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B*A*P*Sとは


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主な意味bapの複数形。バップ

機械工学英和和英辞典での「B*A*P*S」の意味

BAPS (branch arm piping shielding)



「B*A*P*S」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 79



例文

When an engine negative pressure P_S comes close to the vacuum, a booster negative pressure P_B also concurrently comes close to the vacuum.例文帳に追加

そのため、エンジン負圧P_Sが真空に近づくと、それに伴ってブースタ負圧P_Bも真空に近づけられる。 - 特許庁

When a magnetic pole slot teeth width is taken as B, a slot pitch as P, a slot pitch as P, and a teeth root portion height as H, H/P = 0.08 to 0.12 and S/P = 0.01 to 0.03 in the range of B/P = 0.5 to 0.7.例文帳に追加

また、磁極スロットティース幅をB、スロットピッチをP、ティース付根部高さをHとした時、B/P=0.5〜0.7の範囲のもので、H/P=0.08〜0.12とし、S/P=0.01〜0.03と設定したことを特徴とする。 - 特許庁

In a state where the engine negative pressure P_S is kept constant after being decreased, if the booster negative pressure P_B comes closer to the vacuum than an abnormality detection threshold P_THII, the booster negative pressure sensor is determined as being abnormal.例文帳に追加

したがって、エンジン負圧P_Sが減少した後、一定に保たれている状態において、ブースタ負圧P_Bが異常検出しきい値P_THIIより真空に近い場合には、ブースタ負圧センサが異常であるとされる。 - 特許庁

Refractive indexes of an incident medium for S polarization (normal polarization) and P polarization (abnormal polarization) of the beam of a wavelength λ are expressed by η0S and η0P, and the refractive indexes of the substrate B are expressed by η2S and η2P.例文帳に追加

波長λの光のS偏光(常偏光)及びP偏光(異常偏光)に対する入射媒体の屈折率をη_0^S及びη_0^Pとし、基板Bの屈折率をη_2^S及びη_2^Pとする。 - 特許庁

More preferably, it has a form where the monodisperse particulates (P) are stuck with at least one kind of binder substance (B) selected from the group consisting of a water soluble polymer (R) and a silicon based compound (S).例文帳に追加

更に好ましくは、単分散微粒子(P)同士が、水溶性ポリマー(R)及びケイ素系化合物(S)の群より選ばれる少なくとも1種からなるバインダー物質(B)で固着された形態である。 - 特許庁

The application must contain the following information: (a)P’s name and address for service: (b)if P has an agent, the agents name: (c)the nature of the evidence: (d)an explanation why the evidence could not have been filed earlier: (e)any other ground or grounds for making the application.例文帳に追加

申請書は,次の情報を含まなければならない。(a) Pの名称及び送達用宛先 (b) Pが代理人を有する場合は,その代理人の名称 (c) 証拠の性質 (d) 証拠がそれより早く提出できなかった理由の説明 (e) 当該申請を行なう何らか他の理由 - 特許庁

例文

A gate processing part 57 P generates a gate-processed baseband signal Sδ_B by gate-processing a baseband signal S_B.例文帳に追加

ゲート処理部57Pは、ベースバンド信号S_Bをゲート処理し、ゲート処理後ベースバンド信号Sδ_Bを生成する。 - 特許庁

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ライフサイエンス辞書での「B*A*P*S」の意味

Weblio英語表現辞典での「B*A*P*S」の意味

baps

Wiktionary英語版での「B*A*P*S」の意味

baps

出典:『Wiktionary』 (2010/09/01 17:39 UTC 版)

名詞

baps

  1. Plural form of bap.

ウィキペディア英語版での「B*A*P*S」の意味

B*A*P*S

出典:『Wikipedia』 (2011/05/05 23:59 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用

「B*A*P*S」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 79



例文

C, Si, Mn, S, P, Al, Nb, Ti, N and B are incorporated into a steel, and the relation among Ti, Nb or B, C and N are set in a prescribed range.例文帳に追加

C,Si,Mn,S,P,Al,Nb,Ti,N,Bを含有し、Ti,NbまたはBと、C,Nとの関係を所定の範囲に設定する。 - 特許庁

Further, the booster does not have a function to bring the pressure of the negative pressure chamber close to the vacuum, and, therefore, the booster vacuum P_B does not come closer to the vacuum than the engine negative pressure P_S.例文帳に追加

また、ブースタは、負圧室の圧力を真空に近づける機能を有していないため、ブースタ負圧P_Bが、エンジン負圧P_Sより真空に近づくことはない。 - 特許庁

The semiconductor elements S, S' are bonded to the insulating substrate P such that two or more semiconductor elements of the same kind are not mounted on the one insulating substrate P, and the area A of a surface of the second metal plate M2 which is opposed to the heat sink B is set to be 1 to 2.5 times as large as the overall area At of the semiconductor elements S, S'.例文帳に追加

半導体素子S,S′は、一枚の絶縁基板Pに対し同種の半導体素子が2個以上は搭載されないようにして、絶縁基板Pに接合され、第2金属板M2の放熱板Bとの対向面の面積Aが、半導体素子S,S′の総面積Atの1〜2.5倍に設定される。 - 特許庁

To provide an s-triazine compound having remarkably improved photostability and solubility as compared with those of an s-triazine derivative grafted with p-aminobenzalmalonate of a conventional art and having better absorbing properties in all the region of UV-A light and exhibiting remarkable contribution in a region of the UV-B light.例文帳に追加

従来技術のパラ-アミノベンザルマロネートでグラフト化されたs-トリアジン誘導体に比べて著しく改善された光安定性および溶解性を有し、UV-A線の全領域で良好な吸収性を有し、UV-B線の領域での著しい寄与を示すs-トリアジン誘導体を提供すること。 - 特許庁

In the method, a resin composition P comprising a thermoplastic resin A and insoluble resin particles B is extruded into a sheet S having a glare shielding surface Sa, and the sheet S is pressed by a mirror roll R so that the 85° glossiness G_85 of the glare shielding surface Sa of the sheet S is at least 18 gloss.例文帳に追加

本発明の製造方法は、熱可塑性樹脂(A)および不溶性樹脂粒子(B)からなる樹脂組成物(P)をシート状に押し出して、防眩面(Sa)を有するシート状物(S)とし、該シート状物(S)の前記防眩面(Sa)の85°光沢度〔G_85〕が18グロス以上となるように、鏡面ロール(R)により押圧することを特徴とする。 - 特許庁

Plural page buffers P/B are connected to a sense amplifier S/A.0 in a read-out/write-in circuit through a column gate.例文帳に追加

複数個のページバッファP/Bは、カラムゲートを経由して、読み出し/書き込み回路内のセンスアンプS/A・0に接続される。 - 特許庁

A base B and a subemitter S of p-type semiconductor are joined to a collector C of n-type semiconductor, so as not to contact each other.例文帳に追加

p型半導体からなるベースBとサブエミッタSは、互いに接しないようにして、n型半導体からなるコレクタCに接合されている。 - 特許庁

例文

A substrate B where a sensor chip S is mounted is sandwiched between first and second body members 4, 5 which are drawing processed goods and mounted on a pipe P.例文帳に追加

センサチップSが実装された基板Bを、絞り加工品である第一および第二の本体部材4,5に挟み込んで配管Pに装着する。 - 特許庁

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