「M4-element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A first impedance element Z1 to a fourth impedance element Z4 are provided in a path for applying bias voltage to gates of the first transistor M1 to the fourth transistor M4.例文帳に追加

第１インピーダンス素子Ｚ１〜第４インピーダンス素子Ｚ４は、第１トランジスタＭ１〜第４トランジスタＭ４のゲートにバイアス電圧を印加する経路に設けられる。 - 特許庁

The current output section M4 is a current output transistor provided between one end of the photo-detection element and the data line.例文帳に追加

電流出力部Ｍ４は、光検出素子の一端とデータ線との間に設けられた電流出力トランジスタである。 - 特許庁

The switching element and the reverse flow preventing diode are realized by a fourth MOS transistor M4 and a parasitic diode Dp4 between a substrate b4 and a drain d4.例文帳に追加

スイッチング素子と逆流防止ダイオードを、第４ＭＯＳトランジスタＭ４と基板ｂ４・ドレインｄ４間の寄生ダイオードＤｐ４で実現する。 - 特許庁

The movable optical element M4 can affect the position quantity of a radiation beam projected by the projection system by being displaced.例文帳に追加

可動光学要素Ｍ４は、可動光学要素の変位によって、投射システムによって投射される放射ビームの位置量に影響を与えることが可能である。 - 特許庁

Then, two motors M3 and M4 are disposed in free space sectioned by the inclined surface of a prism 111 that is a reflection optical element positioned on one end side of the shafts.例文帳に追加

それらの軸の一端側に位置する、反射光学素子であるプリズム１１１の斜面で区画された空きスペースに２つのモータＭ３，Ｍ４を配設する。 - 特許庁

Modulation by the delay element is attained by modulating a bias current of the load TRs (M2, M5), the feedback TRs (M3, M4) and the gate bias TRs (M21, M22).例文帳に追加

遅延の変調は、負荷トランジスター（Ｍ２，Ｍ５）、フィードバック・トランジスター（Ｍ３，Ｍ４）及びゲート・バイアス・トランジスター（Ｍ２１，Ｍ２２）のバイアス電流を変調することにより達成される。 - 特許庁

Meanwhile, wiring 18 provided to a wiring layer M4 as a layer above the wiring layers is provided so as to cover at least part of the upper part of the active region of the antenna protection element 17.例文帳に追加

一方、その上層の配線層Ｍ４に設けられた配線１８は、アンテナ保護素子１７の活性領域上方を少なくとも一部覆うように、設けられている。 - 特許庁

That is, the Z-direction acceleration detection section uses a detection capacitative element which comprises the spindle M2 and the detection electrode DTE2 consisting the angular velocity detection section as the reference capacitative element to a detection capacitative element which comprises a detection electrode DTE5 and a spindle M4.例文帳に追加

すなわち、Ｚ方向加速度検知部は、検出電極ＤＴＥ５と錘Ｍ４からなる検出容量素子に対する参照容量素子として、角速度検知部を構成する錘Ｍ２と検出電極ＤＴＥ２からなる検出容量素子を使用している。 - 特許庁

Each of the unit circuits U1-U4 sets the drive current according to correction data stored in memories M1-M4 so as to control the emission intensity of the light emitting element 36 in the block.例文帳に追加

単位回路Ｕ１〜Ｕ４の各々は、ブロック内で発光素子３６の発光輝度を調整するようにメモリＭ１〜Ｍ４に記憶された補正データに応じて駆動電流を設定する。 - 特許庁

For example, a desired well zone and element are formed on a p-type semiconductor substrate 10, and metal wiring layers M1 to M4 having aluminum, for example, as a main component are formed to constitute the integrated circuit 11.例文帳に追加

例えばＰ型半導体基板１０上に所望のウェル領域や素子が形成され、例えばアルミニウムを主成分とするメタル配線層Ｍ１〜Ｍ４が形成され集積回路１１が構成されている。 - 特許庁

In the stereoscopic image display apparatus 20, mirrors M3 and M4 are disposed so that the optical path of projection light 12a from each of the projecting elements 3a of a first projecting element group 3 overlap the optical path of projection light 15 from each of the projecting elements 5 of second projecting element group 5.例文帳に追加

立体画像表示装置２０では、第１の投影素子群３の投影素子３ａの投射光１２ａと、第２の投影素子群５の投影素子群５の投射光１５のそれぞれの光路が重なるように、ミラーＭ３及びＭ４がそれぞれ配置されている。 - 特許庁

A structure with upper electrodes L1 to L4 formed on the upper surface of a piezoelectric element 520 and lower electrodes M1 to M4 formed on the lower surface thereof is fixed securely on a flexible board 510, having a principle surface parallel to XY flat surface.例文帳に追加

圧電素子５２０の上面に上部電極Ｌ１〜Ｌ４を形成し、下面に下部電極Ｍ１〜Ｍ４を形成した構造体を、ＸＹ平面に対して平行な主面を有する可撓基板５１０上に固着する。 - 特許庁

(1) This phosphor for a vacuum ultraviolet-excitable luminous element is characterized by being represented by the general formula: M4 Gd1-aEuaO(BO3)3 (0.003≤a≤0.5; and M is one or more alkaline earth metal elements selected from Ca, Sr and Ba).例文帳に追加

（１）一般式Ｍ_4Ｇｄ_1_‐_aＥｕ_aＯ（ＢＯ_3）_3（但し、０．００３≦ａ≦０．５、ＭはＣａ、Ｓｒ、及びＢａから選択される一種以上のアルカリ金属土類元素）で表されることを特徴とする真空紫外線励起発光素子用蛍光体。 - 特許庁

In this angular velocity sensor, upper electrodes L1-L4 are formed on top face of a piezoelectric element 520, while a structure with lower electrodes M1-M4 formed on its undersurface is firmly fixed on a flexible substrate 510 which has a main surface in parallel with X-Y plane.例文帳に追加

圧電素子５２０の上面に上部電極Ｌ１〜Ｌ４を形成し、下面に下部電極Ｍ１〜Ｍ４を形成した構造体を、ＸＹ平面に対して平行な主面を有する可撓基板５１０上に固着する。 - 特許庁

A normal operation confirming means 19 confirms whether or not the reflected light from reflectors m1 to m4 for inspection are being received on the basis of scanning information from the driving circuits 14 and 15 and received light output R1 obtained via a light receiving element 16 and a light receiving circuit 17.例文帳に追加

駆動回路１４，１５からの走査情報と受光素子１６及び受光回路１７を介して得られる受光出力Ｒ１とに基づいて検査用反射体ｍ１〜ｍ４からの反射光が受光されているか否かを正常動作確認手段１９で確認する。 - 特許庁

The shift register which is the shift register having switching elements with active layers formed of the polysilicon and is constituted in such a manner that the charges charged and discharged to and from a power source line are transferred only from the one switching element (M1, M3) to the next stage (M2, M4) and the image display device are provided.例文帳に追加

活性層がポリシリコンで形成されているスイッチング素子を有するシフトレジスタであって、電源ラインから充放電される電荷が、１つのスイッチング素子（Ｍ１，Ｍ３）のみを介して次段（Ｍ２，Ｍ４）に転送される構成のシフトレジスタおよび画像表示装置とした。 - 特許庁

An operational amplifier circuit AMP3 compares the detected value of a voltage and a reference voltage Vr3; and when the voltage of the Vbus is large, the operation amplitude circuit turns on the charging current control element M4 by outputting an H-level signal, and makes the charging current flow to the secondary battery BAT from the Vbus.例文帳に追加

演算増幅回路ＡＭＰ３は、電圧の検出値と規準電圧Ｖｒ３とを比較して、Ｖｂｕｓの電圧が大きいときは、Ｈレベル信号を出力して充電電流制御素子Ｍ４をオンにし、Ｖｂｕｓから二次電池ＢＡＴへ充電電流を流す。 - 特許庁

When the MOS transistor M2 is in an operational state, the electric potential of a node B is decreased by a current mirror circuits 16 and 13 to make the other MOS transistor M1 off state, by detecting the voltage between the gate and the source of the MOS transistor M2 with a transistor M4 and generating a detection current Idct2 flowing through a resistor element R2.例文帳に追加

またＭＯＳトランジスタＭ２が動作状態にあるときは、そのゲート〜ソース間電圧をトランジスタＭ４で検出し、抵抗素子Ｒ２に流れる検出電流Ｉｄｃｔ２を生成することで、カレントミラー回路１６，１３によりノードＢの電位を下げて他方ＭＯＳトランジスタＭ１をオフ状態とする。 - 特許庁

A first antenna diode AD1 and a gate electrode 16 of an nMIS are electrically connected to each other through wiring M1 of a first layer, and a second antenna diode AD2 and another semiconductor element are electrically connected to each other through wiring M4 of a fourth layer (wiring one layer below top-layer wiring in an antenna block) from wiring M1 of a first layer.例文帳に追加

第１アンテナダイオードＡＤ１とｎＭＩＳのゲート電極１６とを第１層目の配線Ｍ１を介して電気的に接続し、第２アンテナダイオードＡＤ２と他の半導体素子とを第１層目の配線Ｍ１から第４層目の配線（アナログブロック内の最上層配線から１層下の配線）Ｍ４を介して電気的に接続する。 - 特許庁