Neutron Diffractionとは 意味・読み方・使い方

X-RAY DIFFRACTION METHOD AND NEUTRON BEAM DIFFRACTION METHOD例文帳に追加

Ｘ線回折方法および中性子線回折方法 - 特許庁

To provide a sample position adjusting device, capable of detecting the diffraction peaks of radiation, such as X rays, neutron beams, etc. with high accuracy in short time, a radiation diffraction device and a radiation diffraction method.例文帳に追加

Ｘ線及び中性子線等の放射線の回折ピークを高精度且つ短時間で検出可能とする試料位置調整装置、放射線回折装置及び放射線回折法を提供する。 - 特許庁

To provide a stress measuring method by neutron diffraction capable of shortening the time and reducing the stress error resulted from an error of measuring position.例文帳に追加

時間短縮と測定位置の誤差に起因する応力誤差の低減を目的とした中性子回折による応力測定方法の提供。 - 特許庁

Varying the scattering factors is accomplished by using different types of radiation, such as performing both X-ray and neutron diffraction, or by performing neutron diffraction on materials with the same composition but different isotopes.発音を聞く 例文帳に追加

散乱因子を変化させることは、X線回折と中性子回折の両方を行うことなどの異なる種類の放射線を使うことにより、或いは同じ組成であるが異なる同位体をもつ材料について中性子回折を行うことにより、果たされる。 - 科学技術論文動詞集

In the case of applying doping to a semiconductor substrate by emitting a neutron beam to the semiconductor substrate including at least one stable isotope as a constituent element to cause nuclear reaction of the stable isotope, employing a diffraction pattern obtained by emitting the neutron beam 15 to a diffraction grating 12 provides spatial contrast to the emission dose of the neutron so as to carry out spatially selectable doping.例文帳に追加

少なくとも一つの安定同位体を構成元素として含む半導体基体に中性子線を照射して安定同位体の核反応を起こすことにより半導体基体にドーピングを行う場合に、中性子線１５を回折格子１２に照射することにより得られる回折パターンを用いて半導体基体１１に対する中性子の照射量に空間的な濃淡を持たせ、空間的に選択的なドーピングを行う。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for growing a crystal of a protein, capable of growing (forming) a high-quality protein crystal large enough for use in a neutron diffraction method, with excellent reproducibility.例文帳に追加

中性子回折法に使用できる程度の大型の良質なタンパク質結晶を再現性よく成長（形成）させることが可能なタンパク質結晶成長装置、及びその方法を提案する。 - 特許庁

A stress distribution for calculating the strength H of the stress singular field near the contact end is determined by a molecular dynamic analysis, nano-indentation as an experimental technique, an X-ray stress measuring method, or a neutron diffraction stress measuring method.例文帳に追加

また、接触端近傍の応力特異場の強さＨを算出するための応力分布を、分子動力学解析、又は実験的手法としてナノインデンテーション、Ｘ線応力測定法、中性子回折応力測定法により求めた。 - 特許庁