Ge growthとは 意味・読み方・使い方

To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.例文帳に追加

キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

An Si hydride or an Si chloride, a Ge hydride and an organometallic compound not containing Si are fed on a substrate in a crystal growth device as raw materials to chemically vapor-grow a ternary mixed crystal containing Si, Ge and C.例文帳に追加

原料としてＳｉの水素化物または塩化物及びＧｅの水素化物及びＳｉを含まない有機金属化合物を供給してＳｉ及びＧｅ及びＣを含む三元混晶を化学気相成長させる。 - 特許庁

Ge is selectively grown on the diffusion layer in the contact hole 20 and on a side of the selective growth layer 15 to form a SiGe layer 24 by heat treatment.例文帳に追加

コンタクトホール２０内の拡散層上及び選択成長層１５の側面にＧｅを選択成長し、熱処理よりＳｉＧｅ層２４とする。 - 特許庁

The method for fabricating the photodetector uses direct growth of Ge on thin SOI or an epitaxial oxide, and subsequent thermal annealing to achieve a high-quality absorbing layer.例文帳に追加

本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。 - 特許庁

A base layer constituted of a GeSi layer having a profile in which the composition rate of Ge changes logarithmically on the depth is formed by paraxial growth on a silicon semiconductor layer functioning as a collector.例文帳に追加

コレクタとして機能するシリコン半導体層上に、Ｇｅの組成比が、深さに対して対数関数的に変化するプロファイルを有するＧｅＳｉ層からなるベース層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

Otherwise, a nanowire having periodically arranged nanodisks or nanodots made of a mixture crystal of Si and Ge is produced by preparing a superlattice nanowire made of an Si crystal and a mixture crystal of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase growth method and controlling the size in a nanometer (nm) scale by using an oxidation concentration method.例文帳に追加

また、気相- 液相- 固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 - 特許庁

By the addition of Ti, the solubility of C is increased, and the growth rate of the SiC single crystal can be enhanced, and at the same time, the SiC single crystal having high flatness can be obtained by the surfactant effect of Sn or Ge.例文帳に追加

Ｔｉ添加によりＣの溶解度が増加してＳｉＣ単結晶の成長速度が向上し、同時に、ＳｎまたはＧｅのサーフアクタント効果により平坦性の高いＳｉＣ単結晶が得られる。 - 特許庁

Optical fibers manufactured according to embodiments of the invention provide faster growth of grating strength, higher thermal stability, and longer photosensitive wavelength compared to conventional Ge doped silica optical fibers.例文帳に追加

本発明の幾つかの実施例に従って製造された光ファイバは、従来のＧｅにてドープされたシリカ光ファイバと比較して、グレーティング強度の成長がより速く、熱安定性がより高く、感光波長がより長い。 - 特許庁