NMOS deviceとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device comprises a depressive nMOS-FET 11, an enhancement nMOS-FET 12, a grounding pad 21, and ROM code recognition pads 22 and 23.例文帳に追加

半導体装置は、デプレッション型ｎＭＯＳ−ＦＥＴ１１と、エンハンスメント型ｎＭＯＳ−ＦＥＴ１２と、接地用のパッド２１と、ＲＯＭコード認識用のパッド２２，２３と、を備えている。 - 特許庁

When the semiconductor integrated device is in inactive state, high voltage is not applied to gate oxides of PMOS 71 and NMOS 72, because a signal line Ls5 and the gate of the PMOS 71 are short-circuited with a D-NMOS 73, and the signal Ls5 and the gate of the NMOS 72 are short-circuited with a D-NMOS 74.例文帳に追加

半導体集積装置が非活性状態では、信号線Ｌｓ５とＰＭＯＳ７１のゲートとがＤ−ＮＭＯＳ７３で短絡されると共に、信号線Ｌｓ５とＮＭＯＳ７２のゲートとがＤ−ＮＭＯＳ７４で短絡され、ＰＭＯＳ７１及びＮＭＯＳ７２のゲート酸化膜に、高電圧が印加されなくなる。 - 特許庁

To reduce formation area of an nMOS transistor and a pMOS transistor that a semiconductor device includes.例文帳に追加

半導体装置が備えるｎＭＯＳトランジスタ及びｐＭＯＳトランジスタの形成面積を縮小する。 - 特許庁

A first transistor is an NMOS device, a second transistor is a PMOS device, and a CMOS device is constituted of the first and the second transistor.例文帳に追加

第１トランジスタがＮＭＯＳデバイスで第２トランジスタがＰＭＯＳデバイスであり、第１トランジスタと第２トランジスタとがＣＭＯＳデバイスを構成する。 - 特許庁

A diode 44 is formed on a substrate 50, where a semiconductor integrated circuit device having IGBT and NMOS is formed, and the diode 44 is connected between the NMOS source electrode 66 and a backgate electrode 70, and the NMOS source electrode 66 and an emitter electrode 57 of the IGBT in the forward direction.例文帳に追加

ＩＧＢＴとＮＭＯＳとを持つ半導体集積回路装置が形成された基板５０上にダイオード４４を形成し、ＮＭＯＳのソース電極６６とバックゲート電極７０及びＩＧＢＴのエミッタ電極５７との間に、順方向になるようにダイオード４４を接続する。 - 特許庁

To provide a producing method of semiconductor device for actualizing both removal of a stresser film in a pMOS domain and control of withdrawal of the boundary between pMOS domain and nMOS domain toward the nMOS side.例文帳に追加

ｐＭＯＳ領域のストレッサー膜の除去と、ｐＭＯＳ領域とｎＭＯＳ領域との境界部のｎＭＯＳ側への後退の抑制とを両立できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device allowing further miniaturization by clarifying the boundary between an NMOS transistor and a PMOS transistor, and allowing both threshold voltages of the NMOS transistor and the PMOS transistor to be set at a low value of a practical level.例文帳に追加

ＮＭＯＳとＰＭＯＳとの境界を明確化して更なる微細化を可能とし、ＮＭＯＳとＰＭＯＳとの閾値電圧を共に実用レベルの低い値に設定できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The lighting control device has: an NMOS transistor 2 performing the on/off control of a drive current supplied to a semiconductor light source; and a control means controlling the NMOS transistor 2 according to a light adjustment control signal S2.例文帳に追加

半導体光源に供給される駆動電流をオン・オフ制御するＮＭＯＳトランジスタ２と、調光制御信号Ｓ２に応じてＮＭＯＳトランジスタ２を制御する制御手段とを有する。 - 特許庁