P ionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 π中間子
P ionの学習レベル | レベル：17 |
「P ion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 345件
The fluoro complex anion (A) is preferably hexafluorozirconium (IV) acid ion or hexafluoro titanic (IV) acid ion and preferably contains a phosphoric acid ester (salt) (P).例文帳に追加
さらに、リン酸エステル（塩）（Ｐ）を含有することが好ましい。 - 特許庁
The group (A) consists of a sulfuric acid ion, a chlorine ion, a nitric acid ion, a p-toluenesulfonic acid ion and a sulfonic acid ion.例文帳に追加
化合物群（Ａ）硫酸イオン塩素イオン硝酸イオンｐ−トルエンスルホン酸イオンスルホン酸イオン - 特許庁
To obtain a new antiviral agent which can be replaced with an antiviral agent containing acyclovir or a polyacid ion such as [Eu_4(MoO_4)(H_2O)_16(Mo_7O_24)_4]^p- or [(SbW_9O_33)_2V_3O_3]^p-.例文帳に追加
アシクロビル、あるいは[Eu_4(MoO_4)(H_2O)_16(Mo_7O_24)_4]^p-や[(SbW_9O_33)_2V_3O_3]^p-などのポリ酸イオンを含む抗ウイルス剤に代わる新規な抗ウイルス剤を提供する。 - 特許庁
Furthermore, a p injection layer 6P is formed by the ion implantation of phosphorus (P) with the resist 7 as a mask.例文帳に追加
さらに、レジスト７をマスクにして、リン（Ｐ）をイオン注入してＰ注入層６Ｐを形成する。 - 特許庁
When the mass of the ion conductive substance is made I (mg) and the mass of the positive electrode layer 5 is made P (mg), 0.05P<I<10P is satisfied.例文帳に追加
このイオン伝導性物質の質量をI（mg）、正極層5の質量をP（mg）としたとき、0.05P＜I＜10Pを満たす。 - 特許庁
Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加
次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁
In this ion implanter, an ion beam 11 from an ion source 1 is passed through a mass spectrometry part 3 and an As ion beam 4 and a P ion beam 5 are extracted to radiate on a semiconductor substrate 10 for performing the impurity ion-implantation.例文帳に追加
イオン源１からのイオンビーム１１を質量分析部３を経由させてＡｓイオンビーム４及びＰイオンビーム５を取出して半導体基板１０に照射し、不純物イオン注入を行う。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「P ion」の意味 |
Pion
出典:『Wikipedia』 (2011/05/23 07:49 UTC 版)
, π+
, and π−
. Pions are the lightest mesons and they play an important role in explaining the low-energy properties of the strong nuclear force.
「P ion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 345件
A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加
Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁
Various kinds of ion generated at an ion source 1 are put on a revolving track P, differences of the target ion and the other kinds of ion are enlarged during the process of revolution, and unnecessary kinds of ion are discarded out of the track by a deflection electrode.例文帳に追加
イオン源１で発生させた各種イオンを周回軌道Ｐに乗せ、周回させる過程で目的イオンとそれ以外のイオンとの差を拡大させ、不要なイオンを偏向電極２により軌道Ｐ外に廃棄する。 - 特許庁
The As ion implantation region 13 and the P ion implantation region 14 are constituted such that each dopant of As and P can obtain at least given temperature characteristics at a given ratio and by ion implantation with a dose quantity adjusted.例文帳に追加
Ａｓイオン注入領域１３とＰイオン注入領域１４は、Ａｓ，Ｐの各ドーパントを所定の比でかつドーズ量が調整されたイオン注入によって少なくとも所定の温度特性が得られるよう構成されている。 - 特許庁
An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加
イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。 - 特許庁
The negative ion A- is a fluorine complex ion represented by MFn- (M=B, n=4, or M=P, As or Sb, n=6).例文帳に追加
陰イオンＡ^- は、ＭＦ_n^-（Ｍ＝Ｂ、ｎ＝４、またはＭ＝Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ、ｎ＝６）で表されるフッ素錯イオンである。 - 特許庁
Thereby, a pulse ion beam having an ion beam current lower than a current value corresponding to the lowest power P_C for igniting discharge is obtained.例文帳に追加
これによって、最低放電点弧可能パワーＰ_Ｃ に対応する電流値よりも低いイオンビーム電流のパルスイオンビームが得られる。 - 特許庁
Thereby, a pulse ion beam having an ion beam current lower than a current value corresponding to the lowest power P_C capable of igniting discharge is obtained.例文帳に追加
これによって、最低放電点弧可能パワーＰ_C に対応する電流値よりも低いイオンビーム電流のパルスイオンビームが得られる。 - 特許庁
Preferable substance is a Y(P, V)O4: Eu3+ fluorescent material doped with trivalent Tb3+ ion and bivalent Mg2+ ion.例文帳に追加
好ましい物質は、三価のＴｂ^3+イオンと二価のＭｇ^^2+イオンをドープしたＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_4：Ｅｕ^3+蛍光体である。 - 特許庁
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