| 意味 | 例文 (18件) |
E-3 processとは 意味・読み方・使い方
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「E-3 process」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 18件
A reflection film 3 is then formed on the rugged surface 2d of the resin layer 2 (a reflection film forming process (e)).例文帳に追加
次に、樹脂層2の凹凸面2d上に反射膜3を形成する(反射膜形成工程(e))。 - 特許庁
To provide a process for preparing methyl (E)-2-(2-hydroxyphenyl)-3-(methoxy) acrylate represented by formula.例文帳に追加
下式で示されたメチル(E)−2−(2−ヒドロキシフェニル)−3−(メトキシ)アクリレートを調製する方法の提供。 - 特許庁
Process E: The cloth 2 which is laid is further coated with the waterproofing upper layer resin 3 which is a liquid impregnable into the cloth 2 (Fig. 3).例文帳に追加
工程E:この敷かれた布2の上に、当該布に含浸可能な防水性で液体の上層樹脂3をさらに塗布する(図3)。 - 特許庁
There are provided a first process 1 of monitoring an E-mail reception, a second process 2 of transmitting by FAX if there is any E-mail reception, a third process 3 of monitoring a FAX reception, a fourth process 4 of transmitting by E-mail if there is the FAX reception, a WWW server 5, and a user information database 6.例文帳に追加
電子メール受信を監視する第1のプロセス1、電子メール受信があった場合それをFAXで送信する第2のプロセス2、FAX受信を監視する第3のプロセス3、FAX受信があった場合それを電子メールで送信する第4のプロセス4、WWWサーバ5、ユーザー情報データベース6を有する。 - 特許庁
Finally, to complete the process, protecting material 9 is set so as to cover and hide the antenna coil 2 which is formed on the card substrate 3 (e).例文帳に追加
最後に、カード基材3に形成されたアンテナコイル2を覆い隠すように、保護材9を設けて完成となる(e)。 - 特許庁
Finally, a protection material 9 is formed so as to cover and hide the antenna coil 2 formed on the card substrate 3 to complete the process (e).例文帳に追加
最後に、カード基材3に形成されたアンテナコイル2を覆い隠すように、保護材9を設けて完成となる(e)。 - 特許庁
When an object product passes through a process A, process B, process C, process D, process E, process F, then an ID1, ID2, ID3, ID4, ID5, ID6 are written on the information recording medium 3 respectively.例文帳に追加
対象製品が工程Aを通るときID1が、工程Bを通るときID2が、工程Cを通るときID3が、工程Dを通るときID4が、工程Eを通るときID5が、工程Fを通るときID6が、情報記録媒体3に書込まれる。 - 特許庁
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「E-3 process」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 18件
After the convex portion is mostly covered and flattened (3.E), the process is carried out at normal pressure while controlling the V/III ratio to be high (by resuming the original supply amount of ammonia).例文帳に追加
凸部の上面がほぼ覆われて平坦化した後(3.E)は、常圧で、V/III比を高くした(アンモニアの供給量を元に戻した)。 - 特許庁
In the first process, a conductive film 3 is formed by sputtering on a substrate 1 and an electron ray e is applied on the conductive film 3 to form a cylinder 7 having a microscopic diameter and mainly composed of carbon.例文帳に追加
第1工程では、基板1上にスパッタリングにより導電膜3を形成し、続いて導電膜3上に電子線eを照射して炭素を主成分とする微小径の円柱7を形成する。 - 特許庁
Then, the powder 3 and the powder 5 are mixed to be a mixed material 7 (mixing process E) and by cooling and stirring the mixed material 7, the powdery resin mixed wood powder is obtained (cooling and stirring process F).例文帳に追加
次いで、木材粉砕粉3と樹脂粉砕粉5とを混合して混合材料7とし(混合工程E)、この混合材料7を冷却かつ攪拌することによって粉粒状の樹脂混合木粉を得る(冷却攪拌工程F)。 - 特許庁
In the process of suspending the atomized water W thus processed, the vibration energy E reflected by the reflection plate 3 is made to irradiate the object F while being passed through the atomized water W.例文帳に追加
処理した噴霧状の水Wを漂わせる過程で反射プレート3で反射された振動エネルギーEを噴霧状の水Wに通過させつつ対象物Fに照射させる。 - 特許庁
By the cooperation of a lower die 1 having a button die 3 having a die hole 3a formed therein and an upper die 2 having a piercing punch 6, the forming of the embossed part E of a panel W and the working of a pierced hole P in a part corresponding to the embossed part E are performed in one process.例文帳に追加
ダイ穴3aが形成されたボタンダイ3を有する下型1とピアスポンチ6を有する上型2との協働により、パネルWに対するエンボス部Eの成形とそのエンボス部E相当部でのピアス穴Pの加工とを一工程にて行う。 - 特許庁
In a process (E), a silicon wafer 24 and a silicon wafer 38 are properly positioned and temporarily fixed, and a voltage is applied under pressure between both wafers 24, 38 in the atmospheric pressure of 10-3 mbar or less and at the temperature of 300°C or more.例文帳に追加
工程(E)でシリコンウエハ24とシリコンウエハ38の位置合わせをして仮固定し、雰囲気を10^^-3mbar以下に、温度を300度以上にして、両ウエハ間に加圧しながら電圧を印加する。 - 特許庁
In the process 3, the heights of the rectangular areas are expressed by increase in response to increased ratios concerning workpieces B, C, D for performing an operation with increased efficiency with respect to workpieces A, E for performing an operation with normal efficiency.例文帳に追加
工程3において、標準の能率で作業を行うワークA,Eに対して、能率をアップして作業を行うワークB,C,Dについては、そのアップ比率だけ、前記矩形領域の高さをアップして表す。 - 特許庁
The wash water sticking to the carrying part 2 advancing on a travel passage b is removed by a moisture removing means 4 by separating the carrying part 2 and an egg E stuck with the wash water by a separating means 3 and a separating plate 9 by passing through the cleaning process.例文帳に追加
洗浄工程を通過し、洗浄水が付着した搬送部2と鶏卵Eを離間手段3と離間板9によって離間させ、走行路bを進む搬送部2に付着している洗浄水を、水分除去手段4で除去する。 - 特許庁
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