GERMANIDEとは 意味・読み方・使い方

In a preferred embodiment, nickel is used as the metal for forming nickel germanide, and HCl is used as an etchant for selectively removing nickel.例文帳に追加

好適な実施例では、ニッケルは、ニッケルゲルマニドを形成するための金属として使用され、さらに、ＨＣｌは、ニッケルを選択的に除去するエッチング液として使用される。 - 特許庁

The crystal orientation of crystal grains forming the germanide thin film has such an orientation that a [102] plane or a [001] plane is parallel to the [110] crystal plane of the germanium substrate.例文帳に追加

ジャーマナイド薄膜を構成する結晶粒の結晶面方位が、前記ゲルマニウム基板の［１１０］結晶面に対して、［１０２］面あるいは［００１］面を平行とする配向関係になっている。 - 特許庁

A method of removing the metal residue 8 comprises: a step (a) of converting the metal residue 8 to an alloy 10 containing germanide of the metal; and a step (b) of removing the alloy 10 by dissolving the alloy in a chemical solution.例文帳に追加

金属の残留物８の除去は、ａ）金属の残留物８を、該金属のゲルマニウム化物を含む合金１０に転化することと、ｂ）化学溶液中で該合金を溶解することによって、該合金１０を除去することとを含む。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal material at simple and easy mounting process without a risk of causing short circuit in between metal materials, when co-integration is processed for nickel silicide and nickel germanide from a substrate including a semiconductor region containing silicon and that containing germanium.例文帳に追加

シリコンを含有する半導体領域及びゲルマニウムを含有する半導体領域を含む基板から、ニッケルシリサイド及びニッケルジャーマナイドの共集積化を行うに際し、金属系材料の間で短絡の危険なしに、実装が単純かつ容易な金属系材料の形成方法を提供する。 - 特許庁

The method includes: forming a translucent first layer on an optical substrate 1 directly or through the other layer; and forming, on a surface of the first layer, a translucent thin film 33 including at least any one of transition metal carbide, transition metal silicide and transition metal germanide by means of physical vapor deposition.例文帳に追加

光学基材１の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第１の層を形成することと、第１の層の表面に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む透光性薄膜３３を物理的蒸着により形成することとを有する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate including silicon, a first gate insulating film and a second gate insulating film formed of a high dielectric material having a specific dielectric constant of 8 or larger formed on the semiconductor substrate, a first gate electrode formed of germanide formed on the first gate insulating film, and a second gate electrode formed of silicide formed on the second gate insulating film.例文帳に追加

半導体装置は、シリコンを含む半導体基板と、前記半導体基板上に形成された比誘電率が８以上の高誘電材料からなる第１、および第２のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に形成されたジャーマナイドからなる第１のゲート電極と、前記第２のゲート絶縁膜上に形成されたシリサイドからなる第２のゲート電極と、を備える。 - 特許庁

Related to a thermal converter comprising a p-doped or an n-doped semiconductor material, the semiconductor material is at least one kind of ternary material formed by combining at least two kinds of compounds among material substance classes, while selected among them; silicide, boride, germanide, telluride, sulfide, selenide, antimonide, lead compound, and semiconductor oxide.例文帳に追加

ｐ−ドープまたはｎ−ドープされた半導体材料を含む熱変換器において、前記半導体材料が物質の組：ケイ化物、ホウ化物、ゲルマニウム化物、テルル化物、硫黄化物、セレン化物、アンチモン化物、鉛化物および半導体酸化物、の１組から選択され、物質の組の少なくとも２種の化合物を結合することで形成される、少なくとも１種の三元材料であることを特徴とする。 - 特許庁