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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > CMOS integrated circuitsの意味・解説 

CMOS integrated circuitsとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「CMOS integrated circuits」の意味

CMOS integrated circuits

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「CMOS integrated circuits」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

To apply a sufficient stress voltage to transistors of CMOS analog circuits in a semiconductor integrated circuit in which CMOS digital circuits and the CMOS analog circuits coexist.例文帳に追加

CMOSデジタル回路とCMOSアナログ回路とが混在する半導体集積回路において、CMOSアナログ回路のトランジスタにも十分なストレス電圧を印加する。 - 特許庁

In step S1, a CMOS integrated circuit is extracted as a reference IC from a group of CMOS integrated circuits to be selected (selected IC group), and the reference IC is excluded from the selected IC group.例文帳に追加

ステップS1では、選別されるCMOS集積回路のグループ(被選別IC群)から1個のCMOS集積回路を抽出して基準ICとし、この基準ICを被選別IC群から外す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes two stages or more of highly-integrated fast CMOS inverter coupling circuits using SGTs.例文帳に追加

SGTを用いた高集積で高速な少なくとも2段以上のCMOSインバータ結合回路からなる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To activate circuits being in a stop state, in a short period of time while preventing malfunction of circuits being in an operating state, with respect to a CMOS integrated circuit to which MTCMOS technology is applied.例文帳に追加

MTCMOS技術が適用されるCMOS集積回路において、動作状態にある回路が誤動作することを防止しながら、停止状態にある回路を短時間で起動する。 - 特許庁

To reduce current consumption at the time of standby in a semiconductor integrated circuit M using a plurality of CMOS circuits Ci using minute MOS transistors.例文帳に追加

微細MOSトランジスタを用いた複数のCMOS回路Ciを用いた半導体集積回路Mにおいて待機時の消費電流を低減する。 - 特許庁

To provide a CMOS semiconductor integrated circuit, wherein the pattern of the periphery portion of the chip has been improved and the physical size of a chip has been reduced, with reference to the CMOS semiconductor integrated circuit having an output protection area in the periphery portion and an output protection pattern disposed by a guard ring between the protection area and internal circuits.例文帳に追加

チップの外周部に出力保護領域を有し、内部回路との間にガードリングによる出力保護パターンが設けられたCMOS半導体集積回路において、周辺部のパターンを改善し、チップサイズを縮小したCMOS集積回路を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device which reduces the MOS transistor's characteristic variations caused by the impact ionization phenomenon found in the high-accuracy power management semiconductor device or analog semiconductor device with integrated MOS transistors such as CMOS semiconductor integrated circuits, and assures stable electrical characteristics.例文帳に追加

CMOS半導体集積回路などのMOSトランジスタを含み、高精度を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置におけるインパクトイオン化現象によるMOSトランジスタの特性変動を低減し、安定した電気的特性を得ることを特徴とする半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

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「CMOS integrated circuits」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

This CMOS integrated circuit is provided with four kinds of boards which are isolated electrically, using two systems of power sources where VDD' and VSS' are added as statistic board bias power sources to VDD and VSS of usual power sources, and the absolute values of the threshold voltages of all pull down/pull up transistors including drive inverters whether they are static circuits or dynamic circuits are set rather high.例文帳に追加

通常の電源である [V_DD, V_SS] に、静的な基板バイアス電源として[V_DD_', V_SS_']を加えた2系統の電源を使って、電気的に分離した4種類の基板を設け、スタティック回路かダイナミック回路か問わずに駆動インバータを含む全てのプルダウン/プルアップ・トランジスタの閾値電圧の絶対値を高めに設定する。 - 特許庁

About nondefective CMOS integrated circuits 50, fault current estimates PDj=IQj-Rj×Iq corresponding to the strobe points are calculated, based on the mean value ratio Rj of previously calculated static power currents IDDQ at the strobe points, measured values IQj of the static power currents at the strobe points, and the mean value Iq of the measured values IQj.例文帳に追加

良品のCMOS集積回路50について予め算出された前記複数のストローブ点での静止電源電流I_DDQ の平均値比R_j と、前記複数のストローブ点での静止電源電流I_DDQ の測定値I_Qjと、測定値I_Qjの平均値Iq とに基づき、ストローブ点に対応する欠陥電流推定値P_Dj=I_Qj−R_j ×Iq を算出する。 - 特許庁

例文

The semiconductor integrated circuit has a main circuit 10 consisting of a plurality of circuit blocks 11 including a CMOS transistor having a substrate terminal, and substrate bias control circuits 9 each connected with a corresponding circuit block 11 among the plurality of circuit blocks 11 for determining a substrate bias voltage of the circuit block 11 depending on a quantity of noise occurring on the block 11.例文帳に追加

半導体集積回路は、基板端子を有するCMOSトランジスタを含む複数の回路ブロック11からなる主回路10と、それぞれが、複数の回路ブロック11のうちの対応する回路ブロック11と接続され、回路ブロック11に発生したノイズの量に応じて回路ブロック11の基板バイアス電圧を決定する基板バイアス制御回路9とを備えている。 - 特許庁

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