M4-elementとは 意味・読み方・使い方

The switching element and the reverse flow preventing diode are realized by a fourth MOS transistor M4 and a parasitic diode Dp4 between a substrate b4 and a drain d4.例文帳に追加

スイッチング素子と逆流防止ダイオードを、第４ＭＯＳトランジスタＭ４と基板ｂ４・ドレインｄ４間の寄生ダイオードＤｐ４で実現する。 - 特許庁

The movable optical element M4 can affect the position quantity of a radiation beam projected by the projection system by being displaced.例文帳に追加

可動光学要素Ｍ４は、可動光学要素の変位によって、投射システムによって投射される放射ビームの位置量に影響を与えることが可能である。 - 特許庁

Then, two motors M3 and M4 are disposed in free space sectioned by the inclined surface of a prism 111 that is a reflection optical element positioned on one end side of the shafts.例文帳に追加

それらの軸の一端側に位置する、反射光学素子であるプリズム１１１の斜面で区画された空きスペースに２つのモータＭ３，Ｍ４を配設する。 - 特許庁

Modulation by the delay element is attained by modulating a bias current of the load TRs (M2, M5), the feedback TRs (M3, M4) and the gate bias TRs (M21, M22).例文帳に追加

遅延の変調は、負荷トランジスター（Ｍ２，Ｍ５）、フィードバック・トランジスター（Ｍ３，Ｍ４）及びゲート・バイアス・トランジスター（Ｍ２１，Ｍ２２）のバイアス電流を変調することにより達成される。 - 特許庁

Meanwhile, wiring 18 provided to a wiring layer M4 as a layer above the wiring layers is provided so as to cover at least part of the upper part of the active region of the antenna protection element 17.例文帳に追加

一方、その上層の配線層Ｍ４に設けられた配線１８は、アンテナ保護素子１７の活性領域上方を少なくとも一部覆うように、設けられている。 - 特許庁

That is, the Z-direction acceleration detection section uses a detection capacitative element which comprises the spindle M2 and the detection electrode DTE2 consisting the angular velocity detection section as the reference capacitative element to a detection capacitative element which comprises a detection electrode DTE5 and a spindle M4.例文帳に追加

すなわち、Ｚ方向加速度検知部は、検出電極ＤＴＥ５と錘Ｍ４からなる検出容量素子に対する参照容量素子として、角速度検知部を構成する錘Ｍ２と検出電極ＤＴＥ２からなる検出容量素子を使用している。 - 特許庁

Each of the unit circuits U1-U4 sets the drive current according to correction data stored in memories M1-M4 so as to control the emission intensity of the light emitting element 36 in the block.例文帳に追加

単位回路Ｕ１〜Ｕ４の各々は、ブロック内で発光素子３６の発光輝度を調整するようにメモリＭ１〜Ｍ４に記憶された補正データに応じて駆動電流を設定する。 - 特許庁

For example, a desired well zone and element are formed on a p-type semiconductor substrate 10, and metal wiring layers M1 to M4 having aluminum, for example, as a main component are formed to constitute the integrated circuit 11.例文帳に追加

例えばＰ型半導体基板１０上に所望のウェル領域や素子が形成され、例えばアルミニウムを主成分とするメタル配線層Ｍ１〜Ｍ４が形成され集積回路１１が構成されている。 - 特許庁