Ni impurityとは 意味・読み方・使い方

Preferably, P and S as impurity components are suppressed to, by mass, ≤0.02% and ≤0.01%, respectively, and further, 0.1 to 3.0% of Ni, 0.01 to 3.0% of Cu and 0.001 to 0.1% of Al are added thereto.例文帳に追加

さらに好ましくは、不純物成分としてのＰ及びＳをそれぞれ０．０２質量％以下及び０．０１質量％以下に抑えると共に、Ｎｉ：０．１〜３．０％、Ｃｕ：０．０１〜３．０％、Ａｌ：０．００１〜０．１％を添加する。 - 特許庁

The alloy contains Ti, 3 to below 9 at% Co, Ni and Fe on impurity levels, 2 to below 4 at% Nb, and 3 to 8 at% W and has a C/(N+C) ratio of 0.50 to 0.75.例文帳に追加

この合金は、Ｔｉと、３〜＜９ａｔ％のＣｏと、不純物レベルのＮｉ及びＦｅと、２〜＜４ａｔ％のＮｂと、３〜８ａｔ％のＷとを含み、且つ０．５０〜０．７５のＣ／（Ｎ＋Ｃ）比を有する。 - 特許庁

The alloy contains Ti, 9 to 14 atomic percent Co, each impurity level of Ni and Fe, 1 to <3 atomic percent Nb and 3 to 8 atomic percent W and has a C/(N+C) ratio ranging from 0.50 to 0.75.例文帳に追加

この合金は、Ｔｉと、９〜１４ａｔ％のＣｏと、不純物レベルのＮｉ及びＦｅと、１〜＜３ａｔ％のＮｂと、３〜８ａｔ％のＷとを含み、且つ０．５０〜０．７５のＣ／（Ｎ＋Ｃ）比を有する。 - 特許庁

With respect to the processing method for wafers, a polysilicon film 12 having a thickness of 0.1-2 μm is formed on the whole surface of a silicon wafer 11 contaminated by a metal impurity containing Cu and/or Ni.例文帳に追加

Ｃｕ又はＮｉのいずれか一方又はその双方を含む金属不純物に汚染されたシリコンウェーハ１１の全面に厚さ０．１〜２μｍのポリシリコン膜１２を成膜する。 - 特許庁

The silicon nitride sintered compact preferably contains rear earth element by 0.5-10 mass % in terms of oxide, and total of Al, Li, Na, K, Ca, Fe, Ni, Cr, Mo, Cu, Ba, Mn, and B, as impurity of cation elements by ≤0.03 mass %.例文帳に追加

また、前記高熱伝導性窒化けい素焼結体が希土類元素を酸化物に換算して０．５〜１０質量％，不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．０３質量％以下含有することが好ましい。 - 特許庁

The alloy contains Ti, Co, each impurity level of Ni and Fe, 4 to 7 atomic percent of Nb and 3 to 8 atomic percent of W and has a C/(N+C) ratio ranging from 0.50 to 0.75.例文帳に追加

この合金は、Ｔｉと、Ｃｏと、不純物レベルのＮｉ及びＦｅと、４〜７ａｔ％のＮｂと、３〜８ａｔ％のＷを含み、且つ０．５０〜０．７５のＣ／（Ｎ＋Ｃ）比を有する。 - 特許庁

When a reaction product with Ni is formed on an impurity diffusion layer or a polycrystalline-Si layer formed on an Si substrate, a reaction region is defined while taking account of the diffusion coefficient of Ni in Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

When a reaction product with Ni is formed on the impurity diffusion layer or polycrystalline Si formed on Si substrate, a reaction region is specified in consideration of the diffusion coefficient of Ni inside Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁