage occurrence position of an overhead ground line. - 特許庁

製造中のプラズマ誘起チャージング損傷を最小化するのに有効なＳＯＩ回路構成は、ゲート電極および半導体本体に接続された電荷収集体の形成を含み、それぞれの電荷収集体は同じ形状および寸法、または実質的に同じ形状および寸法を有する。例文帳に追加

An SOI circuit configuration effective for minimizing plasma- induced charging damage during fabrication comprises formation of charge collectors connected to the gate electrode and a semiconductor body, wherein each of the charge collectors has the same or substantially the same shape and dimension. - 特許庁

チャックピン７および供給配管１４ａ，１４ｂを接地することにより、半導体ウエハ６に帯電していた電荷や薬液または純水による流動帯電により発生した電荷を放電して、静電気による半導体ウエハ６上のパターンの損傷を防ぐことができる。例文帳に追加

Grounding the chuck pins 7 and supply pings 14a, 14b allows discharge of an electric charge electrified on the semiconductor wafer 6 or an electric charge caused by flowing electrification by the medical fluid or pure water, and prevention of the damage of the patter on the semiconductor wafer 6 caused by static electricity. - 特許庁

静電ペリクル又はイオン損傷防止システムでは、高電圧導体が、その表面上に電荷が蓄積するのを防止するのに十分に低い抵抗を有するが、絶縁破壊時にピーク電流を制限するのに十分に高い抵抗を有する分離層が被覆される。例文帳に追加

A high voltage conductor in a dielectric pellicle or ion damage prevention system is coated with a separation layer having a resistance low enough to prevent accumulation of charges on its surface and also high enough to restrict a peak current on dielectric breakdown. - 特許庁

水晶振動子（２０）の電極パターンの幅の狭い回路が静電気の放電反応により損傷されることを回避するために、静電気の放電反応により放電突起を介して空気中に静電荷を放電する放電保護機能（２３１、２５１）を有する水晶振動子を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal vibrator having discharge protection functions (231, 251) for discharging electrostatic charges into air through discharge projections by a static electricity discharge reaction in order to prevent a narrow-width circuit of an electrode pattern on a crystal vibrator (20) from being damaged by the static electricity discharge reaction. - 特許庁

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。例文帳に追加

Since the conductive film is formed on the whole surface of the substrate, the damage given to the element by the plasma process can be reduced, because the density of electric charges accumulated in a gate electrode during the course of the plasma process of anisotropic etching etc., can be reduced. - 特許庁

磁気記憶システムのヘッドに使う磁気抵抗変換器の製作中および輸送中に蓄積した静電気の放電により磁気抵抗素子に与える損傷をなくするために、その蓄積電荷を減少するための方法および装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and a device for reducing the accumulated charge, for eliminating the damage given to a magneto-resistance element due to the accumulated discharge of static electricity during the production and transportation of a magnetoresistive transducer which is used for a head of a magnetic storage system. - 特許庁

放電抵抗と放電コンタクタの電気的容量を小さくして小型化すると共に、放電抵抗の損傷や放電回路の配線の断線時であっても安全に装置を停止し、フィルタコンデンサの残留電荷を放出できる車両用補助電源装置を得る。例文帳に追加

To obtain an auxiliary power source unit, which enables miniaturization by reducing the electrical capacity of a discharge resistor and a discharge contactor, stops equipment safely when the discharge resistor is damaged or the wiring of a discharge circuit is disconnected, and can discharge residual charges in a filter capacitor. - 特許庁

金属配線の速い電荷伝達を妨げる要因を除去し、また、金属配線の表面の損傷を防止し、半導体メモリ素子の高速動作を実現することができるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子等の半導体メモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory element such as a NAND flash memory element for removing any factor disturbing the high charge transmission of metallic wiring, and for preventing the damage of the surface of metallic wiring, and for achieving the high speed operation of a semiconductor memory element. - 特許庁

弾性支持部による環状空間のシールおよび回転軸の振れ回り振動の減衰の機能を十分に確保しつつ、軸受スリーブにおける電荷の蓄積を抑制し、放電による損傷の発生を抑制可能な静圧気体軸受スピンドル提供する。例文帳に追加

To provide a static pressure gas bearing spindle capable of restraining the occurrence of damage by discharge, by restraining accumulation of electric charge in a bearing sleeve, while sufficiently securing the function of sealing an annular space by an elastic support part and damping whirling vibration of a rotary shaft. - 特許庁

絶縁性弾性部材による環状空間のシールおよび回転軸の振れ回り振動の減衰の機能を十分に確保しつつ、軸受スリーブにおける電荷の蓄積を抑制し、放電による損傷の発生を抑制可能な静圧気体軸受スピンドル提供する。例文帳に追加

To provide a static pressure gas bearing spindle capable of restraining the occurrence of damage by discharge, by restraining accumulation of electric charge in a bearing sleeve, while sufficiently securing the function of sealing an annular space by an insulating elastic member and damping whirling vibration of a rotary shaft. - 特許庁

基板全面を覆うように導電性保護膜を形成した状態でＬＤＤを形成することで、ＬＤＤ形成工程の異方性エッチングにおいて、ゲート電極に蓄積される電荷密度を低減し、プラズマによる損傷を極力低減する。例文帳に追加

The damage given to the element by the plasma process is reduced to the utmost by reducing the density of electric charges accumulated in a gate electrode during the course of anisotropic etching performed in the LDD forming step, by forming an LDD in a state where a conductive protective film is formed to cover the whole surface of a substrate. - 特許庁

圧電素子１２及び１３における電荷の蓄積を防止することができるので、サージ電流の発生を防止または低減することができ、スライダ２１に設けられた前記再生素子及び前記記録素子の損傷を低減することが可能になる。例文帳に追加

Since the accumulation of charges in piezoelectric elements 12 and 13 is prevented, the generation of surge currents is prevented or reduced, and the damage to the reproducing element and the recording element provided in a slider 21 is reduced. - 特許庁

本発明によると、第２窒化膜がコンタクトホールを形成する間に、貫通されたり、エッチング損傷を受けたりしても、不揮発性メモリセルの積層ゲートの側壁は第１窒化膜により移動イオン等の移動電荷から保護される。例文帳に追加

Thus, even when the second nitride film is penetrated or damaged by etching while forming a contact hole, the sidewall of the laminated gate of the nonvolatile memory cell is protected against moving charge such as a moving ion or the like by the first nitride film. - 特許庁

感光体の表面を傷つけたり、発光部の損傷を誘発することなく安全に、安定した光量を感光体表面に照射して所望の電荷消去処理を行え、その割りには安価に済む光除電装置及びそれを搭載した画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical static eliminator by which desired electric charge erase processing is performed by stably irradiating the photoreceptor surface with stable light intensity without damaging the surface of the photoreceptor and inducing a damage of a light emitting part and which is comparatively inexpensive, and an image forming apparatus with the same mounted. - 特許庁

対向する一対の電極間に、複数の電界発光層が電荷発生層を挟んで積層されている発光素子において、電界発光層に損傷を与えることなく、スパッタリング法を用いて電界発光層上に電荷発生層を形成することができる発光素子および発光装置の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a light emitting element and a light emitting device wherein a charge generating layer can be formed on an electroluminescent layer by using a spattering method, without giving a damage to the electroluminescent layer, as to the light emitting element wherein a plurality of the electroluminescent layers are laminated so as to sandwich the charge generating layer between a pair of electrodes facing each other. - 特許庁

配線１６の間隔部にはビアプラグ１４ｂの上面が層間絶縁膜１２から露出するため、プラズマから基板２に向かって垂直に入射した電荷が、ビアプラグ１４ｂの上面を介して入り込みゲート電極１０を帯電させ、更に基板２に流れる際にゲート絶縁膜８を損傷させる。例文帳に追加

As the upper surfaces of the plugs 14b are exposed through the film 12 at the interval parts between the wirings 16, a charge vertically having entered from a plasma toward the substrate 2 enters inside via the upper surfaces of the plugs 14b, the electrode 10 is electrified and further, when the charge flows to the substrate 2, the film 8 is damaged. - 特許庁

一酸化窒素基で置換された非ステロイド系抗炎症剤；（ｉ）一酸化窒素基で随意に置換できる一つの非ステロイド系抗炎症剤、及び（ｉｉ）一酸化窒素（望ましくは電荷されたもの、とりわけニトロソニウム）を直接与え、移転しあるいは放出する化合物、よりなる組成物；並びにこの組成物を使用する炎症、苦痛、胃腸損傷及びもしくは発熱を治療する方法が開示される。例文帳に追加

Nonsteroidal antiinflammatory drugs which have been substituted with a nitrogen monoxide group; compositions comprising (i) a nonsteroidal antiinflammatory drug, which can optionally be substituted with a nitrogen monoxide group and (ii) a compound that directly donates, transfers or releases a nitrogen monoxide group (preferably as a charged species, particularly nitrosonium); and methods of treatment of inflammation, pain, gastrointestinal lesions and/or fever using the compositions are disclosed. - 特許庁

巻き取り式電子ビーム真空蒸着法において、プラスチックフィルム等に酸化珪素等の絶縁性からなる蒸発物質を蒸着する際、放出される２次電子の入射により、プラスチックフィルム等に負の電荷が帯電し、巻き取る直前に異常放電が発生し、蒸着膜の損傷・破壊を招く問題を解決する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for solving such problems that negative electric charge is charged on a plastic film, etc., by the incidence of a released secondary electron and abnormal discharge is generated just before winding and damage/fracture of deposited film is caused when an insulating evaporation material such as silicon oxide is vapor-deposited on a plastic film, etc., in a winding type electron beam vacuum vapor deposition device. - 特許庁

この構成では、転写紙へのトナー像の転写後に感光体５０１に残留した現像剤トナーをクリーニング装置５０７で引き剥がす際に、剥離放電による表面保護層の損傷によって、感光体の各層にかかる分圧の変化が生じた場合でも、電荷注入阻止層の絶縁破壊による画像欠陥が低減される。例文帳に追加

In the constitution, the image failure due to puncture of insulation of the charge injection preventing layer is reduced even when variation in divided voltage imparted to each layer of the photoreceptor is generated by damage to surface protective layer due to stripping discharge when stripping by a cleaning device 507 residue developer toner on the photoreceptor 501 after transferring of a toner image to transfer paper. - 特許庁

バンプボンディングが行われたウエハ２０２を冷却するとき、該ウエハをアルミニウム板１７３に載置し上記冷却時に上記ウエハに生じる電荷を上記アルミニウム板を通じてアースするので、上記ウエハの焦電破壊を防止でき、さらにウエハ自体の割れ等の損傷の発生を防止することができる。例文帳に追加

Before a wafer 202 which gas undergone bump bonding is cooled, this wafer is mounted on an aluminum plate 173 to ground charges arising in the wafer during cooling through the aluminum plate; therefore pyroelectric breakdown of the wafer, as well as damages such as cracks of the wafer itself can be prevented. - 特許庁