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PNP junctionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 PNP接合
「PNP junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
In such a semiconductor device, propagation of noise between the first and second element formation areas 20, 30 can be suppressed by a depletion layer configured between the PNP junction or the NPN junction.例文帳に追加
このような半導体装置では、ＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合の間に構成される空乏層により、第１、第２素子形成領域２０、３０の間でノイズが伝播することを抑制することができる。 - 特許庁
A diode 80 has a positive pole having a junction at the connection intersection point of a diode 15 and a resistor 14, and a negative pole having a junction at the connection intersection point of a resistor 65 and a PNP transistor 66.例文帳に追加
前記ダイオード１５と抵抗１４の接続交点に陽極が接続され、前記抵抗６５とＰＮＰトランジスタ６６のベースの接続交点に陰極が接続されるダイオード８０を備える。 - 特許庁
The use of a pn junction formula on the pnp transistors Q1, Q2 yields, as an inverse proportion relation, characteristics between an input voltage VIN to the non-inverting input terminal of an operational amplifier OPAamp and the collector current Ib of the pnp transistor Q2.例文帳に追加
ｐｎｐトランジスタＱ１，Ｑ２に関するｐｎジャンクションの式を利用して、演算増幅器ＯＰＡｍｐの非反転入力端子への入力電圧ＶＩＮとｐｎｐトランジスタＱ２のコレクタ電流Ｉｂとの間の特性を反比例関係とすることができる。 - 特許庁
A junction between a base and collector of a vertical PNP transistor is used as a diode, and further a reverse bias voltage is applied to between a base and emitter of a parasitic PNP transistor of this PNP transistor, so that the diode in which a leak current is less and a breakdown strength is high is realized without increasing the manufacturing steps.例文帳に追加
縦型ＰＮＰトランジスタのベース・コレクタ間接合部をダイオードとして用い、また、このＰＮＰトランジスタの寄生ＰＮＰトランジスタのベース・エミッタ間に逆バイアス電圧を加えるようにして、リーク電流が少なく耐圧が高いダイオードを、製造工程を追加しなくても実現する。 - 特許庁
A first PNP transistor (Q2) whose emitter is connected to the plus voltage power wire and whose base is connected to the mutual junction between the resistor for current detection and the load is connected in series to a first resistor (R1), and the other end of the first resistor is connected to the mutual junction between the load and the choke coil.例文帳に追加
エミッタをプラス電源線に、ベースを電流検出用抵抗と負荷の相互接続点に接続した第１のＰＮＰトランジスタ（Ｑ２）を第１の抵抗（Ｒ１）と直列接続し、第１の抵抗の他端を負荷とチョークコイルの相互接続点に接続する。 - 特許庁
Therefore, the n-type Si layer that is thinner than a lateral pnp, a pn junction varactor, a high breakdown voltage HBT transistor or the like can be obtained, and the performance of each element with different uses can be together established.例文帳に追加
このためラテラルＰＮＰ、ＰＮ接合型バラクタ、高耐圧用ＨＢＴトランジスタ等の素子よりも薄いＮ型Ｓｉ層が得られるため用途の異なる各素子の性能を両立させることができる。 - 特許庁
Thereafter, during operation of an LSI, a write-in/read-out circuit 13 of the memory data measures a forward voltage VF2 obtained when the constant current I1 is made to flow through the PN junction diode of the PNP transistor 11.例文帳に追加
その後ＬＳＩの動作時に、メモリデータの書き込み／読出し回路１３は、ＰＮＰトランジスタ１１のＰＮ接合ダイオードに定電流Ｉ１を流したときの順方向電圧ＶＦ２を測定する。 - 特許庁
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「PNP junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
In a non-volatile memory 14, a forward voltage VF1 obtained when a constant current I1 is made to flow through a PN junction diode of a PNP transistor 11 is stored in advance in an environment where the temperature is managed.例文帳に追加
不揮発性メモリ１４は、温度管理されている環境下で、ＰＮＰトランジスタ１１のＰＮ接合ダイオードに定電流Ｉ１を流したときの順方向電圧ＶＦ１を予め記憶している。 - 特許庁
One-dimensional simulation is performed to a junction structure including an npn structure or pnp structure having an impurity concentration equal to that of an n-type region and a p-type region in a semiconductor device to obtain one-dimensional simulation value for a depleted layer in the semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置に含まれるｎ型領域およびｐ型領域と同一の不純物濃度を有するｎｐｎ構造若しくはｐｎｐ構造を含む接合構造に対して一次元シミュレーションを行って、半導体装置における空乏層についての一次元シミュレーション値を取得する。 - 特許庁
The voltage Vf between base and emitter of a PNP transistor 107, the emitter and base of which are connected, represents diode characteristics of a negative linear temperature dependency, the potential Vd of a junction D is divided with a control resistors 101 and 102, the potential Vb of a junction B depends on temperature linearly with a positive temperature coefficient.例文帳に追加
ベースとコレクタとを接続させたＰＮＰトランジスタ１０７のベース−エミッタ間電圧Ｖｆは、ダイオード特性を示し、負の温度係数で線形的に温度依存するため、接点Ｄの電位Ｖｄを制御抵抗１０１と制御抵抗１０２とで抵抗分割した接点Ｂの電位Ｖｂは、正の温度係数で線形的に温度依存する。 - 特許庁
A support base plate 10 has a first conductivity type region 10a and a second conductivity type region 10b, and a PNP junction or an NPN junction composed of the first and second conductivity type regions 10a, 10b are provided in the propagation path of noise which is applied to a first element formation area 20 and propagated.例文帳に追加
支持基板１０を、第１導電型領域１０ａと第２導電型領域１０ｂとを有し、第１素子形成領域２０にノイズが印加されてノイズが伝播されたときの当該ノイズの伝播経路中に、第１、第２導電型領域１０ａ、１０ｂで構成されるＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合を有するものとする。 - 特許庁
In an area near a rear end face of a resonator, a p-AlGaAs second upper clad layer 109 of the stripe geometry having a nearly triangular cross-sectional shape, n-AlGaAs first current blocking layer 112, n-GaAs second current blocking layer 113, p-GaAs flattened layer 114, and p-GaAs cap layer 116 form a pnp junction.例文帳に追加
共振器後端面近傍の領域において、断面略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。 - 特許庁
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