Bunchingとは 意味・読み方・使い方

To suppress a step bunching from occurring on a surface of a silicon carbide semiconductor layer.例文帳に追加

炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。 - 特許庁

The step bunching of the InGaP lower clad layer is formed, and variation arises in the layer thickness of the InGaAs active layer.例文帳に追加

InGaP下部クラッド層のステップバンチングが形成され、InGaAs活性層の層厚にばらつきが生じる。 - 特許庁

Since a step bunching SB does not traverse the trench 6, formation of unevenness on the side surface and the bottom surface of the trench 6 due to the step bunching SB can be substantially prevented.例文帳に追加

これにより、ステップバンチングＳＢがトレンチ６を横切らないようにでき、トレンチ６の側面や底面にステップバンチングＳＢによる凹凸がほぼ形成されないようにできる。 - 特許庁

In an image processing process, image processing is performed so as to emphasize a luminance change in a direction orthogonal to the extending direction of the step bunching, and thus, the step bunching is detected.例文帳に追加

そして、画像処理工程において、ステップバンチングの延在方向と直交する方向の輝度変化を強調する画像処理を実行し、ステップバンチングを検出する。 - 特許庁

To improve the workability of branch working after the midway of working by unitizing a optical fiber wire and eliminating transmission loss due to bunching, without bunching in a single core type slot cable structure.例文帳に追加

単心型スロットケーブル構造において光ファイバ素線をバンチングすることなしにユニット化することができ、バンチングすることによる伝送損失をなくし、また、中間後分岐作業の作業性を向上させること。 - 特許庁

To provide an optical fiber unit capable of unitizing optical fibers without bunching the same in a single core type slot cable structure, removing the transmission loss due to the bunching, and enhancing the workability in the middle or later branching work.例文帳に追加

単心型スロットケーブル構造において光ファイバ素線をバンチングすることなしにユニット化することができ、バンチングすることによる伝送損失をなくし、また、中間後分岐作業の作業性を向上させること。 - 特許庁

The filler 17 is formed by kneading glass fiber, iron powder, and epoxy resin, and bunching them up together so as to have prescribed plastic properties suitable for charging.例文帳に追加

充填材１７は、ガラス繊維と鉄粉とエポキシ樹脂とを混練して充填に適した所定の可塑性を有する団子状のものにしたものである。 - 特許庁

To improve element characteristics by reducing step bunching of a surface of an SiC epitaxial layer formed on an SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板上に形成されたＳｉＣエピタキシャル層表面のステップバンチングを低減して素子特性を向上させる。 - 特許庁