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BN formとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 BN記法
「BN form」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
Further, it is possible to form the coating of the diamond or the c-BN by synthesizing the diamond or the c-BN by means of a laser irradiation.例文帳に追加
またレーザー照射によりダイヤモンドおよびc−BNを合成し、ダイヤモンドおよびc−BNのコーティングが可能となる。 - 特許庁
To easily, surely and relatively inexpensively form a BN film for treatment containing a large quantity of c-BN phase on the surface of a casting die.例文帳に追加
鋳造用の金型の表面に、c−BN相を多量に含んだ離型処理用のBN皮膜を簡単且つ確実に、しかも比較的低コストで形成できるようにする。 - 特許庁
The inside of a crucible 18 made of copper composing an evaporation source 16 is stored with a hearth liner 20 made of BN, and an evaporation material 22 to form into the material of an Al-Sn alloy film is packed into the hearth liner 20.例文帳に追加
蒸発源16を構成する銅製の坩堝18内には、BN製のハースライナ20が収容されており、このハースライナ20の中に、Al−Sn合金被膜の材料となる蒸発材料22が充填されている。 - 特許庁
The first element A has a dielectric oxidation film 4 and a negative electrode layer made of a solid-state electrolyte 5 and a conductive material 6, both provided on a connection surface of a valve action metallic base 1 to a mounting board to thereby form negative electrode parts b1 to bn.例文帳に追加
第1の素子Aは、弁作用金属基体1の実装基板への接続面に誘電体酸化被膜4と、固体電解質5および導電性部材6からなる陰極電極層を設けて、陰極部b1〜bnを形成する。 - 特許庁
After a specified time elapses, the silicon halide precursor is passed to the reaction chamber 15 to form a BN/Si_3N_4 coating with a predetermined thickness on the substrate 17.例文帳に追加
所定の時間が経過した後、ハロゲン化ケイ素前駆体が反応室15へと通流されて基材17上に所望の厚さのBN/Si_3N_4コーティングが形成される。 - 特許庁
This plasma CVD system is equipped with nozzles 11, 12 for forming a film of a material having low relative permittivity, as a protective film on a surface of an interlayer insulating film, having low relative permittivity formed on a semiconductor wafer 18, and a heating means for heating the semiconductor wafer 18 to the predetermined temperature, to form a BN film having low relative permittivity.例文帳に追加
半導体ウェーハ18に成膜された低比誘電率の配線間絶縁膜の表面に、保護膜としての低比誘電性膜材料を成膜するためのノズル11、12と、半導体ウェーハ18を所定の温度に加熱し、低比誘電率BN膜を成膜する加熱手段とを備えている。 - 特許庁
Multi-beam formers (2) 7 form a plurality of reception signal beam patterns B1 to BN for angle measurement aligned simultaneously and parallel in an angle direction based on reception signals held in a memory 3 to output the reception signals for each of angles corresponding to respective beams.例文帳に追加
マルチビーム形成器(2)7は、メモリ3に保持されている受信信号から同時並列に角度方向に並べた複数の測角用受信ビームパターンB1〜BNを形成し、各ビームに対応した角度毎に受信信号を出力する。 - 特許庁
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「BN form」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
In the ceramic heating resistor having a heating resistive element made by containing BN or silicon nitride as a main conductive component and a lead part for supplying power to the heating resistive element buried in nitride ceramics, the conductive component is structured of flake-form crystal grains with an average contact length between them of 2 μm or more.例文帳に追加
窒化物セラミックス内に、導電成分を主成分としてBN又は窒化珪素を含有してなる発熱抵抗体及び該発熱抵抗体に電力を供給するリード部を埋設したセラミックヒータにおいて、前記導電成分はフレーク状の結晶粒子から構成されており、該結晶粒子同士の平均接触長さが2μm以上であることを特徴とする。 - 特許庁
The bis(μ-oxo)binuclear copper(III) complex using the cyclohexanetriamine derivative is synthesized by using the cyclohexanetriamine derivative cis,cis-1,3,5-tris(R-amino)cyclohexane (R_3 TACH) (wherein, R is a Bn or an iBu) composed of a secondary amine having the R_3 TACH in which hydrogen atoms form hydrogen bonding to the μ-oxo as a ligand.例文帳に追加
水素原子がμ−オキソと水素結合することができるR_3 TACHを有する二級アミンで構成されたシクロヘキサントリアミン誘導体cis, cis^− 1,3,5−Tris(R−amino)cyclohexane(R_3 TACH:R=Bn,iBu)を配位子として用い、合成したことを特徴とするシクロヘキサントリアミン誘導体を用いたビス(μ−オキソ)二核銅(III) 錯体。 - 特許庁
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